Варикаш
Способ определения трикритической точки
Номер патента: 1679298
Опубликовано: 23.09.1991
Авторы: Бурцева, Варикаш, Меркулов
МПК: G01N 21/23
Метки: точки, трикритической
...и с(3) срезах, на фиг, 3 - температурная зависимость спонтанной поляризации кристалла КН 4)о,д 4 Ко,оо)2 ЯО 4 вдоль направления, измеренная с помощью пирозлектрического заряда.На фиг. 4 представлены экспериментальные Л пз и рассчитанные теоретически Д зависимости спонтанного двулучепреломления от разности температур (Т - Т) кристалла (М Н 4)о,д 4 Ко,оф 304 в а (1), Ь (2) и с (3) срезах (точки, рассчитанные теоретически,обозначены символом ).На фиг, 5 представлены зависимости параметра Ь от концентрации ионов калияв кристаллах (МН 4)1-х Кхй 304 вдоль а(2),Ь(1) и с(3) кристаллографических осей.При изменении двулучепреломлениякристаллов ЦМН 4)1-х Кх 2 304 используют известную формулу Лп =Гй,где Г - разность 5хода двух волн; б - толщина...
Устройство для измерения распределения температуры поверхности
Номер патента: 789691
Опубликовано: 23.12.1980
Авторы: Варикаш, Карпов, Полонин, Синяев
МПК: G01J 5/44
Метки: поверхности, распределения, температуры
...светоделитель 7, опорное зеркало 8, линза 9, голограмма10 термоупругого элемента, поворотноезеркало 11 и линза 12, 23Рассмотрим основные функции, выполняемые каждым из структурных элементов устройства.Оптическая система 1 представляетсобой линзу, пРозрачную для инфракрасного излучения. Она собирает это излучение от поверхности объекта,Термоупругий элемент 2 установленв Фокусе системы 1 и представляет собой тонкую, порядка 1 мм, сегнетозлектрическую пластину с мелкодоменнойструктурой. Домены имеют размер порядка десятых долей мм и обладают большой подвижностью друг относительнодруга.Термокамера 3 позволяет поддерживать стабильной температуру, равную.температуре Кюри (температура Фазового перехода сегнетоэлектрика), в которой подвижность...
Сегнетокерамический материал с высокой диэлектрической проницаемостью
Номер патента: 654581
Опубликовано: 30.03.1979
Авторы: Варикаш, Мяльдун
МПК: C04B 35/468, H01G 4/12
Метки: высокой, диэлектрической, материал, проницаемостью, сегнетокерамический
...описываемого материала приготавливают смесь компонентов в необходимых соотношениях изпредварительно синтезированных спеков ВаТ 1 ОЭ, Ваго э и МдНЬ ОСмесь спеков измельчают до удельной поверхности 5 - 7 10 3 см /г, Полу 2ченную массу пластифицируют известными методами. Формуют в изделия ио,обжигают при температуре 1340-1370 Св течение 1,5-3 ч.Примеры конкретных составов предлагаемого материала и их свойства даны в таблице,Сегнетокерамический материал, имеющий состав, вес.Ъ: ВаТ 10 Э 85,Ва 1 гО э 14, Мо МЬ Ов 1, характеризуется следующимй свойствами:Диэлектрическая проницае-.мостьОтносительное изменение со 8 5 при температуре +85 С,Относительное изменение Епри температуре -40 С, Ъ 90й654 581 Относительное изменениереверсивной Я, Ъ 33 О,...