Способ определения толщины пленки

(5 5 чно-исследовательльнай аппаратуры и енньй университет пикин и А,В,СкриПрибор дл толщины и втаманак. -ЕНИЯ ТОЛЩИНЬ ится к контрольно и может бцть ис ля толщины тонкихне ет ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(71) Центральный науский институт измеритеСаратовский государствим, Н.Г,Чернцшевского(57) Изобретение атноизмерительной техникепальзавано для контра бретение относится к области и енционной микроскопии и мож пользовано для контроля толщины металлических пленок, в частности уемых в изделиях микроэлектрониестен способ измерения толщины в котором с помощью микроинтертра МИИв поле зрения окуляра ают две системы интерференционлос, измеряют расстояние между имиполосами и между соответствуполосами из систем интерференциполос и рассчитывают толщину нако с помощью этого способа возизмерять толщину лишь прозрачных в диапазоне 0,3-50 мкм,вестен также способ определения ц ферритавцх пленок путем апредеИза терфер быть ис тонких использ ки. Изв пленок фероме наблюд ных по саседн ющими онных пленок Од можно пленок Иэ тол щинметаллических пленок. Целью изобретения является повышение точности определения толщины металлической пленки; нанесенной на диэлектрическую подложку. Освещают контролируемую поверхность пучком излучения. Формируют интерференционную картину и определяют по ней величину изгиба полос на границе пленки и расстояние между полосами. После этого перемещают поверхность в направлении падения на нее пучка излучения, фиксируют направление перемещения интерференцианных полос и определяют направление их изгиба относительно системы интерференционных полос в области диэлектрической подложки, непокрытой металлической пленкой и па полученным данным рассчитывают толщину пленки, 1 ил. ления отражательной способности и изменения фазы при отражении с последующим расчетом, основанным на использовании теории слоистых сред, содержащих поглощающие элементы,Однако описанизмерять толщинуменим для измеренокИзвестен также способ измерения геометрических параметров поверхности в интерференцианном профилографе белого света, заключающийся в построчном сканировании интерференционного паля, преобразовании интерференционной картины в фотоэлектрический сигнал, выделении в каждом периоде преобразования пика сигнала, связаннога с ахроматической полосой, формировании сигнала расстрайки, пропорционального разности длительноЬР ный способ не позволяет тонких пленок и не приний металлических плеЯь преломлеия подложки; авления переолос относи- в области =1 при несовщения и изгиенки, сслеения, тину, ерен- сстоСоставитель Н,Романов Редактор Е.Папи Техред М.Моргентал Корректор М.Шароши аказ 2276 Тираж ВНИИПИ Государственного комитета по изобр при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раущ Подписноеетениям и открытиямская наб., 4/5, ул.Гагарина, 10 оизводстденно-издательский комбинат "Патент", г, У ционных полос относительно визирной линии, совмещают визирную линию с одной полосой из системы интерференционных полос, расположенной в области непокрытого металлической пленкой диэлектрического основания, определяют направление изгиба соответствующей полосы из системы полос, расположенной в области металлической пленки, в случае совпадения направления изгиба интерференционной полосы с первоначально фиксированным направлением перемещения задают в=О, в случае противоположного направления изгибаги=1.Искомое значение толщины металлической пленки определяют из уравнения г 12 + г 23 ехр 2 +оп,М,Л + Г 12 г 23 ехр 21 фР 7 где ф=2 лйЫЛ;1 и - и1г 23 =и+и11 - толщина металлической пленки;на волны;и лексный показатель преломления металлической пленки;и - показатель преломления подложки.Формула изобретения Способ определения толщины пл заключающийся в том, что освещают и дуемую поверхность пучком излуч формируют интерференционную кар измеряют величинулХ изгиба интерф ционных полос на границе пленки и ра яние Р между соседними интерференционными полосами и по полученным данным рассчитывают толщину пленки, о т л и ч а ю - щ и й с я тем, что, с целью повышения 5 точности определения толщины металлической пленки, нанесенной на диэлектриче. скую подложку, после измерения изгиба и частоты йггтарФеренционных полос перемещают исследуемую. поверхность в направ лении падения на. нее йучка излучения, фиксируют направление.перемещения системы интерференционнь 1 х полос и определяют направление их Изгиба относительно системы интерференцианв 1 х полос в обла сти диэлектрической подлоЖки, непокрытой металлической пленкой, а расчет толщины г 1 пленки осуществляют по формуле 0 где ф=2 лй ЬЯ;1 и иг 23 =- и+и 1А - длина волны излучени и - комплексный показат ния металлической пленки;и - показатель преломлен ги=О при совпадении напр мещения и изгиба системы тельно системы полос диэлектрической подложки; в падении направления переме ба системы полос.