G01B 11/06 — для измерения толщины

Номер патента: 1312378

Опубликовано: 23.05.1987

Авторы: Гарифуллин, Горбатенко, Давлетбаева, Зайцев, Таймаров

МПК: G01B 11/06

Метки: покрытия, толщины

...углом 90 и160 - Еи Е , По измеренным зна 1гчениям Еи Естроится градуироцгванный график зависимости отношенияЕр /Е от толщины покрытия,гКонтролируемый объект 2 нагреваютдо температуры, лежащей в диапазоне130-430 С, в электропечи 1. От нагретого объекта поток инфракрасного излучения попадает на термостолбики 3и 4. В термостолбиках .потоки излучения Е и Е преобразуются в термоЭДС, значения которых регистрируютсяцифровым вольтметром 7. По отношениям интенсивностей потоков Е и Е1и по градуировочному графику определяют толщину покрытия исследуемогообразца.Выбор диапазона температуры нагрева объекта объясняется тем, что приотемпературе ниже 130 С интенсивностьизлучения покрытия становится соизмеримой с излучением от окружающихпредметов, а при...

Номер патента: 1320659

Опубликовано: 30.06.1987

Авторы: Аникин, Дерюгин, Осадчев, Половинкин, Семенов

МПК: G01B 11/06

Метки: волноводной, пленки, распределения, толщины

...пучок 2 света от моно- хроматического источника 1 направляют через призму 3 на границу раздела призма 3 - слой 4 связи под углом, большим критического угла полного внутреннего отражения (ПВО). Толщина слоя 4 связи достаточно мала для того, цтобы ПВО частично нарушилось и часть световой энергии проникла (туннелировала) в волноводную пленку 5, возбудив в ней поверхностную волну. При этом между показателями преломления диэлектрических сред 3 - 5 должно выполняться соотношение п 4( п( пз Так как параллельная пленке составляющая волнового вектора падающего луча в призме 3 и собственная постоянная распространения поверхностной волны достаточно близки, то это возбуждение носит резонансный характерр.Нерасходящийся пучок 2 направлен на...

Номер патента: 1322085

Опубликовано: 07.07.1987

Авторы: Ксиров, Самойленко, Смирнов, Тюякпаев

МПК: G01B 11/06

Метки: пленки, показателя, преломления, толщины

...с нормалью к ней в этом центреугол, равный углу Брюстера для этойпластинки при длине световой волныисточника 1, а плоскости, в которыхлежит этот перпендикуляр, и обе нормали ортогональны.Устройство работает следующим образом. 2Линейно поляризованный монохрома- тический световой поток от источника 1 излучения, распространяющийся перпендикулярно к оси вращения предмет. - ного столика 9, проходит на своем пути к этому столику через последова" тельно установленные модулятор 3 света, прозрачную пластинку 4, четверть- волновую Фазовую пластинку 2 и поляризатор 10. Прозрачная пластинка 4 ориентирована под углом 45 С к чет" вертьволновой Фазовой пластинке 2 и благодаря этому отражает часть падающего на нее света на Фотоэлемент 5, Фазовая...

Номер патента: 1322086

Опубликовано: 07.07.1987

Авторы: Леус, Шевелева

МПК: G01B 11/06

Метки: водоема, дистанционного, нефтяной, пленки, поверхности, толщины

...нефтяную пленку 4, след5 судна 3, по периферии которого находится нефтяная пленка 4, отрезок ОКмонотонного изменения толщины пленки6, расположенный перпендикулярно следу 5 судна 3, начало которого распо Оложено в центре следа, где еще существует чистая вода 7, а конец - запериферией пятна (следа) в областиневозмущенной неоднородной пленки,интерференционные полосы 8 равнойтолщины,Предлагаемый способ осуществляетсяследующим образом.Источником 1 излучения, напримерсолнцем, облучают нефтяную пленку 4. 40Спектрограф 2 устанавливают на бортусамолета (не показан), Судно 3 пересекает нефтяную пленку 4, образуяполосу чистой воды, по периферии которой находится нефтяная пленка 4. 45Ориентируют входную щель спектрографа2 вдоль отрезка,...

Номер патента: 1330459

Опубликовано: 15.08.1987

Автор: Кузнецов

МПК: G01B 11/06

Метки: доводки, кристаллических, пластин, процессе, толщины

...кристаллической пластины 5 (пластины вырезаны из однородного материала), то на первом этапе контроля пластины 5 и 23 ориентируют так, что взаимно параллельные плоскости поляризации поляризатора 4 и анализатора 9 составляют с главными сечениями кристаллических пластин 5 и 23 углы соответственно -45 и 0. В этом случае пластина 23 не участвует в образовании суммарного порядка интерференции, т.е. М =М . КомпенсатоЕром 6 дополняют дробную часть порядка интерференции пластины 5 до значения 0,25 или 0,75, при котором свет, вы- ходящий иэ компенсатора б, поляризован по кругу. Критерием этого является отсутствие составляющей сигнала с частотой 4 И, наблюдаемой на синхронном детекторе 19, При этом показание компенсатора б, предварительно...

Номер патента: 1346945

Опубликовано: 23.10.1987

Авторы: Александров, Кацнельсон

МПК: G01B 11/06

Метки: деталь, крупногабаритную, нанесения, оптическую, пленки, процессе, толщины

...Последняя имеет частоту, определяемую периодом вращения оптической детали 12.Переменная составляющая достигает минимального значения, когда на входную щель монохроматора 7 спроектировано изображение поверхности А детали 12. При этом исключается смещение пучка относительно входной щели монохроматора, в результате чего обеспечивается минимальная нестабильность отсчета и наибольшая чувствительность.:Подготовка устройства к нанесениюконтролируемой пленки осуществляется автоматически блоком 11 управленияи настройки, в который подается фотоэлектрический сигнал из приемно-регистрирующего блока 8. В блоке 11 управления вырабатывается сигнал напривод 10 перемещения каретки, обеспечивающий перемещение каретки 9 сугловым отражателем...

Номер патента: 1346946

Опубликовано: 23.10.1987

Авторы: Александров, Кацнельсон

МПК: G01B 11/06

Метки: деталь, крупногабаритную, нанесения, оптическую, пленки, процессе, толщины

...волны 3 . Ь связи с неизбежными биениями крупногабаритной 40 оптической детали 14 в процесее еевращения электрический сигнал, сни/Р - торцовое и радиальное биения детали 14 и,ее эксцентриситет соответственно.Устройство позволяет вести контроль по отражению толщины пленок в процессе нанесения различных типов, оптических покрытий осаждением в вакууме практически при всех условиях, которые необходимы для получения; крупногабаритных диэлектрических зеркал, свето- и спектроделителей и т.п. с требуемыми параметрами для любых областей спектра.Устройство может быть использовано также при нанесении покрытий на детали любых размеров.В предлагаемом устройстве оптические элементы, за исключением фотометз 134694маемый с ПРБ 10, содержит наряду...

Номер патента: 1348639

Опубликовано: 30.10.1987

Авторы: Линденбург, Никонов, Хейфец

МПК: G01B 11/06

Метки: прозрачных, стенок, толщины, труб

...диафрагмы 7, установленной в его задней фокальной плоскости, цилиндрического объектива 8, создающего увеличение в направлении, параллельном щели 3, измерительной щели 9, развертывающего элемента 10, конденсора 11, фотоприемника 12 и блока 13 обработки информации.Устройство работает следующим образом.Приемный объектив 6 изображает стенку контролируемой трубы 5 в плоскости измерительной щели 9. В результате отражения света от наружной и внутренней поверхностей трубы 5 образуются два отраженных световых пучка, в плоскости щели 9 - два изображения щели 3, расстояние между которыми пропорционально толщине стенки трубы 5. Установленный за измерительной щелью 9 развертывающий элемент формирует два коротких световых импульса, временной интервал...

Номер патента: 1350490

Опубликовано: 07.11.1987

Авторы: Лахтанов, Пиотровская, Чуров

МПК: G01B 11/06, G01N 21/55

Метки: водоемов, дистанционного, нефти, пленки, поверхности, толщины

...своей оптичес кой оси и фиксации в двух положениях, когда его плоскость пропускания параллельна и перпендикулярна плоскости пропускания поляризатора 2, электронный регистрирующий блок б и вынос0 ную стрелу 7, которая расположена в носовой части судна над невозмущенной судном водной поверхностью.Устройство работает следующим образом. 55Свет от источника 1 модулированного оптического излучения через поляризатор 2 направляют на чистую водную поверхность. С помощью первого фото В == - - ВУн У Е.н еуниПри В н = В в (т.е. при равенствеконцентраций взвешенных веществ вповерхностном слое воды на участкахводоема с чистой и контролируемойводной поверхностью) на поверхностиводоема находится толстая" пленканефти толщиной более 10 мкм. В этомслучае о...

Номер патента: 1352199

Опубликовано: 15.11.1987

Авторы: Валюс, Кеткович, Латухин, Масычев, Рябов

МПК: G01B 11/06

Метки: покрытия, толщины

...содержит источник 1 монохроматического излучения со встроеннымизмерителем мощности и расположенныепоследовательно по ходу излучения линзу 2,гибкий световод 3. и поляроид 4. По ходурассеянного от покрытия 5 излучения последовательно расположены линза 6, поляроид7, конический световод 8 и приемник 9излучения, электрически связанный с блоком10 обработки сигналов, который в свою оцередь связан с измерителем мощности истоцника 1 излучения.Оптическая система помегцена в корпус11, который имеет контактные ролики 12,окно 13. К корпусу 11 присоединен прижимной механизм - пружина 14,Способ осушествляется при помоши устройства следующим образом,Излучение от источника 1 линзой 2 вводится в гибкий световод 3, при выходе изкоторого линейно...

Номер патента: 1370451

Опубликовано: 30.01.1988

Авторы: Воробьев, Двойнишников, Стерин, Тельный

МПК: G01B 11/06

Метки: оптических, пленок, покрытий, толщины

...осуществляют следующим образом.Излучение от источника 1 формируется оптической системой 2 и,отразившись от плоского зеркала 3, направляется на внутреннюю поверхностьконтролируемой детали 4, на которуюнаносится покрытие. Благодаря установке плоского зеркала со стороныширокой части конуса (фиг. 2) подуглом к плоскости основания конуса,выбираемом из соотношения р 3 у= 45 4 где А - угол при вершине конуса, на расстоянии от центра зеркала 3 до плоскости основания конуса контролируемой детали 4, определяемом из соотношения1 о 3А =В сов ( 45 - 6 )2 где Э - диаметр зеркала, а расстояние в плоскости конуса от проекции центра зеркала,по образующей конуса находят из соотношения1 о 3П сов (45 -Р )2 428 р3оно, находясь за пределами внутреннего...

Номер патента: 1384940

Опубликовано: 30.03.1988

Авторы: Зуев, Скрябин

МПК: G01B 11/06

Метки: азотосодержащих, покрытий, толщины

...газообразного азота из покрытия его необходимо не просто разрушить, но и разложить как химическое соединение.Нижняя граница интервала плотности мощности определяет условия, при которых температурные покрытия достигают температуры разложения покрытия (в данном случае нитрида).Экспериментально были установлены зависимости величины аналитического сигнала азота от плотности мощности для покрытий различной толщины.Источником азота является лишь область покрытия, непосредственно подвергнутая лазерному нагреву, т.е. лежащая в зоне фокального пятна лазерного излучения.Зона имеет форму цилиндра, т.е.2(=Н.С4 и,где Я - количество выделившегося азота; до - диаметр фокального пятна; Н - толщина покрытия; С - концентрация азота в покрытии,так...

Номер патента: 1388709

Опубликовано: 15.04.1988

Автор: Трунов

МПК: G01B 11/06

Метки: пленки, толщины

...Толщина пленки на этой части образца будет составлять р Й, где Й - толщина пленки на участке, напыленном немодулированным потоком;р - коэффициент модуляции потока вещества, определяемый при помощи импульсного лазерного излучения. В процессе напыления освещают образец мо нохроматическим светом и измеряют интенсивности пучков, полученных при отражении или пропускании света от участков с толщинами й и рй. При этом значения интенсивностей этих 40 пучков будут определяться коэффициентами отражения или пропускания участков образца, связанными с толщиной пленки. Коэффициенты являются пе- риодическими Функциями толщины слоев, 45 осажденных на этих участках. До .напыления пленки задают необходимую контрольную толщину, по заданной толщине...

Номер патента: 1401267

Опубликовано: 07.06.1988

Авторы: Седов, Урывский, Чуриков

МПК: G01B 11/06

Метки: пленки, разнотолщинности

...через конденсбр 2, светофильтр 3, линейный поляризатор 4 и под определенным углом падает на исследуемую пленку 9. Отражаясь от исследуемой пленки 9, линейно поляризованный свет изменяет свои параметры и в общем случае превращается в эллиптически поляризованный свет, азимут которого отличается от азимута, падающего на пленку 9 линейно поляризованного света, проходит через фазовую пластину 5, анализатор 6 и светофильтр 7.Изменяют азимуты плоскостей пропускания поляризатора 4, анализатора 6, расположенных в падающем и отраженном свете при неизменном положении фазовой пластины 5, и получают минимальную (нулевую) интенсивность наблюдаемого глазом поляризованного света. Если пленка разнотолщинная, минимальная интенсивность достигается...

Номер патента: 1408209

Опубликовано: 07.07.1988

Авторы: Виноградова, Иванов

МПК: G01B 11/06

Метки: двулучепреломляющих, кристаллических, пластин, толщины

...регистрация спектра при ццорос О,сц(о из поляризаторов ца 90" отцосГель(ю первоначального положения. Те и. хицхх хОВ, соторые це изменили своего с ектрдльцсго юложения, принадлежат функциям1/.) Х ;)с,Ь(,)Их не уцитывают в расчетах. Тдхим образом по оставшимся мицимумдч мож(о судить о истинном пропуска:(ии с)испи.Используемая в способе форчу,д пГу- ча опытным путем. В основе ес.сжит известная формула с(=К/., где К црядк интерференции. Приравняв К= - 1,2, хдя изменение толщины пластиць ( Нри изхСцснии порядка интерференции цд 0,5:- -. Это есть требуемое изменение толццНЫ ПЛаетниы ПРИ СМЕЩСЦИИ Мси(СИ(ХХД СПСКГ Р с 1/1 1 Н 0 й Х Д Р с К Т С Р И ( Т И К1( 1 ВС,1 И Ч И 1 У, Р 3 В цую/2 щрядка интерференции. Определяя положение мини ума...

Номер патента: 1409862

Опубликовано: 15.07.1988

Автор: Михеев

МПК: G01B 11/06

Метки: нанесения, пленки, процессе, толщины

...поверхности наносимых пленок, что может привести к усложнению связи между интенсивностью прошедшего светового потока и толщиной пленок.)эИнтенсивность этой отражающей составляющей можно точно рассчитать суммированием интегральных выражений сложного вида, учитывающих многократ-. ные отражения и отражения от ряда соседних нитей. Но эту величину можно оценить по формуле учитывающей наиболее существенный вклад двухкратного отражения. Эта формула для сетки из линейных параллельных и лежащих в одной плоскости нитей имеет следующий вид-А и В ( +1 )(Ь. 1 с 1), (1)1где Г - интенсивность исходного светового потока; ь 1 - интенсивность отраженной фоновой составляющей". А - коэффициент учитываюцглй форму и расположение нитей",п - отношение...

Номер патента: 1411575

Опубликовано: 23.07.1988

Авторы: Набитович, Романюк

МПК: G01B 11/06

Метки: диэлектрических, неоднородности, пленок, толщины

...на границе пленка - окружающая среда. Составитель В.Бахтин Редактор И.Ыулла Техред Л,Олейник Корректор О,КравцоваЗаказ 3643/36 Тираж 630 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к контрольноизмерительной технике и может быть использовано для контроля однородности толщины прозрачных пленок наноУ 5 имых на прозрачную подложку с коэф-ициентом преломления, близким к коффициенту преломления пленкч.Целью изобретения является повышее точности контроля за счет увели ения контраста интерференционной артины.Способ осуществляется следующим бразом.Перед нанесением...

Номер патента: 1434242

Опубликовано: 30.10.1988

Автор: Старостенко

МПК: G01B 11/06

Метки: пленок, толщины

...максимума не станет равнойнулю. Толщину пленки вычисляют поФормуле:т 55сое (Ье+дЬ;-ДЕ) сов М(Ь о+ й Ьг -д )сое М - сое Чинтенсивность максимума дифракционной картины;номер максимума;интенсивность падающего света;ширина прозрачного участкадифракционной картины;период образованной элементами решетки;число штрихов решетки, и ош При условии еж-- =8 К интенсивйность второго максимума равна нулю,что выполняется при 2 йо= Й, т.е.когда непрозрачные промежутки равныЪпрозрачныма интенсивность третьегомаксимума равна нулю, когда. Зйо = йТак как подложки 4 и 5 находятся нарасстоянии друг от.друга,. а размерыпрозрачного участка решетки зависятот расстояния межДу подложками 4 и 5,период Й решетки постоянен, а соотношение прозрачных и...

Номер патента: 1441191

Опубликовано: 30.11.1988

Авторы: Ивашура, Коростелев, Попов, Пучинин

МПК: G01B 11/06

Метки: калориметрический, пластин, толщины

...х между датчиками 2,3 расстояниях между датчиком 2 и тепловым лучом 1 и толщина й пластины 4.Способ осуществляется следующим 20 образом.. Осуществляют нагрев поверхности пластины 4 коллимированным тепловым лучом 1 постоянной мощности, измеряют температуру с помощью двух датчиков 25 2,3, которые располагают в одной плоскости с тепловым лучом 1, так, чтобы расстояние между ними равнялось расстоянию от теплового лучадо ближайшего к нему датчика 2, пластину 4 перемещают с постоянной скоростью в направлении от датчиков 2,3 к лучу 1.В качестве коллимированного луча 1 используют лазерный луч. В качестве датчиков 2,3 используются бесконтактные датчики температуры, например радиометры с рабочим диапазоном Я 2- 20 мкм. Толщину й пластины...

Номер патента: 1455233

Опубликовано: 30.01.1989

Авторы: Бронштейн, Вдовенко, Галанин, Маслов

МПК: G01B 11/06

Метки: оптических, отбраковки, поверхностей

...элементо прошед в паро терилиз а рные спиралигуры, а длгидр оли ти ч ры не набл отсутствию с образныепрошедшихтакие фиг ежност контр италловых элементов путния на оптических поверхн личию или ных фигур элементов отбраковку ергшихс работке, хкольцеобр троль и оводят спир альных Способ о ществля азом 5 обраб от анньких элемен фоом Оптическиности оптичначенных длческий контнасыщенным поверхв, предназ на опти т ения пособ я и отбраковки опстей заключающийсяьно наблюдают контт анов тичес ве кт, обдувают одяным паро агреть том, ч визу раз(56) Справочник технолПод ред, И.Я.Бубиса иностроение, 1979, с. ных для установки их наконтактЦель изобретения - и к иэмерибыть испбльтки оптичеспр едназ начен 5о птич ескийвьппение наотбраковкеем...

Номер патента: 1465693

Опубликовано: 15.03.1989

Авторы: Глазиков, Гончаров, Круглов, Померанцев

МПК: G01B 11/06

Метки: валках, каландра, количества, резины

...а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения технологических возможностей, перед направлением излучения на валок удаляют резину с его участка, а излучение направляют со стороны валка, охватываемого резиной. Составитель В. БахтинРедактор Ю, Середа Техред Л.Сердюкова Корректор М. Пожо Тираж 683 Заказ 932/40 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г,Ужгород, ул. Гагарина,101 Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для контроля количества резины на валках каландра.Целью изобретения является расширение технологических. возможностей путем обеспечения возможности контроля в...

Номер патента: 1465694

Опубликовано: 15.03.1989

Авторы: Жердев, Каныгин, Каныгина, Киселев, Смажелюк, Усова

МПК: G01B 11/06

Метки: подложке, слоя, толщины

...Заказ 932/40 Тираж 683 Подписное ИБИПИ Государственного комитета поизобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Иосква, Ж, Рауйская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101 з 146 занной толщины покрывают путем вакуумного испарения тонким (3-5 нм) полупрозрачным слоем металла, не имеющего собственной окраски (А 1, М, Рй), Напыление слоя металла толщиной менее 3 нм не дает яркой интерференционной окраски, а слоя более 5 нм приводит к тому, что образец приобретает серебристый "металлический" блеск, Следовательно, для анодированного слоя алюминиевой консервной ленты (АКП) оптимальная суммарная толщина напыляемых слоев диэлектрика и металла составляет 50- 70 нм + 3-5 нм.Окраска...

Номер патента: 1467387

Опубликовано: 23.03.1989

Авторы: Акашкин, Ветошкин, Приходько

МПК: G01B 11/06

Метки: нанесения, пленок, процессе, толщины

...нагрева на управляющийвход блока 5 импульсного нагрева исигнал на сиену подложки, С блока 5импульсного нагрева выдается импульстока, раэогревающнй нагревательныйэлемент 6. Свидетель 2, находящийся в контакте с нагревательным элементом 6,нагревается до температурысублимации нанесенной пленки резиста 7 и охлаждается вследствие нагрева пленки реэиста со свидетеля 2,испаряется и полностью удаляется,возвращая тем самым свидетель 2 кисходному состоянию, Нагрев импульсами тока 5-10 А обеспечивает удаление резиста 7 со свидетеля 2 в течение 20-30 с так как температура ихФосублимации не превышает 100-150 С.После нагрева свидетель 2 охлаждает ся к началу нового цикла напыления,С целью снижения инерционноститеплоемкости нагревательного...

Номер патента: 1474456

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Москалев, Смирнова

МПК: G01B 11/06

Метки: интерференционный, объектов, оптически, плоскопараллельных, прозрачных, толщины

...с помощью, например, интерферометра пос.ледовательного типа и спектрографа,Способ осуществляют следующимобразом.Освещают объект параллельным пучком белого света нормально к его поверхности, направляют отраженные от его поверхности лучи в спектральный прибор, регистрируют интерференционную картину, измеряют число полос в ней между двумя длинами волн, помещают объект в измерительный канал интерферометра, направляют интерферирующие лучи в спектральный прибор, регистрируют интерференционную картину, измеряют число полос между теми же длинами волн, что и в первой картине и определяют толщину й объекта по формулеЬ 1 с - Ыс)% а) 2 Ь-,) где йЕ - число полос между двумядлинами волн Эи 3 впервой интерференционнойкартине;- число полос между...

Номер патента: 1479823

Опубликовано: 15.05.1989

Автор: Кузнецов

МПК: G01B 11/06

Метки: доводки, кристаллических, пластин, процессе, толщины

...число; где М -1(15) входную и выходную щели выполнятьшириной 281,Таким образом, введение ИПФ даетвозможность увеличить световой потокна выходе монохроматора (беэ учетапропускания ИПФ) в М раз, где М = (Ь 1/2 Р 1)= ( д Л ./2 А )(10) то выражение (10) можно преобразовать к виду С учетом пропускания ИПФ увеличение светосилы монохроматора М =л= М ,ф, где 0- коэффициент пропускания ИПФ,Следовательно, количество эталонных пластин где М - заданное увеличение светосилы монохроматора,Из выражения (12) при Л;= ЛЦ, и 2 сгЛ = с 1 Л , где сРЛ - монохроматичность излучения при контроле, получают значение толщины каждой отдельной пластины1 2,9 Л (1 -)Лаио р, алЙ (14)ГЛш РоСветосила монохроматора по потоку прямо пропорциональна квадрату ширины щели...

Номер патента: 1516772

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Предко, Черных

МПК: G01B 11/06

Метки: пленок, толщины, тонких

...пленки; д - длина волны источника излучения.2 ил. Анализатор 6 размещен перед фотоприемником 7 в плоскости изображения тест-объекта 2 и выполнен в виде двух параллельных щелей, расположенных одна над другой так, что нижний конец верхней щели и верхний конец нижней щели лежатв плоскости, перпендикулярной направлению щелей, которые смещены одна относительно другой на величину, равную половине периоДа тест-объекта 2, а тест-объект 2 и анализатор 6 установлены с возможностью перемещения каждый в плоскости, перпендикулярной оптической оси, и ориентированы так, что направление их щелей совпадает.Устройство работает следующим образом.Источник 1 света равномерно освещает тест-объект 2, который расположен в фокальной плоскости объектива 4....

Номер патента: 1534300

Опубликовано: 07.01.1990

Авторы: Бронштейн, Лившиц, Скубей

МПК: G01B 11/06

Метки: оптических, световозвращателей

...работает следующим образом. Световые лучи, вышедшие из автоколлектора 1, направляются на зеркальную пластину 2 и разделяются на два потока излучения, один из которых проходит к полупрозрачной пластине 3, а другой к зеркальной пластине 4. Часть потка. прошедшего полупрозрачную пластину 3, распространяется в сторону световозврагцателя 6, Отражается на него и, падая на светополупрозрачную пластину 3, расщепляется ею на два потока излучения, один из которых возвращается в автоколлектор 1, проходя предварительно полупрозрачную пластину 2, а другой направляется на зеркальную пластину 4, Зеркальная пластина установлена на угломере 5 таким образом, что между световозврагцателем 6, полупрозра-ной пластиной 3, зеркальной пластиной 4,...

Номер патента: 1548664

Опубликовано: 07.03.1990

Авторы: Безрядин, Линник, Миттов, Стрилец, Сысоева

МПК: G01B 11/06

Метки: пленки, толщины

...1;, равный О или 1, выбирают из условия выполнения неравенстваОса П й 55 Доказывают,что истинная толщина с связана с д и П уравнением= МП+ д 3 (6) 3где М - целое положительное число или О, т.е. достаточно показать, что определенные по формуле (1),(3)-(5) величины с и П .всегда удовлетворяютуравнению (6) при целом значении М.По определению первых фавивых толщин с. и первых эллипсометрических периодов можно записатьйЛ так как 1 и ., по определению, целые числа, то и М является целым, Это и доказывает справедливость утверждения, что рассчитанные по формулам (3) и (5) величины с, П явля 2 а 1 ются второй фазовой толщиной и торым эллипсометрическим периодом. Аналогичные рассуждения можно привести и для любых других (4+1)-х эллипсометрических...

Номер патента: 1562690

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Антонов, Дегтярев, Десятых, Копылов

МПК: G01B 11/06

Метки: изделия, покрытия, толщины, тонкостенного

...в процессе его нанесения. Формула изобретения,1. Способ определения толщины покрытия тонкостенного изделия, заключающийся в том, чта изделие с покрытием нагревают, измеряют температуру поверхности покрытия и значение измеренной температуры учитывают при определении толщины покрытия, о т - л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения точности, предварительно определяют толщину стенки изделия, после нагрева и измерения температуры поверхность покрытия охлаждают в условиях постоянного теплообмена на ней и отсутствия теплообмена со стороны поверхности изделия, затем вновь измеряют температуру поверхности покрытия и фиксируют время от начала охлаждения до момента измерения тем-, пературы, а толщину покрытия определяют с учетом известной...

Номер патента: 1566204

Опубликовано: 23.05.1990

Авторы: Воробьев, Кац, Марков, Усик

МПК: G01B 11/06

Метки: многослойной, пленки, слоев, толщины

...части можно записать в видеЗ Л = 1 ОЛ " )1 2 Л ПЕхр- КХх Ь;Ээ(8)56620 Ьх 17 лгде 1 ол ф "л фл8, К.1 / интенсивность излучения в формируемой источникомвспышке оптиче- .ского излучения,коэффициенты пропускания первого6 и второго 7 све- Отоводов и коэффициент ослабленияизлучения материалом э.-го слоя 15 Аии= ехр Полученные на каждом э-м фотоприемнике сигналы поступают в блок 4преобразования сигналов, где находится отношение видал(14) 50 для длины волныВ соответственно,В результате, одновременно каждым из фотоприемникон 3 фиксируется импульс, амплитуда которого 1 о,л; ю,л;2 ал,ПекрЕ К 1,л хо,ио,л. "л" л. ф э,л П "213э э 3.К 1 +кл. +1 Система (14) разрешима относительно Е. только в том случае, если все уравнения в ней линейно...