Способ определения скорости роста кристаллитов

(51) М. Кл, В 011 1700С.01 р 3/00 Государственнын комитет Совета Министров СССР(088.8) ллетень2 по делам нзобретени и открытийсания 29.08(72) Авторы изооретения К. П. Бертулис, М. В. Станкевичус и В. Б. Толутиснститут физики полупроводников АН Литовской ССРГ(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СКОРОСТИ РОСТАКРИСТАЛЛ ИТОВ ся к исследованию прои преимущественно слосоединений типа Ап ласти физики твердого Дл и мет симос перат отжи дой т Это у азов ави- темрию кажста. Изобретение относитпесса рекрйсталлизациев полупроводниковыхВц, необходимых в обтела.Известен способ определения скорости роста кристаллитов в слоях СсТе путем измерения линейных размеров кристаллитов, полученных за определенный промежуток времени в процессе отжига кристаллических слоев на подложке с предварительным созданием в заданных точках искусственных центров рекристаллизации. Последнее позволяет не учитывать время зарождения кристаллита и вести расчет скорости по формуле; Рр - скорость роста;1, - длина кристаллита;1 - время рекристаллизационногожига,я технологии полупроводников, сплаллов часто необходимо определить зть скорости роста кристаллитов отуры, Для этого проводят целую сегов при разной температуре и дляемпературы определяют скорость ровеличивает время определения. Цель изобретения - одновременное определение скорости роста кристаллитов при разных температурах.С этой целью предложено слои на подложке 5 располагать в виде параллельных полосок,перпендикулярно которым создавать на одной линии центры рекрпсталлизации и температурный градиент вдоль подложки. Температуру отжига для каждой полоски определяют по 10 месту ее расположения и результатам измерения температуры в реперных точках на подлокке.На фиг. 1 представлена подложка, подготовленная для определения скорости роста кри сталлов; а фиг, 2 - распределение температуры вдоль подложки; на фиг. 3 - результаты определения температурной зависимости скорости роста кристаллитов в слоях СдТс,П р и м е р. Способ испытан для определе ния скорости роста крпсталлитов в слояхСЛТе. Слои СдТе изготовляют в виде полосок 1 на стеклянных подложках 2 с прикрепленными термопарамп 3 напылением через соответствующую маску, изготовленную фотохими ческим способом или разрезанием сплошногонапыленного слоя специальным ножом.Ширина полосок 1,5 - 2,0 мм, длина - 30 -35 мм, На их поверхность испарением в вакууме наносят тонкий слой стимулятора рекри О сталлизацпп - серебра или меди, нужный20 25 30 35 40 только для стимулирования рекристаллизации. Затем протягиванием электронного луча по линии Л - Л (фиг. 1) производят кратковременный локальный нагрев выше температуры начала рекристаллизации (280 в 2 С), Луч создают пушкой электронов высоких энергий электронографа (типа ЭГЛ) при 0=80 кв. Диаметр луча 80 - 100 мкм.Приготовленную подложку с материалом одним концом крепят в специальном держателе - нагревателе, обеспечивающем жесткое крепление подложки по отношению к двум радиационным нагревателям, Приспособление для крепления одновременно используют для отвода тепла. Свободный конец подложки нагревают одним стержневым радиационным нагревателем, расположенным на высоте 10 - 12 мм от подложки параллельно полоскам материала. Другим радиационным нагревателем большой площади, расположенным параллельно подложке на высоте 12 - 15 мм от нее, производят равномерный нагрев всей подложки. Регулированием величины силы тока, пропускаемого через каждый нагреватель, создают и поддерживают температурный градиент выбранной величины в желаемом температурном интервале в течение намеченного времени отжига.Температуру поверхности подложки измеряют в реперных точках при помощи микротермопар, прикрепленных к поверхности подложки.Изотермический отжиг ведут в интервале температур от 190 до 240 С в течение 12 минут, Желаемый интервал температур отжига создают за время, намного меньшее времени отжига.После остывания образца по изменению инфракрасного поглоцения рекристаллизованной части слоев измеряют линейные размеры кристаллитов в каждой полоске. Измерения проводят при помощи инфракрасного микроскопа типа МИК. Затем определяот скорость роста кристаллитов по фор ле (1).Темпераурь и;3 отсрмического отжГа для каждой полоски определяют по кривой распределения температуры, построенной в данно: случае по результатам измерения в пяти реперных точках и координате полосок.Как линейные размеры кристаллитов, так и температуру пзотермического отжгга определяют для сторон полосок, обращенных к более нагретому концу подложки.Результаты измерения, представленные а фиг. 3, показывают температурную зависимость скорости роста кристаллитов при стимулированной рекристаллизацпи тонких слоев СдТе, исходные результаты для которой получены на одном образце только при одном от. жиге. Предмет изобретения 1, Способ определения скорости роста крпсталлитов, например в слоях полупроводниковых соединений типа Лц Вг путем измерен я линейных размеров кристаллитов, полученных за определенный промежуток времени в процессе отжига кристаллических слоев на подложке с предварительным созданием в заданных точках искусственных центров рекристаллизацип, отличающийся тем, что, с целью одновременного определения скорости роста кристаллитов при разных температурах, слои располагают на подложке в виде параллельных полосок, перпендикулярно которым создают на одной линии центры рекристаллизации и температурный градиент вдоль подложки.2, Способ по и, 1, отличающийся тем, что температуру отжига для каждой полоски опредсля от по месту ее расположения и результатам измерения температуры в реперных точках а одложке.472682 гР1с 77 о 7 Е В. Безбородова Н. Ханеева ктор Л. Орлова едактор Е. Братчик Изд. М 793 Т1 ИИПИ Государственного комитета Сов по делам изобретений и отк Москва, Ж, Раушская наб Подписноев СССР аказ 2133 Типография, пр. Сапунова,о,С,о Составител Техре