G01N — Исследование или анализ материалов путем определения их химических или физических свойств

Номер патента: 1317317

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Добрынько, Розенберг, Сызранцев, Удовикин

МПК: G01M 13/00, G01N 3/32

Метки: испытаний, стенд, усталостных

...в середине пазов 12 и довведения нагрузкивалы 3 и 4 остаются соосными. Если испытания проводятся при асимметричном режиме, то захваты 8 смещают в пазах 12 от их середины и фиксируют их в таком положении винтами 14. В этом случае довведения нагрузки валы 3 и 4 располагаются под некоторым углом другк другу, Затем с помощью механизма 5перемещения вводится необходимый изгибающий момент путем смещения конца вала 4 в ту или иную сторону (например, вниз к станине) на необходимую величину. При этом испытуемыеобразцы изгибаются. как это показанона фиг. 1. Затем включают привод 2, который приводит во вращение всю систему вместе с карданным шарниром, в результате чего образцы подвергаютсяциклическому нагружению изгибающим моментом по...

Номер патента: 1317318

Опубликовано: 15.06.1987

Автор: Лодус

МПК: G01N 3/34

Метки: группы, испытания, образцов, прочность

...12-14 в направляющих относительно своих начальных положений в соответствии с характеристиками жесткости упругой пластины 6 и образцов 8, 10 9, 10. Если жесткость пластины 6 выше суммарной изгибной жесткости образцов 8-10, то происходит изгиб образцов больший, чем изгиб упругой пластины 6. Если суммарная жесткость 15 образцов 8-10 выше жесткости пластины Ь, ее изгиб увеличивается, а изгиб образцов 8-10 уменьшается. При дальнейшем повороте колес 2-5 на 180 наступает новый пик нагружения образ цов 8-10, но упругий элемент (пластина 6) в этом нагружении не участвует, Нагружение образцов 8-10 происходит от взаимодействия толкателей 12, 13, 14, при этом деформация образцов 8-10 зависит от соотношения жесткостей самих образцов. Так, если...

Номер патента: 1317319

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Булыгина, Епишина, Налетов

МПК: G01N 3/40

Метки: твердости

...3 электромагнитного излучения. Через индентор 4 подводится электромагнитное излучение от источника 5 (не показан). Образец 1 и индентор 4 прозрачны для электромагнитного излучения, а слой 2 - непрозрачен.Способ реализуется следующим образомВдавливают под нагрузкой индентор 4 в образец 1, при этом защитная среда 2 выдавливается из образующегося на поверхности образца 1 отпечатка и он начинает служить диафрагмой для электромагнитного излучения, которое проходит через инден 2тор 4, отпечаток и образец 1 на приемник 3. Последний измеряет интенсивность электромагнитного излучения,зависящую от площади отпечатка.5 Данные с приемника 3 обрабатываются и по ним определяется твердостьобразца. После этого нагрузку с индентора снимают. Формула...

Номер патента: 1317320

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Дворов, Соколов, Черемисин

МПК: G01N 3/58

Метки: инструмента, испытания, образец, режущего, стойкости

...брусков образуют линию стыка 4. Величину С брусков выбирают исходя из жесткости системы СПИД.Бруски 2 и 3 устанавливают по высоте Ь так, чтобы поверхности 5 располагались в одной плоскости, На каждом из стыкующихся торцов брусков по их линии стька 4 выполняют цилиндрические выемки, образующие отверстие 6 диаметром В, равным диаметру П .испытываемого инструмента,Затем осуществляют сдвиг брусков навстречу друг к другу по стрелке М на величину ш, которую выбирают равной величине припуска под обработку К, в результате чего образуется обрабатываемое отверстие 7, состоящее из двух полуцилиндрических частей 8 и 9 отверстия (фиг. 3). После этого осуществляют первый проход испытывае мым инструментом.После первого прохода каждый последующий...

Номер патента: 1317321

Опубликовано: 15.06.1987

Автор: Гребенник

МПК: G01N 11/00

Метки: металлов, расплавов, растекаемости

...- сплав серебро-галлий),Способ реализуется следующим обнение ширины растекшейся полосы в разных точках г, включая 0 и Е (фиг. 1), соответствующие разным толщинам 9(к) металлизирующей пленки, строят графики х=1(9) для всех полос с различными толщинами Ь,.По графикам определяют оптимальНые условия растекаемости - толщину металлизирующей пленки % металла и толщину Ь, растекающейся полосы (фиг. 1), которым соответствует максимальное растекание х, (фиг.2).При конкретной реализации разработанного способа контроля растекаемости в.тонкопленочной системе жидкий галлий - сплав АяСа.На поверхность тонкой пленки сплава переменной толщины, изменяющейся в пределах 10-50 нм, наносили через щели шириной х,=0,03 см полосы галлия длиной 1,=8 см разной...

Номер патента: 1317322

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Гладченко, Голубков, Петренко

МПК: G01N 11/14

Метки: вискозиметр, действия, непрерывного

...которого поступает в рабочий канал 3, где разделяется ка два потока, движущихся во взаимно противоположных направлениях в зазорах, образуемых втулками 4 и 5 и коаксиально установленном в них с помощью колец 6 и 7 чувствительным элементом 8. После этогорасплав выходит из вискозиметра по капиллярам 9 и 10. Разность осевых усилий, действующих на элемент 8, из меряется и Фиксируется с помощью силоизмерительной системы, Расход рабочей среды определяется взвешиванием порции экструдата, наработанной между фиксированными моментами времени, Для измерения вязкости в условиях сложно- напряженного состояния элемент 8 приводится во вращение приводом 14 через муфту 15. Термостатирование вискозиметра осуществляется теплоизоляционными экранами 17....

Номер патента: 1317323

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Капитанов, Катков, Кривулев, Петров, Смородинов

МПК: G01N 11/14

Метки: эластовискозиметр

...с зондом 3, равна нулю в каждый момент времени (независимо от изме нения вязкоупругой силы сопротивления вещества) . Следовательно, выходной сигнал усилителя 8 пропорционален вяэкоупругому моменту силы сопротивления вещества относительно оси 25 штока с зондом 3. При гармонической деформации вещества с линейными реологическими характеристиками вязко- упругий момент силы сопротивления вещества и выходной сигнал усилителя 30 8 будут иметь синусоидальный характер с частотой, равной частоте задающих колебаний. На входы перемножителя 11 поступают сигналы с выхода усилителя 8 и первого выхода синхронного гене ратора 5 гармоник, а на входы пере- множителя 12 поступают сигналы с выхода фазовращателя 9 на 11/2 и второго выхода синхронного...

Номер патента: 1317324

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Лавцевич, Стефанюк

МПК: G01N 15/02

Метки: диаметра, пульпы, среднего, твердой, угольной, фазы, частиц

...из изоляци- Ю онного материала, в течение 5-10 мин. Затем производят замер электрических сопротивлений между одной парой электродов в слое твердого осадка пульпы К и между второй парой элект.иродов в жидкости над твердым осадком Кна двух расстояниях между электродами Ьи Ь(ЬЬ 8 О, Ь= 0,8 м), причем электроды расположены в горизонтальной плоскости. 20Приведенную консистенцию осадка определяют по формуле К = (К/К) Ь/(К/К) Ь25 где К- сопротивление твердогоосадка пульпы, Ом,К - сопротивление жидкости нацосадком, Ом;Ьо и Ь 8,- расстояние между электрода- Зоми 9 Ьи (с ЬвоПо приведенной консистенции осадка определяют средний диаметр частицтвердого осадка пульпы:С = а/К - Ь 2 мм, 35где а - коэффициент метрического соответствия, мм,По...

Номер патента: 1317325

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Лядов, Шарков

МПК: G01N 15/02

Метки: гранулометрического, пульпы, регистрации, состава

...микрометрический щуп 1, который жестко связан с рамкой 2 и плунжером датчика 3 перемещенийВнутри рамки 2 расположен программный кулачок 4, сидящий на валу приводного электродвигателя (не показан). Верхняя часть рамки 2 образована шарнирной консолью 5, на свободном конце которой укреплен сердечник пускового генератора 6. Бе личина свободного хода консоли 5 ограничена регулируемым упором 7, выполненным с возможностью осевого перемещения. Датчик 3 перемещений электрически связан с измерительной схемой регистрирующего прибора 8, управляющий вход которого через схему 9 управления соединен с пусковым генератором 6. Второй упор 0 выполнен в виде отверстия, в которое 30 пропущен свободный конец консоли. Устройство работает следующим...

Номер патента: 1317326

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Балтренас, Вабалас

МПК: G01N 15/02

Метки: концентрации, пыли

...Взадающий колебательный контур измерительного генератора 13 включен пьезоэлектрический датчик 2, расположенный в другой камере газоионизирующего приспособления 1. Частота измерительного генератора 13 умножается вумножителе 19 частоты. Измерительныйгенератор 12 по частоте настроен так 1 что при отсутствии пыли между обкладками емкостного датчика 4 она равначастоте с выхода умножителя 19 частоты, При попадании пыпи меняютсяпараметры емкостного датчика и частота генератора 12, поэтому появляется сигнал на выходе преобразователя17 частоты, представляющего собойформирователь разностной частоты -частотный детектор, частота которогопропорциональна диэлектрической проницаемости и, соответственно, концентрации пыли. На выходе частотного 2"...

Номер патента: 1317327

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Баев, Квеско, Пачин, Танков, Ходаков

МПК: G01N 15/04

Метки: седиментометр

...функцию накопления осадка во времени. 1 ил.1317327 2сионной жидкостью вводят исследуемый ш- порошок, который, оседая на весовуючашечку, деформирует шпиц. По величине деформации шпица находят функ 5 цию накопления осадка частиц во времени. ВНИИПИ Заказ 2415/38 Тираж 776 Подписное Произв.-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к технике .определения дисперсного состава поро ков методом жидкостной седиментации и может быть использовано в химической и других отраслях промышленностиЦель изобретения - повышение точности измерений путем исключения влияния сил поверхностного натяжения на .границе раздела сред.На чертеже изображена схема седиментометра.Седиментометр содержит сосуд 1 Ь-образной формы с дисперсионной...

Номер патента: 1317328

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Гунин, Кореньков, Удалова

МПК: G01N 15/06

Метки: концентрации, суспензии

...а затем с суспензией с последующим расчетом концентрации, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения точности измерения путем интенсификации удаления газовых пузырей, перед взвешиванием пикнометра с суспензией, пробу суспензии объемом в 1,1-1,2 раза большим объема пикнометра, помещают в колбу, герметично закрывают ее горловиной пикнометра, ва" куумируют при вакууме 400-500 мм рт. ст. в течение 10-15 мин, взбалтывают, переворачивают на 180, после чего снимают колбу с пикнометра, концентрацию суспензии рассчитывают по фор- муле Ятв Рвс = ----- (1- -- )100 ЖЯтв -Я в Рс1где о и р,плотность твердоговещества и воды;масса водымасса суспенэии. Рв Рс 1 1317328Изобретение относится к областиопределения концентрации суспензий,содержащих,...

Номер патента: 1317329

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Вольчев, Манукян, Олейник, Стакян

МПК: G01N 17/00

Метки: испытания, коррозионных, средах, усталость

...13, .установленных на корпусе 2, и барашковых гаек 14, Прокладка 15 обеспечивает герметичность разъема камеры 1. На зажимных гайках 16 шпиндельных головок при помощи винтов 11 установлены конусные отражате ли 18 и прокладки 19, которые предотвращают попадание корроэионной жидкости в шпиндели 10 и 11 и остальные узлы испытательной машины.Подача коррозионной жидкости на испытуемый образец 7 осуществляется при пбмощи сопла 20, имеющего два фиксированных положения, производимых шариковым фиксатором 21. Для циркуляции коррозионной жидкости создана замкну-.50 тая система "камера-гидропривод" с регулируемой подачей (не показана).На корпусе 1 установлены неподвижные штанги 22, которые при помощи винтов 23 и коромысла 6 обеспечивают...

Номер патента: 1317330

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Горчакова, Макарова, Хостегян

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезионной, волоконных, образцов, прочности

...схем способа подготовки образца; на фиг,2 - схема испытания образца - разрыв,Способ осуществляют следующимобразом.В качестве материала подложки 2для испытания стеклянных волокон .1используют текстильный материал изволокнистой основы (например, стеклобумагу, представляющую собой хаоти-чески расположенную волокнистую основу из стекловолокон длиной 15-20 мми диаметром 10-30 мкм) .Подложки разрезают на образцыразмером 10 х 10 мм и толщиной 0,1 -1,0 мм и укладывают в гнезда стойки 3, изготовленной из асбоцементаили другого термостойкого теплоизоляционного материалаВ каждый канал стойки 3 через волокнистую основу 1. прокалыванием устанавливают испытываемое волокно 2 диаметром 30-100 мкм, Вокруг выступающего верхнего конца волокна на...

Номер патента: 1317331

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Агеев, Веретельник, Лисицын, Парфенюк, Черемных

МПК: G01N 19/04

Метки: мелкодисперсного, прочности

...следующим об,разом.1 З 173 где М На платформе 7 размещают прокладку 16 из антифрикционного материала и устанавливают платформу 7 в верхнее положение относительно основания 1. На прокладку 16 устанавли вают части 3 и 4 формы и центрируют их в конической проточке 22 платформы 7 и охватывающем кольце 6 с помощью прижимных винтов 21. Приподнимают плиту 10 с подвешенными на ней 10 на гибких нитях 8 и 9 частями 3 и 4 формы регулировочным винтом 20 на высоту от 0,5 до 1 мм от поверхности прокладки 16 и устанавливают показание силоизмерителя 11 в нулевое по ложение. В полость частей 3 и 4 формы засыпают испытуемый мелкодисперсный материал 23, опускают на его поверхность поршень 12 с заданной величиной грузов 13 и уплотняют матери ал 23. При этом...

Номер патента: 1317332

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Багимов, Погребной, Самодуров

МПК: G01N 21/03

Метки: гидрофизических, границе, двух, жидкостей, исследований, кювета, раздела

...сквозной паз в четвертой боковой стенке кюветы и состоит из двух тонких жестких пластин 5, обтянутых одной общей гибкой оболочкой 6, уложенной сверху и снизу пластин, а также между ними в виде петли, Концы оболочки выводятся наружу и закрепляются на боковой стенке корпу р са по обе стороны сквозного паза, чем обеспечивается герметизация. Общая длина гибкой оболочки для удобства эксплуатации превьппает четыре длины жестких пластин, при этом пет ля оболочки в исходном (закрытом) состоянии выведена наружу и имеет длину ъ 10-15 см. Толщина перегородки 3 в сборке не превьппает 1,5 мм. 2.Стенка корпуса, в которой выполГнен сквозной паз, имеет толщину 1620 мм для обеспечения постоянногоуплотнения составной перегородки 3,которая не выдвигается...

Номер патента: 1317333

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Ионов, Медовиков, Насонов, Панин

МПК: G01N 21/17

Метки: влажности, воздуха, интегральной

...Генератор1 через умножители 2 и 3 частоты соединен соответственно с модуляторами5 и 11. Одновременно выходы умножителей 2 и 3 соединены соответственно с первым и вторым входами смесителя 16, выход которого подключен ксигнальному входу измерителя 18 фазовых сдвигов. Приемник 6 по входу соединен с первым входом смесителя 17,второй вход которого подключен к выходу детектора 15, а выход соединенс опорным входом измерителя 18 Фазовых сдвигов.Устройство работает следующим образом,Отражатели 7 и 14 устанавливаютна равном расстоянии Ь от плоскостейантенных систем 9 и 13, При помощивлагомера измеряют влажность воздухау излучателей и отражателей. Так жеизмеряют температуру и рассчитываютсредние значения этих величин в пределах расстояния 1...

Номер патента: 1317334

Опубликовано: 15.06.1987

Автор: Медовиков

МПК: G01N 21/41

Метки: атмосферы, рефракции, угловой

...ц = соя (2 - Е) (3)При распространении в плоскослоистой среде, каковой является атмос 20Фера, т,е. испытав преломление на1-границах раздела слоев воздуха(фиг.1), имеем:А Е /Е= Г 1 соя (Е; - 2;)М:юУчитывая, что углы Е; близки между собой (4) можно разложить в ряд,ограничиваясь первым членом разложе.ния:30(5) получим:г= --1 п (е /е )11 Г 21 (Е Ею)2Е Е45ю иЭнергия электромагнитных волн приобработке сигналов преобразуется вэлектрические сигналы, поэтомуи - АВ) (7) 50 " 22 огде х, и- амплитуды электрических токов при вертикальной и горизонтальной поляризациях электромагнитной волны;Ею - зенитное расстояниеисточника излучения.Полученная Формула свидетельствует, что угол рефракции можно най 1317ти путем измерения и последующего сравнения...

Номер патента: 1317335

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Васильков, Кочуров, Сажаев

МПК: G01N 21/88

Метки: дефектоскоп, фотоэлектрический

...амплитуда электрического сигнала на входе светоприемника, как в обычных светоприемниках, а его частота, Пройдя буферный каскад 8, сигнал автогенератора, управляемого световым потоком, подается на умножитель девиации частоты (УД), который может состоять из нескольких последовательно соединенных ступеней умножения, где он усиливается в усилителе 9, проходит частотный дискриминатор 10, детектор 11, обрезается по уровню немодулированной его части опорным напряжением источника 12 и подается на варикап 13, управляющий частотой электронного автогенератора 14.Управляющее напряжение на варикапе пропорционально световому потоку и много вьппе управляющего напряжения на светочувствительном р-и-переходепервого автогенератора. Поэтому девиация...

Номер патента: 1317336

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Кокурин, Куликов, Марченко, Полунин, Смирнов, Сушков

МПК: G01N 21/88

Метки: датчик, процессе, разрушения, теплозащитного, толщины

...прозрачного световода, распространяется по нему (благодаря полным внутренним отражениям) и выходит из противоположного торца, Для уменьшения потерьсвета при внутренних отражениях световоды изготовляют иэ световедущейжилы с высоким показателем п преломления, окруженной изоляционной оболочкой с меньшим показателем по преломления, В таких световодах потерисвета на поверхности раздела стержня(жилы) и оболочки малы даже для лучей, претерпевающих тысячи отражений.С фотодиода снимается электрическийсигнал, время регистрации которогосоответствует уносу ТЗМ 8 на величи-,ну, равную разности между исходнойтолщиной ТЗМ 8 и координатой торцастержня, Стержень затем начинает разрушаться заподлицо с исследуемым ТЗМ8. Процессу разрушения ТЗМ 8 и датчика...

Номер патента: 1317337

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Гуния, Новиков

МПК: G01N 21/95

Метки: дефектов, поверхности, фотоэлектрическое

...его коэффициента отражения, воспринимается фотоприемником 3, преобразующим оптический сигнал в электрический. Электрический сигнал с Фотоприемника 3, содержащий полезные сигналы и шум, усиливается усилителемпреобразуется в однополярный сигнал выпрямителем 5 и поступает на вход первого ключа 6. При наличии на управляющем входе первого ключа 6 импульса разрешения интегрирования Т., (первый оборот изделия) первый ключ 6 открыт, сигнал И,. с выхода выпрямителя 5 поступает на первый вход ком 45 50 55 оборотов изделия.ЗО По заднему фронту импульса Т за 1317337мутатора 13 и вход компаратора 11. Компаратор 1 сравнивает текущую амплитуду электрического сигнала 1, со среднестатистическим уровнем шума 11 Ц, . т контролируемых изделий 2, который...

Номер патента: 1317338

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Волков, Донец, Скирда, Соболь, Суббота-Мельник, Шарапа

МПК: G01N 21/59

Метки: коэффициентов, оптических, пропускания, систем, спектральных, элементов

...и отражается от второго автоколлимационного зеркала 10, проходитсветоделитель 3 и поступает черезмонохроматор 13 на Аотоприемник 14.Блок 16 временного разделения лучей осуществляет поочередную подачу(на Аотоприемник 14) потоков излучения из измерительного и контрольногоканалов. Фотоприемник 14 вырабатывает периодическую последовательностьэлектрических сигналов, соответствующих монохроматизированным монохроматором 13 потокам излучения измерительного и контрольного каналов.Разделенные по временному признаку электрические сигналы с Фотоприемника 14 усиливаются усилителем 19,обрабатываются. раздельно демодуляторами 20 и 21, стробируемых сигналомс Аотодиода 25. Демодулятором 20 осу ществляется выделение и...

Номер патента: 1317339

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Аносов, Трухан

МПК: G01N 22/00

Метки: полупроводниковых, сопротивления, удельного

...14 видеодетектора б и источника 12 опорногонапряжения, Управляемый источник 10света (светодиод), включенный последовательно между выходом дифференциального усилителя 8 и регистратором11, освещает дополнительный полупровоцниковый образец 5, причем его световой поток пропорционален току дифференциального усилителя 8. Добротность измерительного резонатора 1 определяется при этом проводимостью исследуемого образца, дополнительногополупроводникового образца 5 и неравновесной проводимостью, возникающейпри освещении дополнительного полупровоцникового образца 5 при .освещении его от управляемого источника 10света, Величина добротности задаетсяисточником 12 опорного напряжения засчет, регулирования величины фотопотерь СВЧ-мощности в...

Номер патента: 1317340

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Гирнык, Огороднийчук, Чепорнюк, Черняев

МПК: G01N 22/04

Метки: влажности, измеритель

...Фазочастотной характеристики, который пропорционален добротности. Для этого генератор 6 настраивается в резонанс с резонатором 8 с помощью петли Фазовой автоподстройки частоты (ФАПЧ): с выходарезонатора 8 сдвинутый по фазе (сдвиг пропорционален взаимной расстройкерезонатора 8 и СВЧ-генератора 6) сигнал поступает на СВЧ-детектор 9, на другой вход которого поступает сигнал с направленного ответвителя 7,сдвинутый по частоте однополосным модулятором 14, вследствие чего на выходе СВЧ-детектора 9 появляется сигнал на частоте низкочастотного генератора 10 с Фазовым сдвигом, пропорциональным расстройке генератора 6 относительно резонатора 8. Указанный сигнал через. Фазовращатель 1 и ограничитель 2 поступает на вход Фазового детектора 3, на...

Номер патента: 1317341

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Кулиш, Мельникова, Мироненко, Петренко, Порошин, Утенкова

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометру, исследования, монокристаллов, приставка, рентгеновскому

...и механизма 11 радиального перемещения образец 1 юстируют для выведения плоскости среза и плоскостиотражения в соответствии с выбраннойметодикой исследования. Рентгеновскиелучи падают на образецчерез полуснерическую крынку 5 иэ бериллия, чтопозволяет ориентировать образецпод любым углом без изменения степени поглощения рентгеновских лучейкрышкой 5. Откачка воздуха или напус Окание любой газовой среды в замкнутый объем приставки осуществляютсячерез отверстие 7. Вакуум необходимдля уменьшения теплообмена между образцом 1 и окружающей средой, улучшения э 4 ективности и экономичности работы холодильных средств, устраненияобмерзания образца 1 и рассеяния рентгеновских лучей на воздухе вблизи от образца 1. Пропусканием тока в одном или другом...

Номер патента: 1317342

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Дегтярев, Никольский, Разумовский, Чернов

МПК: G01N 23/20

Метки: дифракционных, рентгеновских, топограмм

...Таким образом осуществляются сканирование кристалла в характеристическом рентгеновском излучении. Фокусировка отраженных лучейна пленке 4 происходит за счет вращения пленки со скоростями 2 ы и -ывокруг осей О и О ., Экранирующаящель 5 отслеживает дифрагированныйпучок, поскольку она совершает вращение в плоскости дифракции вокругоси О с удвоенной по отношению ккристаллу скоростью при одновременном вращении ее в противоположномнаправлении в той же плоскости вокруг оси, лежащей в плоскости щелии проходящей через ее середину, сугловой скоростью, равной скоростивращения кристалла. Из анализа рентгенооптических схем (Фиг,1 и 2) следует, что радиус К вращения щели 5 может быть определен по Формуле: отсчет против часовой стрелки, знак "+- по...

Номер патента: 1317343

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Румак, Сакун, Сапожников, Тишкевич, Утенкова

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, рентгенографического, текстуры

...Изобретение относится к рентгеновской аппаратуре и может быть использовано для дифрактометрического исследования текстуры поликристаллических материалов, металлов и сплавов методами построения полюсных фигур или сбора данных для расчета функций распределения ориентировок кристаллитов,Цель изобретения - расширение функциональных возможностей установки эа счет увеличения диапазона скоростей вращения образца.Поставленная цель достигается тем, что изменена конструкция держателя образца, к которой присоединен дополнительный двигатель, позволяющий независимо от работы других частей .установки обеспечивать широкий диапазон скоростей вращения образца. Стабильность результатов при получе,нии прямых полюсных фигур по сравнению с...

Номер патента: 1317344

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Гриншпан, Жбанков, Капуцкий, Липпмаа, Лущик, Пупко, Тээяэр

МПК: G01N 24/08

Метки: кристалличности, степени, целлюлозы

...сигналов от углеродного атомаС, находящегося в кристаллическихучастках целлюлозы (Х) в области88,7 - 89,3 м.д, и в аморфных участках (Т ) в области 82,7-83,9 м.д, Интенсивность сигналов от углеродногоатома С определяют по высоте пиков,так как сигналы от аморфных и кристаллических участков в областях.88,7-89,3 м,д. и 82,7-83,9 м.д. проявляются в виде двух отдельных полос,их перекрывание влияет практическитолько на погрешность предлагаемогоспособа.На чертеже изображен ЯМР "С спектр, 1, 40высокого разрешения в твердой Фазесульфатной целлюлозы.Степень кристалличности целлюлозыопределяют по Формуле11/1 й 32/12, 2И= -- = -- -=066,4 4Для данного образца супьфатнойцеллюлозы степень кристалличности составила 0,66. Степень кристалличности...

Номер патента: 1317345

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Александровский, Сильвестров, Ясин

МПК: G01N 25/16

Метки: деформаций, капиллярно-пористых, криофазы, образованием, обусловленных

...криофазы.Цель изобретения - повышение точности определения деформаций при снижении объема трудозатрат.Способ осуществляют следующим образом.Влажный гидроиэолированный образец исследуемого материала помещают в рабочий объем термостата, температуру воздушной среды которого меняют в широком диапазоне температур, Значение температуры задают по ступеням. На каждой ступени образец выдерживают до наступления состояния термодинамического равновесия, после чего фиксируют разность перемещений двух точек поверхности образца и одновременно на этом же образце производят регистрацию электрического параметра, опреде-ляющего фазовый состав поровой жидкости, например диэлектрической проницаемости или удельной производимости. Способ определения...

Номер патента: 1317346

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Воронов, Збродов, Изотов, Рохман

МПК: G01N 25/56

Метки: влажности, капиллярно-пористых

...от процентногосодержания, в них влаги.В известном способе измерение температуры сигнала отклика, пропорциональной влажности, в первой точке,удаленной на заданное расстояние отисточника нагрева (соответствуетточке а на кривой 1) производится вмомент времени СИзмерение температуры во второйточке (т.е. в точке ), расположенной на заданном расстоянии от первой, необходимо производить в моментвремени с + , где- время задержки распространения текущего значения теплового импульса в исследуемом материале. Определение точки Вна кривой 2 при известных способахконтроля влажности не представляетсявозможным, что и обуславливает погрешность 1 =Е(ч,1), имеющую сЛожную 5 10 М 5 20 25 ЗО 35 40 функциональную зависимость от тепло- физических свойств...