Сегнетокерамический материал с высокой диэлектрической проницаемостью
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик(51)М. Кл.2 С 04 В 35/00 с присоединением заявки Мо Государственный комитет СССР по делам изобре 1 ений и открнтийДата опубликования описания 30.03;79(54) СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ С ВЫСОКОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТЬЮ 1 О Изобретение относится к керамическим материалам, используемым вэлектронной технике для изготовления электрических конденсаторовпостоянной емкости.Известны сегнетокерамические материалы с высокой диэлектрической проницаемостью на основе титана бария,применяемые в производстве керамических конденсаторов 1),Однако такие материалы не обладают достаточно высокими значениями диэлектрической проницаемости,Наиболее близким к изобретениютехническим решением является материал Тна основе твердых раст -воров ВаТ 10 э - Ва 2 гОэ )2).Недостатком данного материалаявляется невысокое значение диэлектрической проницаемости, которая находится в пределах 8000 в 140.Цель изобретения - повышениедиэлектрической проницаемости, удельного объемного электрического сопротивления, снижение диэлектрическихпотерьУкаэанная цель достигается тем,что сегнетокерамический материална основе твердых растворов ВаТ 10 эВа 1 го дополнительно содержит МнЦ 30 при следующем соотношении компонентов, вес,%:ВаТО э 83,2 - 90,6Ва 2 ГОэ 8 - 16МйЬ,О 6 0,8 - 1,4Для получения описываемого материала приготавливают смесь компонентов в необходимых соотношениях изпредварительно синтезированных спеков ВаТ 1 ОЭ, Ваго э и МдНЬ ОСмесь спеков измельчают до удельной поверхности 5 - 7 10 3 см /г, Полу 2ченную массу пластифицируют известными методами. Формуют в изделия ио,обжигают при температуре 1340-1370 Св течение 1,5-3 ч.Примеры конкретных составов предлагаемого материала и их свойства даны в таблице,Сегнетокерамический материал, имеющий состав, вес.Ъ: ВаТ 10 Э 85,Ва 1 гО э 14, Мо МЬ Ов 1, характеризуется следующимй свойствами:Диэлектрическая проницае-.мостьОтносительное изменение со 8 5 при температуре +85 С,Относительное изменение Епри температуре -40 С, Ъ 90й654 581 Относительное изменениереверсивной Я, Ъ 33 О, 007 0,002 Удельное объемное электрическое сопротивление,ГОм,м 7 10 52 7 4 10 6,0 5 10 6,3.Сегнетокерамический материал с высокой диэлектрической проницаемостью на основе твердых растворов Ват 1 О -ВаК 1.0 з, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости, удельного объемного электрического сопротивления, снижения диэлектрических потерь, он дополнительно соСоставитель Я.фельдманТехоев З.Фанта Корректор С.Шекмар Редактор Т.кузьмина Заказ 2302/214 Тираж 701 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035 Москва ЖРаушская наб. д.45Филиал ППП Патент, г.ужгород, ул.Проектная,4 Тангенс угла диэлектрических потерь при температуре 25+10 С, Ъ Тангенс угла диэлектрических потерь при температуре 853 С, % ЗлектричеСкйя прочность рМВ/м 5, 9 П редел проч нос т и при с т;1 -тическом изгибе, МПа Температурный коэффициент л 11 нейного расширения,1( С 1 О 8 Практическое применение предложенного материала позволит улучшить характеристики керамических конденсаторов сегнетоэлектрической группы,держит МдЙ 106 при следующем соотношении компонентов, вес. 3:Ват. О, 83,2 - 90, 6В а 11 О 8 - 16мир, 0,8 - 1,4Источники информации, принятые во внимание при экспертизе1, Патент США Р 3345189, кл. 106-39, 1969.2, Вопросы радиоэлектроники. Сер. 3, вып.5, 1962, с. 21-26
СмотретьЗаявка
2549221, 30.11.1977
ОРГАНИЗАЦИЯ ПЯ А-1695
МЯЛЬДУН ЗИГМУНД АЛЕКСАНДРОВИЧ, ВАРИКАШ ВИКЕНТИЙ МИХАЙЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: C04B 35/468, H01G 4/12
Метки: высокой, диэлектрической, материал, проницаемостью, сегнетокерамический
Опубликовано: 30.03.1979
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-654581-segnetokeramicheskijj-material-s-vysokojj-diehlektricheskojj-pronicaemostyu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Сегнетокерамический материал с высокой диэлектрической проницаемостью</a>
Состав шихты для изготовления ке-рамического материала c высокой диэлектрической проницаемостью
Номер патента: 810643
Опубликовано: 07.03.1981
Авторы: Аборинская, Бертош, Бутянова, Дорохова, Жуковский, Ларичева, Мартыненко, Марчук, Палейко, Ротенберг
МПК: C04B 35/49
Метки: высокой, диэлектрической, ке-рамического, проницаемостью, состав, шихты
...снижение диэлектрических потерь.Указанная цель-достигается тем, что состав шихты для изготовления керамического материала с высокой диэлектрической проницаемостью, содержащей В аТ 1 Оа и СаУгОа, дополнительно содержит ХдгОз, КЬгО ХпО и МпСОа при следующем соотношении компонентов, вес. %:ВаТ 10 а 87,7 - 90,0 СаХгОа 7,5 - 8,0 11 4 О, 0,8 в 1,50,25 - 0,6ХпО 1,4 - 2,0 МпСО, 0,05 - 0,2Для получения керамики предварительно синтезируемые ВаТ 1 О СаХгОа и остальные компоненты, взятые в заданном соотношении, перемешивают в вибромельнице в течение 1 - 2 час. К полученному тонкоизмельченному (до ) 5000 смг/г) материалу добавляют технологическую связку и формуют заготовки конденсаторов, которые обжигают при 1320 - 1370 С в течение 2 - 5...
Способ изготовления пористого материала— пеноситалла на основе шлака; ifr4tls. -; -ьле10те: ; .
Номер патента: 166470
Опубликовано: 01.01.1964
Авторы: Барсуков, Бойко, Бондарев, Китайгородский, Колесов, Лазоренко, Минин, Порвенков
МПК: C04B 38/08
Метки: ifr4tls, основе, пеноситалла, пористого, шлака, ьле10те
...огненно-жидкие шлаки перемешиваются с добавками, и вся масса поступает в большую печь 1, где заканчивается процесс варки, осветления и гомогенизации стекла.Прокатная машина 2 формует стекло в ленту толщиной 3 - 5 мм, которая охлаждается в коротком лере 8. Стекло превращают в ленту для облегчения процесса дробления. Гранулирование стекла в порошок недопустимо.В валковом приспособлении 4 лента стекла разламывается на небольшие куски, которые собираются в бункере. Установка Б для дробления стекла, состоящая из нескольких валковых мельниц тонкого помола, рассчитана на получение стекольного порошка смеси фракций с размером частиц от 1,0 мм и меньше. Измельченное в порошок стекло собирается в бункере 6 с дозатором.Вспенив атель-кристалл...
Устройство для нанесения вязкого материала на армирующую основу
Номер патента: 895533
Опубликовано: 07.01.1982
Авторы: Бондарь, Клычков, Лопатин, Ляшенко, Омельченко, Яковлев
МПК: B05C 5/02
Метки: армирующую, вязкого, нанесения, основу
...6 с приводом 7, рдзравнцваюцего узла, состоящего цз пластины 8 ц обесщ печивающей ее плотное прилегание к поверхности вязкого материала пружины с), лотков 10. замкнутого транспортера 11, приводного двигателя транспортера 12, устацовлец895533 Формула изобретения Сос авитель С. Леонтьеваед А. Боййас Коррж 72нного комитета СССРений и открытийРаушская наб., д. 4Ужгород, ул. Проектна Редактор Л. Ут Заказ 11546/12 ВНор Н. СтеПодписное хина Техр Тира осу дарстве м изобрет ва, Ж - 35, атент, г. ИПИо делМосПП130 иал с гсс ременной передачей 13ппг ролика 14 с пружинным устси ио.ийство работает следующим обраи ,.слс загрузки магнитодиэлектрическо;с 1 ицества в приемный бункер 1 устанав, .и;и гс я необходимые частота вибрации с гп 5...
Способ автоматического регулирования температуры материала в сушильной камере
Номер патента: 186334
Опубликовано: 01.01.1966
Авторы: Верхорубов, Рывкина, Фридман
МПК: F26B 25/22, G05D 23/30
Метки: камере, сушильной, температуры
...на статический регулятор, управляющий клапаном на байпасной линии теплообменника, так и на изодромный корректор, изменяющий уставку регулятора уровня теплообменника с. воздействием на клапан слива конденсата.Предложенный способ повышает экономичность работы теплообменника и точность регулирования температуры в сушильной камере.На чертеже представлена схема автоматического регулирования температуры по описанному способу.Импульс по измеряемой датчикомтемпературе подают на статический регулятор 2 и изодромный корректор 3. Статически тор управляет клапаном 4 на байпа нии теплообменника, а изодромный к изменяет уставку регулятора 5 уров 5 лообменнике б. Датчиком регулятордифманометр 7. Регулятор уровня у клапаном 8 на линии слива конденсат...
Устройство для автоматического контроля температуры материала во вращающейся печи
Номер патента: 263314
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Государственный, Карачевцев, Научно, Рассоха, Тютюник, Уманский, Фиготин
МПК: G05D 23/22
Метки: вращающейся, печи, температуры
...перемещать по рычагу 13 и фиксировать болтовым соединениеь 1/, В стопорном диске ихте 50 тс 5 гнезда 18 и 19 для установки в них фиксатора 20, жестко связанного с якорем электромагнита 21. Для отжатия фиксатора в гнезда д 5 ска служит прул(на 22.Работаег устройство следующим образом.При вращении печи 1 по часовой стрелке оожигаемый материал 3, скатываясь с футеровк 5, Р азызае Гс 5 внизу. В исходно.1 положении, показанном на чертеже, материал засыпается в карман 2. При повороте печи с карманом на угол естественного откоса обжигаемого материала с торца кармана осыпается лишний ма;сриал, ч клапан б, получив автоматически поданныц сигнал на включение электромагнита 21, закрывает кармаи.Закрьпие кармана осуществляется следующим образом.При...
Предыдущий патент: Шихта для изготовления сегнетокерамического материала
Следующий патент: Пьезоэлектрический керамический материал
Случайный патент: Способ определения температуры кюри ферромагнитных образцов