G01B 11/06 — для измерения толщины

Номер патента: 1567873

Опубликовано: 30.05.1990

Авторы: Байгильдин, Гавриленко, Гайнутдинов

МПК: G01B 11/06

Метки: многослойных, нанесении, оптических, подложку, покрытий, слоев, толщин

...иэ того, что матрица, являющаяся результатом произведения матриц, соответствующих четырем чередующимся слоям, при выборе длины волны излучения согласно (1) эквивалент на единичной матрице. Другими словами, пропускание системы слоев на длине волны, вычисленной по (1), не зависит от числа систем (ВН) или (НВ)2 нанесенных на подложку (В и Н - слои 45 с высоким и низким показателями преломления).Из (1) видно, что аргумент арксинуса не превышает единицу при любом Х. Таким образом, предлагаемый способ 50 позволяет использовать вещества с любыми показателями преломления.Длина волны Фк в зависимости от Х. системы;и - показатель преломления подложки; и - показатель преломоления исходной среды (воздух). Результаты для Х и 1/Х аналогичны.Видно, что...

Номер патента: 1569530

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Жижин, Хаммадов, Яковлев

МПК: G01B 11/06

Метки: диэлектрических, пленок, толщины, тонких

...пленка. Сущность способа заключается в том, что измеряемую пленку, нанесенную на подложку, прижимают к призме с зазором, величина которого близка к длине волны электромагнитного излучения, которое направляют на призму под различными углами, в условиях нарушенного полного внутрепнего отражения регистрируют спектр поглощения поверхностных поляритонов подложки и определяют гэлщину пленки по формуле й = 2 А Мз,гдег з Й - толщина пленки; д - ширина щели в энергетическом спектре поляритонов; Л - длина волны электромагнитного избужцений пленки и поверхностных поляритонов подложки.Сущность способа заключается в следующем.Измеряемую пленку, нанесенную на диэлектрическую подложку, прижимают к призме с зазором, величина которого близка к длине...

Номер патента: 1583736

Опубликовано: 07.08.1990

Автор: Трунов

МПК: G01B 11/06

Метки: заданной, пленки, толщины

...В процессе напыления этот коэффициент ступенчато уменьшаютчерез равные интервалы времени на постоянную величину, Определяют разность фаз пучков излучения, отраженного от обоих участков контрольного образца. Для этого пучок, отраженный От участка П 1, с по мощью светоделителя 5 направляют на фотоприемник 10, туда же направляют и пучок, Отраженный От участка П 2 с помощь)о зер кала 8 через светоделитель 5, При нулевой разностй фаз напыление прекращают, ПО )О параметрам осуществленной модуляции определяют показатель преломления пленки и соответствующую этому показателю Оптическую толщину пленки, По расчетным формулам определяют коэффициент модуляции 15 при напылении на кОнтрольный Об)азец и подложку, Осуьцествля)от напыление вещества НЯ...

Номер патента: 1583737

Опубликовано: 07.08.1990

Автор: Трунов

МПК: G01B 11/06

Метки: заданной, пленки, толщины

...модулированным потоком ВеществаОпределяют разность фаэ пучков излучения, отраженного от обоих участков контрольного образца Для этого пучок, отраженный от участка П 1, с помощью светоделителя 5 на" правляют на фотоприемник 10, туда же направляют и пучок, отраженный от. участка П 2, с помощью зеркала 8 через светоделитель 5. При нулевой разности фаз напылениепрекращают, по параметрам осуществленной модуляции определяют показатель преломления пленки и соответствующую этому показателю оптическую толщину пленки. По расчетным формулам определяют коэффициент модулирования принапылении на контрольный образец и подложку. Осуществляют напыление вещества на подложку и контрольный образец,имеющий два участка. С помощью светоделителей 2 и 3 и...

Номер патента: 1585669

Опубликовано: 15.08.1990

Авторы: Байгильдин, Гайнутдинов

МПК: G01B 11/06

Метки: многослойных, нанесении, оптических, подложку, покрытий, слоев, толщин

...отсюда получены формулы (3) и (4).Для второго слоя из (6) получаем формулу (2).Нанесение первого слоя прекращается по достижении им определенной величины, Очевидно, что наименьшаяошибка в толщине слоя получается когда нанесение слоя прекращается в точке перегиба, т.е. в точке, гдеДифференцируя дважды (5), получа-.ют формулу (1)Доказательство расширения диапазона показателей преломления наносимых слоев и подложки. Т = 3.+Б+Рф(5) Я ного Я 0 14 ---2Нанесение слоя прекращают по достижении потоком прошедшего (отраженного) излучения экстремального значения.При выполнении указанных условий оптическая толщина каждого слоя равна 0,25 ДЭто вытекает из следующих рассуждений: п ип - показатели преломления череП+ 1дующихся слоев.Поток пропущенного...

Номер патента: 1585670

Опубликовано: 15.08.1990

Авторы: Никонов, Хейфец

МПК: G01B 11/06

Метки: прозрачных, стенки, толщины, труб

...фотоприемньпг развертывающий блок 3, другая, отразившись от полупрозрачного зеркала 2, поступает на фотоприемный развертывающий блок 4, причем фотоприемные развертывающие блоки 3 и 4 расположены на различных расстояниях 1 =1+1 и 1 = 1 +1гот измеряемой трубы соответственно. Сигналы с электронных блоков 5 и 61обработки информации поступают в вычислительный блок 7, в котором производится операция вычисления толщиныстенки трубы по формуле: гд и Й- соответственно расстояния между световыми пуч 30ками, отраженными от поверхностей измеряемойстенки трубы, на фотоприемныхразвертывающихблоках 3 и 4; 35и - показатель преломленияматериала стенки трубы;При наличии клиповидности стенки, отраженные от ее внутренней и наружной поверхностей, пучки не...

Номер патента: 1596211

Опубликовано: 30.09.1990

Автор: Санников

МПК: G01B 11/06

Метки: объекта, расстояния

...излучения, Фотоэлектрический преобразователь, оптически связанный с объективом, привод перемещения объектива, индикатор положения, связанный с приводом перемещения объектива, блок обработки, вход которого подключен к выходу Фотоэлектрического преобразователя, а 5 1596211лучей на вторую грань призмы под углом, близким к углу полного внутреннего отражения, т.е. к углу Брюстера.Величина в два градуса огределяет,5диапазон измерения. При выполненииэтих условий пучок лучей будет вы ходить из призмы под углом к ее выходной грани меньше 15,Устройство работает следующим образом.Узкий пучок лучей источника 1 коллимированного излучения (Фиг. 1) направляется объективом 2 на поверхность контролируемого объекта 8 иотраженный от поверхности...

Номер патента: 1619015

Опубликовано: 07.01.1991

Авторы: Демченко, Окороков, Сазонов, Северцев, Швец

МПК: G01B 11/06

Метки: толщины

...соответствии с характеристикой 5 спектральной чувствительности светочувствительного сгноя фотоприемника у(Л), Таким образом, д ормируется спектральная полоса ре- гистрируемого светового потока в области края полосы 6 фундаментального поглощения контролируемого полупроводникового ,атериала (Л 1 - Л 2 ) .При изменении толщины контролируемого полупроводникового слоя 3 изменяется угол наклона Т(Л) по закону Бугера-Ламберта-Бэра, В соответствии с этим изменяется и сигнал, снимаемый с фотоприемника 2 и поступающий далее на средства регистрации и обработки сигнала фотоприемника 4.Повышение то юсти конроля является результатом широкополосности измеряемого оптического сигнала, связанного с контролируемой толщиноч полупроводникового слоя, т. е,...

Номер патента: 1627937

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Белый, Гришачев, Двойненко, Конончук, Танцюра

МПК: G01B 11/06, G01N 21/41

Метки: показателя, полимерах, преломления, толщины, трещин

...трещину излучения. Уст)до)яство для реализации способа содернит источник 1 оптического излучения, поляроцд 2, фокусирующую линзу 3, фотоириемцик 4, индикатор 5, гоциометрцческое устройство:6При этом источник излучения и регистрирующая часть (фокусирующая линза 3, фотоприемник 4 и индикатор 5) располагаются симметрично относительно направления приложения нагрузки (т,е, обеспечивается равенство углов падения и отражения от трещин, которые расположены перпендикулярно к направлению приложения нагрузки, Исследуемый образец 7 с трещинами облучают оптическим излучением 8 от источникапод различными углами падения на трещины в диапазоне 60-85"(что соответствует изменению угла падения на образец 5-50 о) и измеряют зависимость...

Номер патента: 1652813

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Антошко, Безродный, Подгорецкий

МПК: G01B 11/06

Метки: жидкости, пленки, толщины

...внут к источнику 3 оптическог ния и связанный с ним опсвязью. В точке касания ческого зонда 1 на ороша ности 4 установлен прием вод 5, связанный оптичес с фотоприемником 6, подкл к регистратору 8 через д рующий усилитель 7.Устройство работает сл образом,.Обруча Заказ 17 бб Тираж 394ВНИИ 11 И Государственного комитета по изобретениям113035, Москва, Ж, Раушская н одписноеоткрытикмл. 4/5 и 1 Ь Сроиэводстненно-издательский комбинат Патент , г.Ужгород, у ,г,)ра, 1) Излучение источника 3 поступает,в передающий световод 2, которыйрасположен в трубчатом зонде 1 иперемещается перпендикулярно контролируемой поверхности 4, При перемещении световода 2 в газовой среде до касания поверхности пленки 9происходят плавные изменения мощности,...

Номер патента: 1656318

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Гаражун, Жуков, Кучеренко, Московка, Шумихин

МПК: G01B 11/06

Метки: толщины, футеровки

...егоэападлицо с внутренней поверхностью тигля. Особенностью стержня 3 является то, что он изнашивается с футеровкой в одинаковой степени, так как его материал имеет равную с ней стойкость к воздействию продуктов плавки, После заполнения тигля расплавом 2 изображение излучающего торца стержня 3 фокусирует объектив 4 и проецирует на экран 5. Поэтому толщина футеровки соответствует длине стержня.Проецируя на экран 5 светящийся торец стержня 3 через поляризатор 7 в одном его положении, пропускающем обыкновенные лучи о, получают на экране 5 иэображение торца стержня 3, симметричное относительно оптической оси. 8 положении поляризатора 7, повернутом на 90 о, так что он пропускает необыкновенные лучи е, получают на экране 5 изображение...

Номер патента: 1657946

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Гукасов, Ильин

МПК: G01B 11/06, G02B 27/60

Метки: ионной, процесса

...обработки остается плоским.,Лругая поверхность 7 свидетеля 5 подверга 5 ется обработке одновременно с поверхностью детали, при этом часть поверхности 7 экранируют неконтактной пластиной 9, которую располагают на расстоянии 0,5-5,0 мм от поверхности 7 свидетеля 5 так, что кромка пластины 9 ориентирована параллельно ребру .клина свидетеля 5.В исходном состоянии афронт волны, отравленной от поверхности 7, тоже плоский, В процессе обработки на поверхности 7 Формируется ступенька, величина которой отражается на Форме волнового фронта и соответственно на наблюдаемой интерференционной картине. В поле зрения окуляра 8 происходит искривление полос равной толщины на величину И, пропорциональную глубине травления неэкрани ронанной части...

Номер патента: 1668858

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Батище, Кузьмук, Мостовников, Татур

МПК: G01B 11/06

Метки: пленок, толщины, тонких

...толщину пленки контролируемого объекта. 2 ил,ботающего в непрерывном режиме, например, Не-Ме лазер с длиной волны 632,8 нм, Отраженное излучение измерительного пучка с помощью линзы 1:регистрируется детектором Д, выходной сигнал которого пропорционален интенсивности отраженного излучения (фиг.2). Под действием импульсного излучения зондирующего пучка слой пленки проплавляется на некоторую глубину. При охлаждении расплавленный слой рекристаллизуется. По структуре рекристаллиэованный слой аналогичен слою до воздействия излучения зондирующего пучка за счет быстрого эпитаксиального роста от непроплавленного слоя пленки. По мере увеличения энергии зондирующего пучка глубина проплавления пленки всэрастает, и при некотором значении энергии,...

Номер патента: 1670384

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Адамян, Барсегян, Паносян, Чибухчян

МПК: G01B 11/06

Метки: диэлектрического, поверхности, полупроводника, слоя, толщины

...О =(1/2 а) п(ЙЙ 1 - 2 Й 1 1)Й 2/(Й - Й 1, где Й = (и - 1)/(п 11)2, Й 2 = (п 2 - п 1)/п 2п 1)1, определяют толщину б контролируемого диэлектрического слоя. 1 ил.С Облучают контролируемый образец пуч- О ком монохроматического света с длинойволны, для которой выполняется условие С) 1 а( 10 см,где а - коэффициент поглощения (р,) материала диэлектрического слоя, измеря- (ф ют интенсивность Й света, отраженного от ф поверхности диэлектрическо о слоя, коэффициент а поглощения, показатели п 1, п 2 преломления материалов диэлектрического слоя и полупроводника, соответственно, вычисляют коэффициенты Й 1 и Й 2 отражения от диэлектоического слоя и границы диэлектрик/полупроводник, соответственно с оомощью выражений1670384 и определяют...

Номер патента: 1670385

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Рыков, Харионовский

МПК: G01B 11/06

Метки: нанесенных, пленок, подложку, толщины, тонких

...значенияющих соседнимэксционной картины втре,Из формулы (1) следует, что в спектрах прозрачности при длинах волнЯох = , пч = 2, 4, 6 (2) наблюдаются максимумы, а при длинах волн4 п 1 л =4 пб%=1,3,5гпнаблюдаются минимумы.Если показатель преломления пЯ) зависит от длины волны, то из интерференционных полос нельзя определить толщину пленки, однако, часто можно считать пЯ ) = сопзс, тогда на основании длин волн Ат, и А - 1, соответствующих соседним экстремумам в спектре прозрачности, может быть определено произведение пб из равенства 4 пб в Ьл = (гп - 1 Яг - 1, откуда Способ осуществляют следующим образом. На тонкую стеклянную подложку размерами 10"0,5"0,2 мм с одной стороны в качестве непрочного слоя наносят тонкую алюминиевую...

Номер патента: 1675665

Опубликовано: 07.09.1991

Автор: Санников

МПК: G01B 11/06

Метки: объекта, расстояния

...угловое отклонение инфсрмдцианнсга пучка излучения ст базаеО- гс 5 а прдвлеия.;3 лектэический сигн 2 л с выхода преобразователя 3 поступает в блок 1 обработки, ко-арыЙ фармир.е-аравля- ющиЙ электрический сигнал и нап;.авляет ега нд вход привода 13 Привод 13 перемешает с бьектив 1 да сонме:.цения его факальной плоскости с поверхностью Обьектд 16 в5 10 15 20 25 ЗО 35 40 50 выходной грани призмы 8 пучок излучения 55 направляется на зеркало 6 и после отражения от него вновь падает на выходную грань призмы 8, на с углом, большим угла ,аБ полного внутреннего отражения, Поэтому на фотоприемник 5 излучение не прахоэтом случае угловое отклонение информационного пучка излучения становится равным нулю с выхода преобразователя 3 снимается "нулевой"...

Номер патента: 1679568

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Кобыляков, Костроменко, Лялько, Пластюк, Шелехов

МПК: G01B 11/06, H01L 21/02

Метки: напыления, пленок

...скорость движения свидетеля 5 с помощью регулятора 4 движения свидетеля, Оптимальной для проведения процесса измерения скоростью является такая скорость, при которой сигнал, регистрируемый усилителем 14 фотоприемника, является минимальным. После этого включается измерительная часть устройства, открывается подвижная заслонка кварцевого резонатора 2 и начинается процесс измерения толщины пленки. Иа кварцевом резонаторе 2 происходит рост пленки. В процессе осаждения пленки на кварцевом резонаторе 2 изменяется масса резонатора 2, возникает сдвиг резонансной частоты, который регистрируется измерителем 16 частоты кварцевого резонатора. Величина сдвига резонансной частоты передается измерителем 16 частоты на эадатчик 17 маркировочного...

Номер патента: 1682767

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Арнаутова, Ивонина, Ишутин

МПК: G01B 11/06

Метки: пленок, подложке, толщины

...в него люмогеном светло-желтым 564 К в концентрации 3 к сухому остатку. Для этого образцы из сплава Д 16 Т размером 50 х 50 х 2 мм, покрытые грунтовкой АК, взвешивают на весах и с помощью краскораспылителя покрывают составом ИВВСМ с введенным в него люмогеном. Причем покрытие составом осуществляют так, чтобы на каждом последующем нным данным строят калиброик (см. чертеж), из которого, иент яркости, можно опредепленки на микровосковой осной на грунтовку,о получей графкозффицолщинунанесен вочн зная лить ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛПЛЕНОК НА ПОДЛОЖКЕ(57) Изобретение относиной технике, а именно к Изобретение относится ной технике, а именно к защи от внешних воздействий факЦелью...

Номер патента: 1693371

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Москалев, Смирнова

МПК: G01B 11/06

Метки: интерференционный, объектов, плоскопараллельных, прозрачных, толщины

...с и Ь . Таким образом, перемещение зеркала интерферометра в воздушной ветви на величину Л = 1 до полногЬ наложения всех интерференционных полос в обеих интерференционных картинах позволяет непосредственно определить толщину т исследуемого образца,тСоставитель Б,ЕвстратовТехред М.Моргентал КоРРектоР М,шароши Редактор О.Головач Заказ 4067 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 Способ осуществляют следующим образом,Монохроматический пучок света полупрозрачным зеркалом 2 разделяется на два луча 3 и 4, при этом лу 3, дойдя до зеркала 7, возвращается и, отразившись от...

Номер патента: 1705700

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Александров, Кацнельсон

МПК: G01B 11/06

Метки: вакуумной, камере, многослойного, напыления, оптического, осаждением, пленок, покрытия, процессе, толщины

...дорожкой 3 модулятора 2, а излучение, прошедшее оптический канал сравнения - кодирующей дорожкой 4,Выделяемый блоком 32 монохроматизации поток излучения с длиной волны Ао подается в фотоприемную систему 33, которая содержит фотоприемник, например фотоэлектронный умножитель либо фоторезистор, усилитель, АЦП и временной селектор каналов (ВСК), Фотоэлектрический сигнал усиливается и после АЦП в цифровом виде поступает в ВСК, расположенный на выходе фотоприемной системы 33, Кроме того, на два управляющих входа ВСК подаются опорные сигналы с ГОН 5 и 6. Сигналы с ГОН 5 совпадают по фазе с сигналами, снимаемыми с фотоприемника при попадании на него лучистого потока. пропущенного образцом 22 с контролируемой пленкой. Сигналы с ГОН 6 фазированы...

Номер патента: 1714344

Опубликовано: 23.02.1992

Автор: Собашко

МПК: G01B 11/06

Метки: изделия, толщины

...в направлении хода лучей меньше сечения излучателя света. При этом линия, иэображения щели будет непрерывной. В 15 качестве фотоприемника целесообразно использовать серийные ПЗС мозаичного типа.При контроле древесностружечной плиты это может быть, например, ПЗС из 256 х 256 элементов, При этом дискретность д отсчета 20 будет достаточной для контроля древесностружечных плит; Ьц РВ АВ соз ф. ЕО, СО 25ЕО = А 101 = ОА 1 - ОО( = -Ь -- Ь =Г 1 Г 1 30 35АВ= В 02 - А 02; В 02=В 102 - В 1 В; В 102=В 101+0102;В 1 В - г тф;Вог - - Ь+Н-Ь-гщ Р= 40- Н-Мг 1 (г Г 9 Р)ЬА 02 0102 - 01 А; 0102=6-010Ь -- . (г 145--9 Р=г 1ф ЬГЫ-г 1- + АРАВ Н-й+ц( -- г 9 Рг-Ь+гг ( г+(9 Р)Таким образом. если Р Ф О,Ь-(Н - 2 Ь+гг ( - +(ЯР)+г 2 (7 - 9 Р)А 55х созР. Р) прибор...

Номер патента: 1728647

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Масловский, Собашко

МПК: G01B 11/06

Метки: листовых, толщины

...которых с помощью зеркал 6 и 7 повторно отражаются и образуют систему из трех параллельных пучков, причем образованные пучки не лежат в одной плоскости и направлены на одну иэ сторон контролируемого листового изделия. Световой пучок от источника 2 направлен на противоположную поверхность контролируемого изделия, В результате на одной поверхности контролируемого изделия формируются три светящие точки А, В, С, на противоположной поверхности - одна светящаяся точка А, соответствующие координатам пересечения осей световых пучков с указанными поверхностями,В каждом из фотоприемников 8 - 11 с помощью объектива 15 изображение соответствующей светящейся точки проектируется на один из фотоэлементов линейчатого фотоприемника, отражая координаты...

Номер патента: 1728648

Опубликовано: 23.04.1992

Автор: Стринадко

МПК: G01B 11/06

Метки: слоев, толщины, тонких

...временного сдвига Ь получим 10 21Ь= - п 3 - п з 1 п а, (7)ггде 1 - толщина пленки (слоя);с - скорость света в вакууме.Составим систему для двух углов паде ния а 1 иаг 2 т ц= -(8) где пс - показатель пр щей среды, в которой и ния.Решение системы уравн 25 дит к результатуЬ 11 С еломления окружаюроиэводятся измереия (8) привод,Ь п - Ь па ЗО пг=пТаким образом, зная временные задержки сигнала Ь 1 и Ьтгдлядвухугловоблучения а 1 и аг, а также показатель преломления окружающей среды пс. по формулам (9) находим толщину исследуемой пленки (слоя) и показатель преломления, Временная задержка Ь т определяется из диафрагмы (фиг,З) по экспериментально измеренной величине 4 О Ьм, определяющей частоту биений регистрируемого сигнала. На фиг.За...

Номер патента: 1737261

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Арешкин, Иванов, Федорцов, Федотова

МПК: G01B 11/06

Метки: бесконтактного, полупроводниковых, слоев, толщины, эпитаксиальных

...слое или в подложке вследствие различия их электрофизических свойств. Область генерации неравновесных носителей зависит от глубины проникновения инжектирующего излучения в структуру, т. е, от его длины волны. Снимают спектральную зависимость изменения интенсивности прошедшего через структуру или отраженного ею зондирующего излучения от длины волны дополнительногоизлучения, фиксируют длины волны1 определяющую спектральное положение перехода величины изменения интенсивности от значения, характерного для подложки, к значению, характерному для эпитаксиального слоя, и по заранее построенной градуировочной кривой определяют толщину эпитаксиального слоя И/.На фиг. 1 изображена эпитаксиальная структура; на фиг. 2 - зависимость...

Номер патента: 1742612

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Скрипаль, Тупикин, Усанов

МПК: G01B 11/06

Метки: пленки, толщины

...в интерференцианном профилографе белого света, заключающийся в построчном сканировании интерференционного паля, преобразовании интерференционной картины в фотоэлектрический сигнал, выделении в каждом периоде преобразования пика сигнала, связаннога с ахроматической полосой, формировании сигнала расстрайки, пропорционального разности длительноЬР ный способ не позволяет тонких пленок и не приний металлических плеЯь преломлеия подложки; авления переолос относи- в области =1 при несовщения и изгиенки, сслеения, тину, ерен- сстоСоставитель Н,Романов Редактор Е.Папи Техред М.Моргентал Корректор М.Шароши аказ 2276 Тираж ВНИИПИ Государственного комитета по изобр при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раущ Подписноеетениям и открытиямская наб., 4/5,...

Номер патента: 1746213

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Антонюк, Пищаль

МПК: G01B 11/06

Метки: нанесения, пленки, процессе, толщины

...поляризованное излучение, так как разность фаз Р- и Я-компонент отражен. ного излучения не равна гг (или О), причем степень эллиптичности и направление боль шой оси эглипса определяется оптической толщиной слоя вещества.Параметры эллиптической поляризации отраженноо излучения могут быть определены из уравнения, описывающего 4 О коэффициент отражения рлинейно поляризованного излучения длиной волны 1, падающего под углом р на слой вещества из окружающей средыг + е 2 е 2 фг1 + е е Г 01 РГ 12 р- 21 О 11 + е Г 01.Г 12,- 2 Ж - 2)ГГ 015 + Е Е Г 12 Эгде г 01 р и Г 12 р - коэффициенты отражения Френеля для Р-компоненты излучения, относящиеся соответственно к границам раздела между окружающей с редой и сг оем вещества и слоем вещества и...

Номер патента: 1746214

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Антонюк, Пищаль

МПК: G01B 11/06

Метки: нанесения, пленки, процессе, толщины

...преломления которого отличен от показателя преломления материала образца, а показатель поглощения близок к нулю, падающее линейно поляризованное монохроматическое излучение при отражении преобразуется в общем случае в эллиптически поляризованное излучение, так как разность фаз Р- и Б-компонент отраженного излучения не равна 2 г(или О), причем степень эллиптичности и направление большой оси эллипса определяется оптической толщиной слоя веществаПараметры эллиптической поляризации отраженного излучения могут быть определены из уравнения, описывающего относительный коэффициент отражения рлинейно поляризованного излучения длиной волныпадающего под углом о на слой вещества из окружающей средыГ 01 + Е Е Г 12 ТФ - 2 д 2 -1 + е с Г 01 Г 2 р...

Номер патента: 1746215

Опубликовано: 07.07.1992

Автор: Деливеров

МПК: G01B 11/06

Метки: объекта, плотности

...дублирующей всплески гармоники,Формирование электрического сигналавсплесков гармоник осуществляют, пропуская световой луч через газодинамический 5участок струи, и направляют световой потокна фотоэлемент, при этом по вибрации пикамгармоник амплитудно-частотной характеристики сигналов судят о частоте дискретныхструктурных колебаний, а их максимальную 1 Оинтенсивность определяют по максимальнойамплитуде пика, которую находят, перемещая фотоэлементы и световой луч в пределахтеневой проекции газодинамического участка струи, определяют дополнительно область 15расположения источника дискретного акустического излучения в струе.Для исключения перемещения фотоэлемента при нахождении частоты интенсивности максимальноо пика используют...

Номер патента: 1747877

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Торчинский, Федорцов, Чуркин

МПК: G01B 11/06

Метки: интерференционный, полупроводниковых, слоев, толщины

...всему спектру составляет от единиц до десятков минут. Это приводит к большой длительности процесса измерений и делает способ неприменимым при массовом контроле полупроводниковых слоев впроизводственных условиях.Цель изобретения - повышение производительности измерения.Поставленнаяцель достигается тем, чтона измеряемый слой направляют монохроматическое излучение, а затем регистрируют отраженное от слоя (или прошедшее через него) излучение и путем измерения угла падения излучения на измеряемый слой получают угловую зависимость интен. сивности отраженного слоем (или проведшего через него) излучения, а по угловому расстоянию между экстремумами полученной зависимости определяют толщину слоя,Согласно общей теории интерференциикоэффициент...

Номер патента: 1755040

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Глебов, Кабакова, Шендерович

МПК: G01B 11/06

Метки: интерференционного, многослойного, нанесении, неравнотолщинного, оптического, покрытия, толщины

...волны, вычисленной для 35 "йоследнего слоя по формуле, отличается отнуля или 180(вспедствйе некратноСти тол щин слоев); и это отличйе впйяет на реальную топщийу последнего слоя. Ошибка этаможет быть как угодно велика, 40В предложенном способе повышение- то асти контроля происходит за сет того,что при расчете контрольной длины волны всоответствии с соотношением аатоматически учитываются измейения фазы коэффициента отражения, вызванныенекратностью топщин слоев, Кроме того,повышению точностй контроля способствует автокомпенсация ошибок -на сбседнихслоях, которая отсутствует при контроле по 50" . способу, принятому за прототип.П р и м е р, Требуется получить интерференционный фильтр, имеющий полосупропускания 2,1-4,0 мм и полосу...