Патенты с меткой «кристалличности»

Номер патента: 114075

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Ляхов

МПК: G01J 1/10

Метки: излома, кристалличности, объективного, прибор, слитка, стального, степени, фотоэлектрический

...направлении,2. Форма выполнения прибора по п. 1, отличаю ща яся тем, что для уменьшения влияния общей освещенности образца, в качестве фиксированного направления выбрано направление, перпендикулярное (или близкое к нему) направлению лучей, падающих на поверхность излома.3. Форма выполнения прибора по п. 1, отл ич аю щ а яся тем, что для более объективной оценки кристалличности излома сравниваются суммарные интенсивности отражен- лого света от общей освещенности поверхности излома в фиксированном направлении с помощью линзы и от поверхности по всем возможным направлениям (от 0 до 360) с помощью поворотного стола и самопишущего или показывающего прибора.4. Форма выполнения прибора по пп. 1, 2 и 3, отличающаяся тем, что для...

Номер патента: 1317344

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Гриншпан, Жбанков, Капуцкий, Липпмаа, Лущик, Пупко, Тээяэр

МПК: G01N 24/08

Метки: кристалличности, степени, целлюлозы

...сигналов от углеродного атомаС, находящегося в кристаллическихучастках целлюлозы (Х) в области88,7 - 89,3 м.д, и в аморфных участках (Т ) в области 82,7-83,9 м.д, Интенсивность сигналов от углеродногоатома С определяют по высоте пиков,так как сигналы от аморфных и кристаллических участков в областях.88,7-89,3 м,д. и 82,7-83,9 м.д. проявляются в виде двух отдельных полос,их перекрывание влияет практическитолько на погрешность предлагаемогоспособа.На чертеже изображен ЯМР "С спектр, 1, 40высокого разрешения в твердой Фазесульфатной целлюлозы.Степень кристалличности целлюлозыопределяют по Формуле11/1 й 32/12, 2И= -- = -- -=066,4 4Для данного образца супьфатнойцеллюлозы степень кристалличности составила 0,66. Степень кристалличности...

Номер патента: 1733984

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Галакова, Левданский, Першукевич, Пикулик

МПК: G01N 21/64

Метки: кристалличности, полимера, степени

...между величинами максимумов интенсивности свечения кристаллической 1 кп, и аморфной 1 ап фаз минимальна, в частности оп - 1 ап=О, или что то же самое, 1 кв/1 ав =1, Затем для набора эталонных образцов с известной кристаллич- НОСтЬЮ, ВОЗбУжДаЕМЫХ На Ловозб., НаХОДЯт отношение интенсивностей спектров флуо 20 25 30 35 40 45 50 55 ресценции 1(Л 1,)/(1 ЛРа), регистрируемых на длинах волн Ук и ЛРа, выбираемых в пределах полос флуоресценции кристаллической и аморфной фаз полимера, Лрк и ЛРа могут соответствовать максимУмам полос (Л 1 оп, Лав) или, что предпочтительнее, внешним по отношению один к другому склонам спектра, где взаимное влияние полос меньше. По полученным данным строят калибровочный график, Для каждого вида технологических...

Номер патента: 1749800

Опубликовано: 23.07.1992

Автор: Грунин

МПК: G01N 24/08

Метки: кристалличности, степени, целлюлозы

...недостаточная точность.Цель изобретения - повышение экспрессности.Поставленная цель достигается тем, что исследуемый образец в течение 20 мин выдерживают в эксикаторе при относительной влажности воздуха 900, измеряют массу1749800 во Аэ воА 1+рв Аоо 30 во Аэ вэ Аоо во Аэ вэАоо40 Таблица 1 образца исследуемого материала и водного эталонйого, после чего-измеряют амплитуду медленно релаксирующей компоненты сигнала свободной индукции от исследуемого образца и амплитуду сигнала свободной индукции от водного эталона и по измеренным величинам определяют степень кристалличности по формуле где во - масса исследуемого образца;вэ - масса водного эталона;Аоо - амплитуда медленно релаксирующей компоненты сигнала свободной индукции от исследуемого...

Номер патента: 1762157

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Дмитриева, Корнилова, Латышева, Ратовский, Ченец

МПК: G01J 3/30, G01N 1/10

Метки: кристалличности, степени, цеолитов

...31 г(ТЕЛЫ(ай Г 10/1 ОСЫ Р 1545 СМ(гя;,г(г( Р( - ИЦТЕЦСИНОСТЬ МДКСИМДЛЫ(0- 30 3 а ЦРОП",С 1,ганИ)1 с)(ЭЛИТИ(ГЗСКОЙ 1 ПОЛОСЫ11(45 с;,.(Б 0лдст(1 800 - 700 см1)г:с Р( И(ТЕЦСИНОС;ТЕ РгЛЛ( И(г 1 ЭЛЫ(ОГОПРО(1 УСКс) НИЯ ЭДЛИТИЧЕСКОЙ ПОЛОСЫ Р 1 ПРИ 545 гм 1 г гог"Акс (СТ(,(-гК с. 2 г). ГДС; /г 2 " ЗЦЭ(ЕНИЕ ОПТИЧЕСКОЙ Г 1 ЛОТНОСТИ Г 10ласы 3 Нутццего с) дндарта (с(руктурцо неу/)ствитсльцОЙ) 3 (, -"(" -350 480 смг ггг( Р/ - , ИНТЕ)г 1 СИГ 3 гОСТЬ РЛДКС4 Д/(ЬНОгс 1(роускдия полосы внугрене(0 стан.пдртд 32 в области 230-250 см г )(гс 1"," - 1(НТЕЦСИБНОСТЬ МИЦ(г(РЛЭ/(ЬНОГО113)опускания полосы внутреннего стандартав Облсзсти 4 Ь 0"480 с(4А(торам ца известны технические решения, и/4 е(а(цие признаки сходные с отме(с)ц ными признаками и...