C30B 7/00 — Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов

Номер патента: 1670000

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Болдырева, Нардов, Руссо, Чебанов

МПК: C30B 7/00

Метки: водорастворимых, кристаллов, соединений

...кристаллиэа 30 ции,ДРК в осадке - около 63%,П р и м е р 11, Раствор дигидрата хло.рида бария готовят, как в примере 9. В качестве растворителя используют смесь воды и35 раствора примесей набора М. 1 в количествах 980 мл и 20 мл соответственно (концентрация каждой из примесей лежит винтервал 10 - 10 г/л). Раствор охлаждают до температуры кристаллизации40 ДРК и осадке - около 47%,П р и м е р 12, Раствор дигидрата хлорида барияотовят, как в примере 9, В качестве растворителя используют смесь воды ираствора примесей набора М. 1 в количест 45 вах 800 мл и 200 мл соответственно. Содержание каждой из примесей при этомсоставляет 10 - 10 г/л. Раствор охлажда-зют до комнатой температуры.ДРК в осадке - около 46%.50, П р и м е р 13. Раствор...

Номер патента: 1673650

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Азаров, Клубович, Кондрашов, Сысоев, Толочко

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов

...однонаправленное вращение кристаллиэатора с раствором и кристаллодержателя с кристаллом вокруг общей вертикальной оси и периодическое реверсивное изменение направления обтекания кристалла раствором, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения качества кристаллов за счет создания статистически равномерных условий роста и исключения эапараэичивания раствора, изменение направления обтекания кристалла раствором проводят путем периодического повышения и понижения скорости вращения кристаллодержателя относительно скорости вращения кристаллизатора,25 30 35 40 Составитель В, БезбородоваРедактор Л, Пчолинская Техред М,Моргентал КоРРектоР Т, Малец Заказ 2899 Тираж 251 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и...

Номер патента: 1680643

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Дуров, Козлов

МПК: C30B 29/58, C30B 7/00

Метки: белка, выращивания, кристаллов

...для более удобного заполнения канала 20 и проточки-секции 13 буферным раствором и удаления пузырьков воздуха, С этой же целью более удобного заполнения проточки-секции 14 солевым раствором и удаления пузырьков воздуха предусмотрены два канала 22, размещенных во взаимно противоположных угловых зонах проточки- секции 14.Устройство работает следующим образом. 5 10 приводят. в исходное положение, при котором под каналом 20 в корпусе 3, ведущим к кристаллизационной камере 4, располагается проточка-секция 13 поршня. Устройст 20 во устанавливают в положение, при котором каналы 21 и 22 располагаются сверху, Через каналы 21 и 22 проточки-секции 13 и 14 заполняются соответственно буферным и солевым растворами, При этом добиваются 25 более...

Номер патента: 1761823

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Дуров, Козлов

МПК: C30B 29/58, C30B 7/00

Метки: белка, выращивания, кристаллов

...только в такую же белковую камеру. Общая полупроницаемая мембрана гарантирует проникновение солевого раствора в камеры белкового раствора только путем диффузии через мембрану. Известно поименение эластичной емкости с нажимным устройством, например, в передвижных уплотнениях, где необходимо соблюдение точно абсолютной герметичности поршневой системы. Однако известное устройство применяется как передвижное уплотнение в отношении агрессивных сред5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 или усиления давления, но не может использоваться для выращивания кристаллов белка.Предлагаемое устройство служит этой цели. Наличие корпуса с полостью с присоединенными двумя эластичными емкостями, каждая из которых имеет сообщение с полостью корпуса через клапан...

Номер патента: 1773952

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Поезжалов, Трегубченко

МПК: C30B 29/54, C30B 7/00

Метки: монокристаллов

...Разращивание такой затравки происходит бездефектно. Для этого амплитуду колебаний постепенно уменьшают и доводят до вполне определенной постоянной величины. Дальнейший рост монокристалла проводят по общеизвестной методике. Поскьльку при образовании затравки, обладающей сингулярными гранями, ее объем не увеличивается, та выращенный кристалл имеет минимальную зону регенерации, равную объему затравки, и может быть использовано почти полностью, за исключением объема, занятого затравкой, который, как правило, не превышает объема нескольких десятков мм,П р и м е р 1. Затравка п,п-диоксидифенилсульфона помещалась в кристаллизатор с насыщенным при 38 С раствором. Кристаллизатор находится в жидкостном термостате, температуру которого...

Номер патента: 1809846

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Конюшко, Малочко, Шадрин

МПК: C30B 29/16, C30B 7/00

Метки: диоксида, олова, основе, пленок, полупроводниковых, раствор

...в воде, растворяют 0,2 г ЯЬС 3, доводят объем до 50 мл. Далеекак в примере 1. Полученная пленка имеетследуощие характеристики:р=72 Ом см5 ТКС= 1,9 /Т=79 о Раствор сохраняет свои свойства не менее1 года.Состав раствора:10 ЯпС 204 100 гНг 02 18 гЯЬСз 4,1 гИ-оксид третичного амина 0,16 гН 20 до 1 л.15 П р и м е р 4. 6 г ЯпС 204 растворяют в 5мл 30 % раствора Н 202 в воде, растворяют0,38 г ЯЬСз и 0,5 мл 4 ораствора й-оксидатретичного амина в воде, доводят растворводой до 50 мл. Далее как в примере 1,20 Полученная пленка имеет следующие характеристики,р = 63 Ом смТКС = 1,6Т= 78 %Раствор сохраняет свои свойства не менее,.чем 1 годСостав раствора:Яп С 204 120 гН 202 . 30 г30 ЯЬСз 7,5 гИ-оксид третйчного амина 0,2 гН 20 до 1 л.П р и м е р 5. 6...

Номер патента: 1819920

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Клубович, Мозжаров, Толочко

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов

...прохо. дя через патрубок 5, выходит из отверстий 7 а гидронасадки 6 в виде нисходящего потока, ОО) образованного системой незатопленных струй, падающих на кристалл 3, При этом вся поверхность кристалла покрывается пленкой стекающего, постоянно обновляющегося раствора,П р и м е р 1, Выращивают кристалл С) КДР из водного раствора в предлагаемом устройстве. Емкость кристаллизационного сосуда 5 л. Внутри него на расстоянии от дна 8 см установлена кристаллическая затравка с размерами вдоль осей х и у 2 см (вершина пирамиды направлена вверх). Над кристаллом на расстоянии 4 см установлена гидро- насадка в виде цилиндра диаметром 3 см и высотой 5 см, в нижней торцевой стенке которого выполнена система отверстий диаметром 1,5 мм,.отстоящих...

Номер патента: 1732701

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Ершов, Зильберберг, Кацман, Потапенко

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Метки: затравочной, пластины

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЗАТРАВОЧНОЙ ПЛАСТИНЫ для выращивания кристаллов типа КДР, включающий моносекториальное выращивание кристалла в направлении [101] из водного раствора в стакане, размеры дна которого совпадают с размерами в направлении [010] и и последующее вырезание из кристалла пластины прямоугольного сечения ортогонально направлению [101], отличающийся тем, что, с целью увеличения апертуры затравочной пластины при сохранении оптической стойкости выращиваемых кристаллов, вырезанную пластину помещают в стакан прямоугольного сечения, размеры сторон которого совпадают с размерами пластины в направлениях [101] и ...

Номер патента: 1771214

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Потапенко, Рубаха

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Метки: выращивания, группы, дигидрофосфата, калия, монокристаллов

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ ДИГИДРОФОСФАТА КАЛИЯ из переохлажденного раствора на размещенную на дне формы затравку, соответствующую ее размерам и вырезанную параллельно естественной грани, отличающийся тем, что, с целью снижения отходов, в качестве затравки используют пластину из дефектного кристалла и в начале процесса визуально контролируют возникновение в растущем кристалле источника центра образования дефектов, который удаляют на всю толщину затравки.

Номер патента: 955741

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Ершов, Кацман

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Метки: выращивания, группы, дигидрофосфата, калия, монокристаллов

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ ДИГИДРОФОСФАТА КАЛИЯ из переохлажденного водного раствора на размещенную в кристаллизаторе затравку, вырезанную параллельно грани (100) или (101), отличающийся тем, что, с целью повышения скорости роста и оптической однородности кристаллов, используют затравку, соответствующую размерам дна кристаллизатора, и размещают ее на дне так, чтобы ее кристаллографическая ось Z и ось кристаллизатора лежали в плоскости осей затравки XZ или YZ и составляли между собой угол в 45 - 90o, и процесс ведут при переохлаждении раствора более 5oС.

Номер патента: 1591535

Опубликовано: 20.04.1996

Автор: Бредихин

МПК: C30B 7/00

Метки: анизотропных, кристаллов, оптически, прироста, прозрачных

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПРИРОСТА ОПТИЧЕСКИ АНИЗОТРОПНЫХ ПРОЗРАЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ при скоростной кристаллизации из растворов, включающий освещение кристалла и прилегающей к нему области раствора коллимированным пучком света в направлении, параллельном растущей грани кристалла, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения для кристаллов с поперечным размером более 150 мм, свет используют естественно поляризованным, освещение проводят для оптически отрицательных кристаллов со стороны острого угла между гранью и оптической осью кристалла, а для оптически положительных кристаллов со стороны тупого угла, прошедшее излучение проецируют на экран и по смещению границы тени в изображении на нем определяют величину прироста кристалла.

Номер патента: 1342056

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Бредихин, Быстров, Ершов, Кацман, Лавров

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов, профилированных, раствора

1. Устройство для выращивания профилированных кристаллов из раствора, содержащее герметичный кристаллизатор с крышкой, установленную внутри него камеру роста с затравочным кристаллом, погружной насос, имеющий выходное сопло, направленное на растущий кристалл, и жестко связанный с приводом, установленным на крышке, и нагреватель, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности, устройства и качества кристалла, устройство снабжено механизмами перемещения насоса и вертикального перемещения камеры роста, соединенными с индуктивными приводами, размещенными на крышке, датчиком роста кристалла, электрически связанным с приводом перемещения камеры, а выходное отверстие сопла выполнено в виде щели.2. Устройство по п. 1,...

Номер патента: 1619750

Опубликовано: 20.07.1997

Авторы: Зайцева, Пономарев, Рашкович

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Метки: выращивания, кдр, монокристаллов, типа

...кристалла, г;У - объем кристалла, см ; р - плотность кристалла г/см ;з,Рр и Рс - исходные веса раствора и солисоответственно, г;СО=а+ЬТ - разновесная концентрация притемпературе Т, г соли/г раствора.Для КДР а=0,799 гс/гр-ра Ь 0,00335гс/гр-рфК; р = 2,338 г/см3Для ДКДР (Х=0,9) а=0,844 гс/гр-ра,Ь=0,0037 гс/гр рафК; р = 2,356 г/смзОбъем кристалла в момент измерения 1вычисляется по его размерам, определяемымс помощью ортогональной сетки на платформе и катетометра. На следующий отрезоквремени Л 1 (например, сутки), зная скоростьроста 2., можно вычислить предполагаемыйобьем У и из уравненияА ехр(В/Т )-(Р -Ч р)Г(а+ЬТ )(Р -Ч р)+1 = О,(3)получить температуру Т, до которой нужно снизить температуру для роста кристалла с Копз 1 за время Л 1,...

Номер патента: 913753

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Богданов, Кутузов, Мезенцева, Нечепуренко, Шелопут

МПК: C30B 7/00, H01L 41/16

Метки: лития, основе, приборов, пьезоэлектрических, слоев, соединения

Способ получения слоев для пьезоэлектрических приборов на основе соединения лития, включающий нанесение слоя на подложку, отличающийся тем, что, с целью получения слоев иодата лития толщиной 1 - 10 мкм, в качестве подложки используют монокристалл йодата лития, ростовую грань которого (100) покрывают слоем золота толщиной 500 - 1200 , и нанесение слоя ведут в насыщенном водном растворе йодата лития при 39 - 41oС и рН 1,9 - 2,1.

Номер патента: 1764338

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Белов, Исаенко, Косинов, Мазур

МПК: C30B 29/54, C30B 7/00

Метки: затравки, крепления

Способ крепления затравки для выращивания изометрических кристаллов из раствора, включающий ее контакт с иглообразным кристаллодержателем, отличающийся тем, что, с целью более надежного крепления затравки из низкоплавного органического кристалла и исключения образования в ней дефектов, перед контактом конец кристаллодержателя нагревают до температуры, превышающей температуру плавления кристалла на 50 - 70oС, затем этот конец вводят внутрь затравки на глубину не менее 0,3 мм, после чего проводят выдержку и охлаждение.

Номер патента: 218324

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Клименко, Ржанов, Строителев

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, монокристаллических, слоев

1. Способ выращивания монокристаллических слоев преимущественно полупроводниковых материалов, например германия, в вакууме из расплава при температуре, близкой к точке плавления, отличающийся тем, что, с целью получения слоев на подложках, не эпитаксиальных кристаллизирующемуся веществу, с близкими коэффициентами термического расширения, приводят в контакт нормально расплавленному слою в область минимума теплового поля иглообразную монокристаллическую затравку, кристаллографическая ось которой совпадает с ее геометрической осью, и снижают температуру расплава по заданной программе.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения слоя на несмачивающейся подложке, растягивают...