Достходжаев

Номер патента: 593345

Опубликовано: 25.10.1978

Авторы: Гончаров, Достходжаев, Емцев, Мащовец, Рывкин

МПК: B01J 17/00

Метки: германия, материал, основе, полупроводниковый

...Министров СССРпо делам изобретений и открытий:113035, Москва, Ж, Рвущская набд, 4/5 филиал ППП "Пвтентф, г, Ужгород, ул, Проектная. 4 Вьращивание осушествляют по способуЧохральскосо, в атмосфере спектральночистого гелия со скоростью 1,5 мм/мин,Тигель вращают со скоростью 10 об/мин.,а затравку - 70 об/мин, Измерение алекФрических параметров поквзьввет, чтополученный монокристалл германия имеетэлектронный тип проводимости, с концентрацией доноров 1,110 7 ат, 7. Химико-спектральный анализ показывает Оналичие в данном монокристалле германия примеси бария в концентрации(2-4) 10вт, %, Плотность дислокаций в полученном материале составляет(3-6) 10см , малоугловые грвницьзне обнаружень,Далее из полученного монокристаллагермания были...