Способ легирования халькогенидного стекла
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз СоветскихСоциалистическихреспублик вптуоц 3 ИМЯ(23) Приоритет оо долам мзобретвммм м отхрытнмДата опублкко 0,7 П 2) Авторы изобретени Б, Т, Кологлиеп, Г, А, Андреева, Э. А, Леи В, Х. Шпунт И. А. Таксам дена Ленина физико-технический пнсти А. Ф. Иофф Заявитель 54) СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ ХАЛЬКОГЕНИДНОГО СТЕКЛ т диэлектрик ипи а в качестве лесеребро, платину 1 ауемого матехалькогенидн Изобретение относится к полупроводниковой технологии.Известные методы пегирования, например диффузии, обеспечивают равномерное и постепенное изменение состава и5 свойств пегируемого материала. При резком локальном изменении состава пегируемого вещества можно получить новые свойства в легируемой области.Бель изобретения - создание локальных новообразований, состоящих из исходного и легирующего материалов, обладающих новыми свойствами.Это достигается тем, что осуществляют контакт пегируемого материала с легирующим металлом, После чего прикладываются импульсы электрического напряжения, амплитуда которых равна ипи больще напряжения переключения исходного халькогенидного стекла, при этом длитель- ность импульсов напряжения устанавливают меньще времени образования проводящих кристаллических каналов в исходном халькогенидном стекле. В качестве пегистекло,ериапа -гируюг индий. рафитовую подленидного стекла Пример, Наг наносят слой хапьког Легируюшим электродом ро. Между пегирующим халькогенидным стеклом импульсы электрического плитуда которых равна ил ния переключения исход выби ают электродом прикладыва пап ряжетп больще напют я, ам ряжени го хальк долж- вание м легированитрее, чем обрВ местах к и ного стекла но происходить быс проводящих каналов нтактоввания.отличае новообрапрочностьатериала,разуются локальныОни имеют бопьщую я от исходного н и ла изобр о р ния халькогенидногоествления контакта пег а пут О П И С А Н И Е и 475094ИЗОБРЕТЕН ИЯ17рлегируюцим материалом и приложения импульсов электрического напряжения, амплитуда которых равна или больше напряжения переключения исходного хялькогенипцого стекла, о т л и ч я ю и и Й- Б с я тем, что,с целью получения токальо 4 4ных новообразований, состоялих цз хял, - когенидного стекла и легируоего материала, длительность импульсов пяпряжения устянявлипяют менъше времев образованиятроводяйх кристаллических каналов в исходном хялькогенидном стекле, Составитель А. АдонинРедактор Е. Месроповя Техред М. Петко Корр ек тор М. Демч и кЗаказ 628 б/57 Тираж 877 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 11 Э 035, Москва, ЖРаушская наб. д. 4/5 Филиал ППП "Патент, г. Ужгорода ул. Проектная, 4
СмотретьЗаявка
1855548, 12.12.1972
ОРДЕНА ЛЕНИНА ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А. Ф. ИОФФЕ АН СССР
КОЛОМИЕЦ Б. Т, АНДРЕЕВА Г. А, ЛЕБЕДЕВ Э. А, ТАКСАМИ И. А, ШПУНТ В. Х
МПК / Метки
МПК: B01J 17/00
Метки: легирования, стекла, халькогенидного
Опубликовано: 15.10.1979
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-475094-sposob-legirovaniya-khalkogenidnogo-stekla.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ легирования халькогенидного стекла</a>
Предыдущий патент: Полупроводниковй холодильник для охлаждения фотокатода
Следующий патент: Способ получения -ацетиленовых спиртов
Случайный патент: Устройство для контроля прямолинейностиперемещения рабочих органов станков