Патенты с меткой «тонких»

Номер патента: 1235067

Опубликовано: 20.09.1996

Авторы: Асатрян, Гаспарян, Закарьян, Шермазанов

МПК: B23B 1/00

Метки: лентах, профилей, тонких, фасонных

Устройство для обработки фасонных профилей на тонких лентах, содержащее подающий барабан для размещения необработанной ленты, приемный тянущий барабан для размещения обработанной ленты, узел профиля ленты к опорной базе и установленный на салазках с возможностью перемещения по направлению к опорной базе резец, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и точности обработки, опорная база и узел прижима ленты выполнены в виде опор качения, оси которых параллельны осям подающего и приемного барабана, при этом опоры узла прижима ленты расположены по обе стороны от опорной базы, а их оси смещены относительно оси опорной базы в сторону, противоположную от резца.

Номер патента: 1737930

Опубликовано: 10.04.1998

Авторы: Носков, Орликов

МПК: C23C 14/32

Метки: вакууме, нанесения, пленок, тонких

Устройство для нанесения тонких пленок в вакууме, содержащее газоразрядную камеру, систему формирования и ускорения потока наносимого материала, импульсный источник питания и подложкодержатель с подложкой, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения надежности работы устройства, газоразрядная камера выполнена в виде спирали, охватываемой корпусом из немагнитного материала с профилем сверхзвукового сопла, открытого в сторону подложки, причем начальный участок спирали подключен к импульсному генератору источника питания, а конец спирали, размещенный у открытой части сопла, заземлен.

Номер патента: 1514046

Опубликовано: 27.11.1998

Авторы: Жижин, Силин, Сычугов, Яковлев

МПК: G01J 3/18

Метки: дифракционный, ик-спектрометр, исследования, пленок, тонких

Дифракционный ИК-спектрометр для исследования тонких пленок, содержащий оптически связанные источник зондирующего излучения, выполненный в виде преобразователя объемного излучения в поверхностную электромагнитную волну, держатель образца, решеточный диспергирующий элемент, выполненный в виде периодически гофрированного участка на металлизированной плоскости пластины и имеющий период, соответствующий условию отражения Брэгга, и приемник излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и уменьшения габаритов, спектрометр дополнительно содержит коллимирующую и фокусирующую системы, выполненные в виде цилиндрического вогнутого зеркала, через которое оптически связаны источник дозирующего излучения, решеточный диспергирующий...

Номер патента: 1816001

Опубликовано: 10.06.1999

Автор: Менцер

МПК: C23C 16/16, C23C 16/54

Метки: железа, магнитного, носителя, оксида, пленок, тонких

1. Способ получения магнитного носителя из тонких пленок оксида железа химическим осаждением из паровой фазы путем разложения пентакарбонила железа в окислительной среде на подложке при температуре 250 - 450oC при фиксированном отношении давления продуктов реакции разложения к парциальному давлению кислорода и давлении в камере осаждения 10-2 - 1,0 мм рт.ст. при непрерывном удалении из нее газообразных продуктов, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости, коррозионностойкости и магнитных свойств пленок, в паровую фазу дополнительно вводят летучее соединение кобальта, осмия или цинка, а в качестве окислительной среды используют влажный кислород и процесс...

Номер патента: 1135223

Опубликовано: 27.06.1999

Авторы: Веревкина, Субботин, Табатадзе

МПК: C23C 14/00

Метки: ионно-плазменного, металлических, нанесения, пленок, тонких

Способ ионно-плазменного нанесения тонких металлических пленок преимущественно на полиэтилентерефталатную подложку путем распыления ионами аргона в вакууме материала мишени и осаждения его на движущуюся подложку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет улучшения их оптической прозрачности, электропроводности и адгезии к подложке, осаждение ведут при плотности тока разряда 0,8 - 1,2 мА/см2 и скорости осаждения распыляемого материала 0,37 - 2,1 10-7 г/см2 с, при этом скорость движения подложки составляет 1...

Номер патента: 976749

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Гамсахурдия, Докукин

МПК: E21C 41/18

Метки: выработок, горных, забое, кровли, людей, пластов, поддержания, присутствия, разработке, тонких, угольных

Способ поддержания кровли горных выработок при разработке тонких угольных пластов без присутствия людей в забое, включающий установку вдоль забоя тяговых органов, перемещение вдоль забоя с помощью тягового органа секций пневмобаллонной крепи, нагружение секций пневмобаллонной крепи и их перемещение из выработанного пространства, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости кровли, за счет предотвращения воздействия на кровлю знакопеременных нагрузок и сокращения времени на установку крепи и исключения заклинивания секций в выработанном пространстве, в качестве секций пневмобаллонной крепи использованы тороидальные баллоны с пропущенным через их внутренние отверстия тяговым органом.

Номер патента: 1471900

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гершинский, Миронова

МПК: H01L 21/66

Метки: окисных, пленок, толщины, тонких

Способ измерения толщины тонких окисных пленок, включающий приведение исследуемой пленки в контакт с электролитом и пропусканием через образовавшуюся систему тока, отличающийся тем, что, с целью расширения класса исследуемых материалов, исследуемую пленку используют в качестве анода, подают на нее линейно изменяющийся во времени потенциал, измеряют вольт-амперную характеристику исследуемой пленки, определяют напряжение Uо, соответствующее началу скачкообразного возрастания тока, и рассчитывают толщину d исследуемой окисной пленки по формуле d = Uо/Еd, где Еd - дифференциальный напряженность электрического поля исследуемой окисной пленки.

Номер патента: 1484020

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Агеев, Грибов, Корнеев, Орлов

МПК: E21C 41/18

Метки: крутых, пластов, разработки, тонких

Способ разработки тонких крутых пластов, включающий проведение откаточного штрека, бурение рабочих скважин в массиве угля выемочного участка параллельно линии очистного забоя, размещение в них разрушающего средства, разрушение угольного пласта и выпуск его на откаточный штрек, крепление выработанного пространства, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности разработки за счет уменьшения трудоемкости очистных работ и повышения безопасности крепления выработанного пространства, угольный пласт оконтуривают дополнительным штреком, из которого бурят рабочие скважины с формированием целика у откаточного штрека, при этом между рабочими скважинами параллельно им в угольном пласте бурят...

Номер патента: 1316304

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Богатырев, Щекочихин, Яценко

МПК: C23C 14/54

Метки: варианты, его, нанесения, пленок, тонких

1. Способ нанесения тонких пленок, включающий вакуумирование рабочего объема и формирование пучка атомов осаждаемого материала, отличающийся тем, что, с целью повышения чистоты пленок, пучок облучают монохроматическим световым потоком, резонансно-поглощаемым атомами осаждаемого материала или атомами примеси, причем, если длина волны светового потока соответствует резонансному поглощению атомами осаждаемого материала, световой поток направляют навстречу пучку атомов и облучение проводят в режиме, обеспечивающем соотношение Eu Ea

Номер патента: 1282757

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Ибрагимов, Реутов

МПК: H01L 21/265

Метки: кремния, пластин, тонких

1. Способ изготовления тонких пластин кремния, включающий их отделение от слитка путем формирования поверхности скола, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и воспроизводимости изготовления, поверхность скола формируют облучением слитка потоком легких ионов преимущественно водорода, дейтерия, гелия и нагревом слитка.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что слиток облучают дозами по крайней мере 1017 см-2 при комнатной температуре.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что слиток облучают дозами по крайней мере 1016 см-2 при температуре не менее 700 К.4. Способ по п.1, отличающийся тем, что слиток облучают дозами...

Номер патента: 1225273

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Гусев, Елисеев, Калинкин, Щеголев

МПК: C23C 14/32

Метки: напылением, плазменным, пленок, тонких

1. Способ получения тонких пленок плазменным напылением, включающий зажигание дугового разряда в атмосфере инертного газа между анодом и термокатодом, формирование контрагированной плазменной струи, введение в нее наносимого материала и конденсацию его паров на подложке, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет улучшения их электрофизических свойств и повышения производительности процесса, наносимый материал вводят в плазменную струю в виде порошка с размером частиц 30 - 45 мкм со скоростью 8 - 10 г/мин при скорости истечения плазменной струи 8 - 9 м/с, давлении инертного газа 5,3 - 8,0 Па и потенциале на аноде 300 - 400 В, затем плазменную струю подвергают...

Номер патента: 1412367

Опубликовано: 27.08.2000

Авторы: Гусев, Елисеев, Калинкин, Щеголев

МПК: C23C 14/32

Метки: нанесения, напылением, плазменным, пленок, тонких

Способ получения тонких пленок плазменным напылением по авт.св. N 1225273, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей процесса при изготовлении ГИС, перед нанесением токопроводящего слоя формируют диэлектрический слой путем подачи в плазменную струю смеси испаряемого порошка и кислорода при степени двухфазности потока (0,3 - 0,5), причем в качестве испаряемого порошка используют кермет.

Номер патента: 1462599

Опубликовано: 27.07.2004

Авторы: Смирнов, Шкляр

МПК: B22D 29/00

Метки: керамических, отливок, стержней, тонких, удаления

Способ удаления тонких керамических стрежней из отливок путем погружения отливок в воду, охлаждения их в жидком азоте до температуры (-70)-(-150 C) и последующего нагрева, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности процесса очистки отливок от тонких керамических стержней, перед погружением отливок в воду их вакуумируют, охлаждение жидким азотом начинают с концов отливки по направлению к ее середине, а нагрев отливки осуществляют от середины отливки по направлению к ее концам.

Номер патента: 1371456

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Буляк, Плотников, Румак, Хатько, Шевчук, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: кремния, оксида, слоев, создания, тонких

Способ создания тонких слоев оксида кремния для подзатворного диэлектрика МДП-структур, включающий нагрев монокристаллических кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления (700-950°С), формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния и доокисление его до толщины 10-50 нм в газовой смеси, содержащей кислород, водород и хлористый водород при расходе кислорода и водорода, равном соответственно 30-75 и 15-68 об.%, последующий отжиг в инертном газе, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур путем уменьшения дефектности подзатворного диэлектрика, подслой окисла формируют последовательной выдержкой сначала в...

Номер патента: 1840832

Опубликовано: 27.07.2012

Авторы: Ведерников, Липилин, Неуймин, Пальгуев

МПК: H01M 8/10

Метки: виде, газоплотных, пленок, твердого, тонких, устройств, электролита, электрохимических

Способ получения электролита в виде тонких пленок, в котором смесь порошков чистых окислов в нужном соотношении наносят на высокочастотный электрод распылителя слоем в 2-10 мм, затем осуществляют напыление, а образовавшуюся пленку подвергают термической обработке при температуре 600-1000°С в течение 1-20 часов.

Номер патента: 1345956

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Гурский, Зеленин, Конюшенко, Мелещенко, Скрипниченко, Чачин

МПК: H01L 21/268

Метки: мопи, мп-систем, пленок, проводящих, тонких

Способ обработки тонких проводящих пленок МОП- и МП-систем путем воздействия на них импульсным электромагнитным полем, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии пленок и снижения разброса ее величины по площади подложки, воздействие осуществляют при следующих параметрах электромагнитного поля:энергия в импульсе W = Kw (Дж),частота числом импульсов от 1 до 10,где Kw = 1,786·1011(0,1 - 1,2) Дж/Ом·м и K f = 26,79·1011(0,1 - 1,0) Гц/Ом - коэффициенты...