Способ контроля процесса ионной обработки

.11 ф астисРЯР с Р ГС. ро" . я от г о граж ЧЦЯ, 11 С и -т ВЕТС Т ВРЦ лос равно орцопал иР Пс.)Р Ц 1 ЦсЗ РТ ЦС 1 й ТОПИ 1 Нс УР ьцую глубине ЦОй ЧСГЦ ПОВР рц,с ццц, 1 цро 11 Сс ЦЯ 1 С ЗК - тп с,11 Ц 1ленц ранрован оц тролирравна 1 деорыаци ны (в пол рхцо 11 тра"емая глубццаф( ф 2 п где 11 и интеререц осах); / - 1 п ТИЧРС КОГО И Лсс- ВР:11 Ч 11, О 1 О 1 К;РЦа во 1 Е 1 ЦЯ онохром показате детеля. ГЛС.11 Я Мс 1 ТЕ 1 алс 1 С 1 и цлид егис трируемс цтереренцоцо 1 1;Е нцк 1 мсЧРРЕз Рагрц зму 3 КЛЦЦОЦ 1- ТРсЗсЕсС ПУсК 1 тей с 1- че ОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(57) 1 зс 6 ретее отцосцтся к 1 змерцтельной технике и может быть использовано в технологии ионной ц Онов химической обра 6 откц магерало при производстве оптических дсгалей, эле - ментов полупроводниковой ьнкроэлектроники и интегральной сп с. 1(ель изобретения - поныление точности контроля. 10 троев производят В процессе ионной обработки контролируемой детали и свидетеля, ыполценного в виде клиновидной гастцны. 1 вправляют на свидетель пучок моцохроматического злуче 1 я, котор и", отражаясь Изобретение относится к измерив тельно технике и можег 6,т, спол зовано в технологии цоцой и цоццохимической обработки материалов при ПРОИЗВОДСТВЕ ОПТсЕСИХ ДС ТЛЕй, элементов полупроводник 1 ой микроэлектроники и интегральной оптикиЦель изобретен 1 - 1 овьпение точ ности контроля,На 111 г. 1 показана схема осущест вления способа контроля процесса ионной обработки; ца Ац - 5 орма выполнения свцдетс;я; а яг. 3 ЯО 1657946(51)5 (1 (1 1 11/Об Г 02 1 27 От ПОВЕрХНОСтЕй СидетЛя, О 6 раз интереренциоцну 1 картину линий нсй толщины. Часть поверхност с детеля, которая подвергается обр ке одновременно с поверхностью д экраццруют неконтактной пластино устанс 1 влеццой так, что кромка пл ць ориентирована параллсльс ре 6 клца свидетеля. 11 просссе абра кц ца поверхности кл; С ТУС.ЦЬК:1 ВС Л 1 Ч 11 а КОТ ца сорму волновогс ро ного от свидетеля цзлу артины.Контроль производят в процесоной обработк контролируемойали и свидетеля, выполнеццогклиновидной пластины. Источохроматического излученияиряюую трубку 2 Галилея,светоделитель 4 освеае 1ую пластину-свидетель 5, от поверхностей б, 7 свидетелярерируют и образуют линии ртолщины, которые н а блюда ютс яреэ светодетилеь 4 и окуляр 8. Отраженный от поверхности 6 свидетеля (Аиг. 2) волновой Фронт в процессе обработки остается плоским.,Лругая поверхность 7 свидетеля 5 подверга 5 ется обработке одновременно с поверхностью детали, при этом часть поверхности 7 экранируют неконтактной пластиной 9, которую располагают на расстоянии 0,5-5,0 мм от поверхности 7 свидетеля 5 так, что кромка пластины 9 ориентирована параллельно ребру .клина свидетеля 5.В исходном состоянии афронт волны, отравленной от поверхности 7, тоже плоский, В процессе обработки на поверхности 7 Формируется ступенька, величина которой отражается на Форме волнового фронта и соответственно на наблюдаемой интерференционной картине. В поле зрения окуляра 8 происходит искривление полос равной толщины на величину И, пропорциональную глубине травления неэкрани ронанной части поверхности 7 (фиг,З).Угол клина свидетеля рассчитываютпо формуле: где 8 - угол клина;Ь - глубина травления;а - ширина ионного пучка,Тогда глубина травления равна. где и - показатель преломления материала свидетеля:длина волны источника 1 излученияМ - величина деформации интерференционной картины (в полосах).Расстояние между пластиной 9 и свидетелем выбирается из условия получения плавного перехода между обработанной и необработанной частями поверхности 7, на которых видны полосы равной толщины вне границы проработки. 50 При этом площадь участка вне зонытравления должна составлять не менее1/3 площади поля зрения, Максимальноерасстояние выбирается таким, чтобыкартина на границе травления занималаплощадь не более 1/3 диаметра полязрения,1 Это связано с тем, что на расстоянии большем 5 мм граница проработки занимает все лоле зрения эа счет размывания границы вследствие залета ионов в область геометрической тени пластины 9. Так как контроль ведется по свидетелю, то предварительно находят коэАфициент соответствия скорости обработки материала обрабатываемой детали по отношению к материалу свидетеля. 1(оэйфициент соответствия варьируют в широких пределах, что позволяет с высокой точностью контролировать величину съема на детали от долей микрометра до нескольких десятков микрометров,Формула и эобретения Способ контроля процесса ионной обработки оптических поверхностей, заключающийся в том, что одновременно обрабатывают оптическую поверхность и одну иэ поверхностей свидетеля, экранируя часть поверхности свидетеля неконтактной пластиной, производят измерения оптического параметра свидетеля и по результатам измерений судят о величине травления оптической поверхности, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения точности контроля, выполняют свидетель в виде клиновидной пластины, неконтактную пластину располагают так, что ее кромка ориентирована параллельно ребру клина, производят интерАерометрические измерения на границе пластина - свидетель и судят о величине проработки оптической ловерхности по величине смещения полос равной толщины, 165794616579 6 Составитель С. Грачеведактор Е, Полионова Техред С.Мигунова Корректор Н. Ревс Производственно-издательский комбинат Патент", г. Ужгород, ул, Гаг арина,Заказ 2428ВНИИПИ Государственного113035,Тираж 396 Подписноемитета ло изобретениям и открытиям при ГКНТ СС сква, Ж, Раушская наб., д, 4/5