Многокристаллический сегнетоэлектрический материал
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик К АВТОРСКОМУ СВИДВТВДВС(23) Приоритет Государственный иомите Совета Министров ССС по делам изобретений и открытий(45) Дата опубликования описания 10.03.77 2) Авторы изобретени Ю. Л. Копылов, В. Б. Ф, Дуд енко и Н ор Ордена Трудового Красного Знамени институт радиотехник и электроники АН СССРИзобретение относитс монокристаый может лическому мате быть использоватехнике. алу, ко в пирот ике и пьез г кристаллического Недостаток мон нала этого сос ючается в сил в ектрического козфт, особенно в обной зависимости пироэл фициента от температурь ласти больших значений этого козффици 11 ель изобэлектрическогной температратурной завиДля теникозфф увеличение пироиента при комнатме ие его темп сим в состав материала предлоокись кальция и компонентыюших соотношениях, мол.%;2,5-17,5 бре ормулнокристалли и жено вводить брать в следу ВаО й сегнетоэлект ски матери я и нио а основ лов бария,стронци с я25 элект ия, ос целькозффи юшииния пиро 47, 25 чт а еског и комнатИзвестен монокристаллический материал состава 5 т, Ва МЪ О (где Х = = 0,25 - 0,75),Разработанный монокристаллическийматериал позволяет уменьшить зависимость пироэлектрического коэффициентаот температуры и повысить его значениепри комнатной температуре.П р и м е р . Шихту, состоящую из23,66 г ВаСОз (15 мол.% ВаО),29,545 СО (25 мол.% 50) 8,0 г СаСО(10 мол.% СаО) 106,37 г йд 0(50 мол.%) 10 помещают в платиновый или иридиевыйтигель и нагревают в индукционной печидо 1500 + 50 С, при которой из расплава вытягивают монокристаллический материал на затравку. Полученный материал 15 состава Вао 5 Са МЪ О имееттемпературу Кюри 125 С и пироэлектрический коэффициент при 24 С,равныйной температуре и уменьшения его температурной зависимости, в материал введенаокись кальция и компоненты взяты в следующих соотношениях, мол.%: ВаО800СаО 41 ф 515 - 47,545 - 552 -25Составитель В, ПополитовРедактор В. Смирягина ТехредМ. Ликович Корректор В, ЗоринаЗаказ 5767/275 Тираж 864 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4
СмотретьЗаявка
1877040, 26.01.1973
ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ АН СССР
ДУДНИК О. Ф, КОПЫЛОВ Ю. Л, КРАВЧЕНКО В. Б, МОРОЗОВ Н. А
МПК / Метки
МПК: B01J 17/00
Метки: материал, многокристаллический, сегнетоэлектрический
Опубликовано: 05.12.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-466693-mnogokristallicheskijj-segnetoehlektricheskijj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Многокристаллический сегнетоэлектрический материал</a>
Предыдущий патент: Шпиндельная бабка пруткового автомата
Следующий патент: Устройство для введения и выведения контейнеров с исследуемыми образцами в канал ядерного реактора
Случайный патент: Функциональный преобразователь