Патенты с меткой «тонких»

Номер патента: 1803559

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Блищенко, Вишневский, Крюченков, Миронов

МПК: E21C 41/18

Метки: водными, ископаемого, мощности, объектами, пластов, полезного, предохранительных, разработки, средней, тонких, целиков

...нарушения взрывом непосредственной кровли и самого пласта оставляют предохранительную пачку, величина которой из опыта торпедирования равна трехкратной вынимаемой мощности пласта, В скважине эта величина определяется нижним концом заряда ВВ. Вследствие взрыва вокруг скважины создается зона ак(Ь=О), Согласно и. 6, 2. Правил охраны данный объект относится ко 1 группе водныхобъектов, Безопасную глубину(Нб) для этогопласта определяем по таблице 6.2 упомяну 45 тых Правил охраны, согласно которой при Ьг =О, в=1,5 м и содержании в тол.це 35% . аргиллитов и алевролитов Но=80 м. Поскольку фактическая глубина залегания пласта 50 меньше безопасной (НфНб), то в пределах зоны опасного влияния водного объекта оставляют предохранительный целик,...

Номер патента: 1803689

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Глинкин, Кагарлицкий, Насонов, Овсюк, Пинес, Похилевич, Спивак

МПК: F27B 3/06

Метки: заготовок, металла, нагрева, печь, тонких

...затворы 17 с системой удаления окалины. Футеровка подвижной балки на обоих концах имеет прорези 18, в которые устанавливаются каретки загрузки 19 и выдачи 20, Каретки одинаковой конструкции и состоят из водоохлаждаемой рамы 21 с закрепленной на ней водоохлаждаемой штангой 22. Каретка .передвигается по направляющим 23 при помощи механизма 24, установленного на раме 13. Штанги кареток расположены в одном уровне с подвижными балками.Исходное положение балок печи перед работой следующее. Подвижные балки 12 шагающего пода опущены ниже стационарных и их торцы. приближены к транспортирующему устройству загрузки 2, а каретки 19 и 20 вдвинуты в подвижные балки 16. Прорези 10 балок 6 транспортирующих устройств 2 и 5 совмещены с осями...

Номер патента: 1803769

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Берестов, Волобуев, Евстюхин, Кутепов, Митрохин

МПК: G01N 3/00

Метки: испытаний, механических, образцов, тонких

...в захватах испытательной машины и локальным нагревом легкоплавкого вещества устраняют жесткое соединение частей подложки, При этом перед рассоединением частей подложки в зазоре между подлоккой и рабочей частью образца размеща:от экран 4, предохраняющий образец как от нежелательного теплового потока, так и от попадания легкоплавкого вещества нд испытуемый образец. В зависимости от конкретных требований к условиям прове.Иванова Техред М,Моргентал Коррек Редак ецм Тираж Подписноерственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 аказ 1050 ВНИИПИ Гос ьский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 Производственно-и)дения испытаний, в частности к точности определения нагрузки на образце,...

Номер патента: 1803770

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Берестов, Волобуев, Евстюхин, Кутепов, Митрохин

МПК: G01N 3/00

Метки: испытаний, механических, образцов, тонких

...испытуемого образца теплового и химического потока. Это достигается тем, что испытуемый образец размещают на подложке с выемкой у рабочей части образца и так, что к подложке обращена нерабочая кромка образца, а части подложки соединяют легкоплавким и легкорастворимым веществом и разъединение осуществляют нагревом или растворением. 1 ил,мого вещества (например, льда, склеечной смолы с температурой давления 40 - 50 С, кристалла соли и т,п,), а образец размещают таким образом, что к боковым частям подложки обращена нерабочая кромка образца. Устанавливают подложку с образцом в захватах испытательной машины, при помощи нагрева или растворением разъединяют р части составной подложки, удаляют ее боко- вые элементы и прикладывают к образцу...

Номер патента: 1803771

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Берестов, Волобуев, Евстюхин, Кутепов, Митрохин

МПК: G01N 3/00

Метки: испытаний, механических, образцов, тонких

...одной из час- . тей подложки под действием сил гравитации в направлении от образца. 1 ил,щи льда, кристалла соли и т,п,). Взаимное ориентирование частей подложки выполняют с учетом расположения образца и подложки в захватах испытательной машины, А именно: сопрягаемые между собой поверхности частей подложки выполняют под углом к оси образца большим угла трения для соединения материала и материала частей подложки с возмокностью перемещения средней части подложки в свободном состоянии под действием собственного веса в направлении от образца. Подложку с закрепленным на ней образцолл устанавливают в захватах испытательной машины. Раэьединяют части подложки, например, путем локального нагрева мест их соединения, или растворением...

Номер патента: 1803892

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Семенцов, Семенцова, Сидоренков, Тимченко

МПК: G01R 27/00, G01R 33/05

Метки: магнитных, пленок, тонких, электросопротивления

...анизотропии пленкиН(Н Н),ориентируют вдоль тока (соответствует /ъ = 0), Используя скользящиетоковые и измерительные контакты, вращают пленку в ее плоскости (изменяют угол ре).Максимальное значение О (О, О)/ (т,е, Е/при фиксированном(т,е.соответствует20 ре = О. Величина падения напряжения в соответствие с (2) определяется двумя угламиО ( фе, /Ъ). При фИКСирОВаННОМ ЗНаЧЕНИИсилы тока измеряют напряжение для Ъ = О,25при ъ = л/2 и для уе = л/2 при уп = 0 иопределяют значения Л Вп и ЛВе по форму- лам Сущность предлагаемого способа заключается в следующем. Связь напряженности электрического поля Е с плотностью электрического тока ) для анизотропной ТМП может быть представлена следующим образом: Е = Р + 2 оп(йп ЛЪп + 2 пе (йе 1) ЛРе где...

Номер патента: 1809062

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Джаксалыков, Исаков, Крутиков, Мещеряков, Мисюрин, Муртазаев, Прокушев, Сергеев

МПК: E21C 41/22

Метки: крутопадающих, разработки, рудных, тел, тонких

...5, после чего настил 1 перемещают в О породный полублок 3 и подвешивают под (Э углом естественного откоса отбитой руды 6 оь (фиг. 1) и отбирают руду (фиг. 2), затем отби- Я тую руду 6 частично выпускают для формирования необходимой высоты рабочего пространства между отбитой рудой б,и руд- фф ным забоем 7 и разравнивают поверхность отбитой руды 6 для удобства производства буровых работ, после чего настил 1 перемещают в рудный полублок 2 и подвешивают под углом естественного откоса отбитой породы 8 (фиг. 3) и отбивают породу (фиг. 4),затем отбитую породу 8 частично выпускаютя формирования необходимой высоты рабочего пространства между отбитой пороой 8 и породным забоем 9 и разравнивают дой и по поверхность отбитой породы 8 для удля...

Номер патента: 1809840

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Либерто, Франческо

МПК: C23C 14/32

Метки: вакууме, нанесения, пленок, тонких

...и направляются к противоположной стенке под углом, ограниченным 30 градусами. Атомы доходят до противоположной стороны катода и возвращаются в обратном направлении, но при этом они не сталкиваются с другими частицами,При таком рикошете атомы с большей вероятностью сталкиваются с электронами газа, образующего плазму, и в свою очередь ионизируются. Между стенками катодов образуется большое количество ионов, которые под действием положительного заряда анода 5 устремляются к противоположному выходу и затем к подложкодержателю 8, на котором происходит осаждение требуемого покрытия,Для получения достаточной степени ионизации атомов и соответствующих ионов и для получения требуемой толщины тонкого слоя, расстояние между мишенями 1 и 3...

Номер патента: 1810785

Опубликовано: 23.04.1993

Автор: Хван

МПК: G01N 3/08

Метки: испытания, листового, образцов, сжатие, тонких

...одноосного напряженного состояния, элемент центрирования выполнен в виде винта с шариком на его рабочем торце, а устройство снабже но прижимным упором, установленным внаправляющей рамке и взаимодействующим одним торцом с шариком элемента центрирования, вторым - с одной из пластин, и установленным между второй стойкой станины и второй пластиной упругим о= РЧРо 1 о. центрирующий шарик б винтом 5 до соприкосновения левой пластины 7 с эластичной прокладкой 8 усилием поджатия 0,2-0,3 кн.Устройство в собранном виде устанавливают на опорную плиту испытательной машины, затем нагружают образец силой Р через нагружающую плиту 12. При этом деформации по толщине образца компенсируются сжатием тонкой эластичной прокладки 8, обеспечивая тем...

Номер патента: 1817710

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Гермашов, Гребенюков, Диордица, Локтионов, Миллер, Миронов, Скороход, Хорошилов

МПК: B21B 1/38

Метки: листов, металлических, пакете, прокаткой, тонких

...и аварию на стане. С тем, чтобы это исключить, заготовки соединяются между собой прерывистым сварочным швом.П р и м е р. 1. В зависимости от диаметра валков. черновой клети определяют толщину пакета, которая должна быть в пределах 0,12 - 0,23 диаметра валка.Так, при диаметре валка 1130 мм толщина пакета может быть Н=1130 х(0,12- 0,23)=135,6 - 259,9 мм.Принимаем 140 мм.2. При отношении суммарной толщины обеих плит обкладок к суммарной толщине заготовок, принятых за единицу, равном 2,45-2,50 и толщине пакета 140 мм суммарная толщина заготовок для проката на тонкий лист будет равна:Нзаг 45 + 1 -40,5 мм пРинимаем 40140мм, тогда толщина каждой плиты обкладок будет равна:140 - 40Нобкл.=2- 50 ммПри суммарной толщине заготовок, равной 40...

Номер патента: 1819187

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Алан, Жак

МПК: B22D 11/06

Метки: валок, металлических, непрерывной, разливки, тонких, устройства

...кольца. Установлено. что ширина канавки обуславливает деформацию наружной поверхностикольца в процессе литья. Например. для50 кольца шириной 865 мм, внешняя поверхность которого в ненагретом состоянии является цилиндрической с прямолинейнойобразующей, при его нагреве максимальноеизменение внешнего диаметра кольца по55 его ширине составляет от 0,12 до 0,24 мм,если ширина канавки приблизительно 300мм; от 0,11 до 0,17 мм, если эта ширинаоколо 350 мм; от 0,05 до 0,14 мм, если эташирина равна приблизительно 430 мм, т,е.половине, ширины кольца.1819187 20 25 30 55 мации кольца 7; и допускают его осевое осевом направлениях,В этом последнем случае образующая кольца имеет небольшую выпуклость в своей середине и в промежуточных, в осевом...

Номер патента: 1822426

Опубликовано: 15.06.1993

Автор: Юнусов

МПК: C21D 1/10

Метки: длинномерных, постоянным, сечением, станок, термообработки, тонких

...в механизме приводароликов.Станок работает в непрерывном режиме следующим образом. Деталь 23, например, тяга стеклоочистителя, иэ магазина 9 подается пения и самопроизвольного смещениядетали в процессе термообработки,Прижимные ролики 5 выполнены свободно плавающими в вертикальном направлении в пазах станины и служатдля прижатия и равномерного перемещения детали,Механизм привода порающих и тянущих роликов (см, Фиг, 3) смонтированна станине станка и содержит электродвигатель постоянного тока 10,звездочку 11, посаженную на вал электродвигателя и соединенную через посредство цепной передачи 12 со звездочкой 13, посаженной на ведущий валподающего ролика, Звездочка 13 черезпосредство шестерни 14, паразитнойшестерни 15, шестерни 16...

Номер патента: 1822954

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Алиев, Исмаилов, Султанов, Шафизаде

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, кинетики, переходов, пленках, тонких, фазовых, электронографического

...подводится к неподвижной щели датчика с фотоэлектронным мнО- жителем и фиксируется на ней, При этом размер щели датчика устанавливается больше ширины дифрвкционной линии с уче 1 ом смещения линии в процессе нагрева исследуемого объекта, исключая попадание дру- ф гих линий спектра в данную щель. После 00 установления необходимой для фазового пе- срехода в исследуемом объекте температуры запускается регистрирующая стойка электронографа и производится запись кривой 1 у зависимости интенсивности линии от температуры, т. е. основной экспериментальный +ф материал, с помощью которой строятся кинетические кривые фазовых превращений.Тем самым отпадает необходимость получения серии кинематических элекгронограмм с фоторегистрацией и их...

Номер патента: 1828455

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Максимов, Соловьева

МПК: C03C 3/07, C03C 8/24

Метки: ионноплазменного, напыления, пленок, подложки, стекло, тонких, ферритовые

...0,1 - 0,3 мкм в рабочем зазоре шириной 0,3 мкм на участке его длины в 100 мкм,Стекло синтезируется при температуре 1300 С в платиновом тигле, Обладает хорошими варочными свойствами. Отлитые из него диски - мишени содержат незначительное количество пузырьков, однородны, не растрескиваются при их распылении. Стекло химически устойчиво, обладает высокой адгезией к ферриту и напыляемой на него пленке Я 02. Температура спаивания ферритовых элементов посредством напыленной пленки этого стекла, не превышает 720 С,Кроме того, достигается существенное повышение однородности, Как видно из таблицы, полости (пузырьки) в зазоре совершенно отсутствуют, чего нельзя сказать в отношении прототипа. Исследование пленки под микроскопом показалотакже...

Номер патента: 1834744

Опубликовано: 15.08.1993

Авторы: Жан-Люк, Жан-Пьер, Козимо

МПК: B22D 11/06

Метки: заготовок, литья, металлических, тонких

...остаточную толщину с 15тем, чтобы зазор между цилиндром и вырезом никогда не превышал 0,1 глм.Известным образом, вырез вставки может быть покрыт металлическим листом (непоказан), предназначенныгл для снижения 20износа вставки в контакте с цилиндрами.Тогда на этот металлический лист наноситсяуплотняющее покрытие 6,6.На фиг,2 показана боковая плита 1, установленная на машине непрерывной разливки, на которой показан участокцилиндров 7,7. Видны, в частности, боковыеповерхности цилиндров 8,8, трущиеся попокрытию 6,6,В варианте покрытие 6,6 может не наноситься на вырезы вставок плит, а наноситься на цилиндры перед разливкой, какэто показано на фиг.З. Каждое покрытиеформирует таким образом кольцо, окружающее торец цилиндра, Рекомендуется...

Номер патента: 1836180

Опубликовано: 23.08.1993

Автор: Лоран

МПК: B22D 11/06

Метки: металлических, непрерывной, отливок, разливки, тонких

...Если стенкиметаллоприемника подвергаются удару потока жидкого металла, покидающего одноиз горизонтальных отверстий разливочного .стакана, имеет место большой риск разрущения этих стенок,По изобретению, для выполнения поперечных стенок металлоприемника взаимодействующих с малыми поверхностямимашины, используется плотный жаростойкий материал.с максимальной механической прочностью. Изолирующие свойстваэтих стенок имеют лишь сравнительно малое значение. На фиг.1 схематично показан вид сверху на цилиндры, разливочный стакан и металлоприемник устройства непрерывной разливки тонкой металлической продукции; на фиг.2 - сечение А-А на фиг.1. На фиг.1 цилиндры 1, 1 устройства снабжены металлоприемником 2, состоящим из четырех стенок, Продольные...

Номер патента: 1836560

Опубликовано: 23.08.1993

Автор: Роланд

МПК: E21C 41/22

Метки: оборудование, разработки, рудных, тел, тонких

...10 установлена клеть транспортного подьемника, перемещаемая с помощью зубчатой рейки, заполняющая прямоугольное сечение штрека в максимальной степени. Эта клеть транспортного подьемника тоже может перемещаться так, как изображено позицией 21 на некоторых последующих фигурах, Сторона для подвешивания 22 сечения штрека может выходить эа пределы рудного тела 24, и на этой стороне предусмотрена направляющая 26 для клети подъемника 20.Согласно фиг. 17, клеть 20 подъемника в своем потолке несет направляющую 28 для подвешивания блока для разработки в виде платформы для выработки или буровой каретки 30 в клети подьемника. Направляющая 28 установлена с возможностью перемещения в боковом направлении и в продольном направлении в потолке клети...

Номер патента: 1838034

Опубликовано: 30.08.1993

Автор: Филип

МПК: B22D 11/06

Метки: лент, металлических, тонких

...всей поверхности цилиндра.Первый ряд впадин 5, параллельных между собой, таким образом выполняется на половине каждого цилиндра, начиная с одной из фронтальных сторон, а вторая половина впадин 6, параллельных между собойвыполняется на второй половине цилиндра, начиная с другой фронтальной стороны, Впадины 5 и 6 имеют одинаковый наклон А.к оси ХХ, при этом каждая пара - к нижней части по направлению извлечения изделия, обозначенному стрелкой 7, когда они обращены в сторону выпускного канала 4.Глубина впадин и их наклон А,выбирается в зависимости от других параметров устройства, Например, угол А может быть порядка 45 и глубина впадин может быть порядка сотни микрон и больше.Устройство дополняется клетью, размещающейся под цилиндрами 2 и 3...

Номер патента: 1716813

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Жиляков, Кириллин, Костановский

МПК: C23C 14/08

Метки: алюминия, нитрида, пленок, тонких

...подложки выбрана в области 150-200 фС, так как при температуре ниже 18 ООС ухудшается адгезия и прочность пленки на подложке и реальное использование пленки представляется затруднительным. Выше 20 ОС адгезия пленки удовлетворительная и ее величина с температурой практически не изменяется. Что касается скорости образования пленки нитрида алюминия, то при скорости выше, чем 400 А/мин, на подложке образуется пленка с избытком алюминия. При скорости образования пленки менее 300 А/мин уменьшается производительность способа,П р и м е р. В рабочей камере универсального вакуумного поста ВУПзакрепляют подложку, например из кварцевогостекла, в виде диска диаметром 18. мм в5 нагревателе-держателе, который установлен над...

Номер патента: 1415804

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Жиляков, Кириллин, Костановский

МПК: C23C 8/24

Метки: алюминия, нитрида, пленок, тонких

...азотом высокой чистоты додавления выше атмосферного; подложка салюминием прогревается при температурене более, чем на 5 - 10 С ниже температурыплавления алюминия в течение 10-12 мин,после чего течперэтуру повышают до 1200; 0 С,1 выдерживают 5-10 мин.Результ.ты исследований по нагреву,м элю,.очи,д толщин.)й 7000 А в печиГВВ 4 при раСочем давлении аэст высокой. с с-. (99.9990 ) 1,5 атм (0,15 МПа) предстаалгны В таблице,ИЗ анализа полученных результатов: е,.уе- гго оптимальными режимными параметрами длл образования пленки нитрида алюм:ния является: 650"С 1660 С (тпл А), т 1-10 - 12 мин, т 2=1200-1250 С.т 2 =5- -10 мин, где с 1 - температура предварительного прогрева: т 1- время выдержки при с 1; т 2 - верхняя температура...

Номер патента: 1760776

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Вильде, Макейчев, Шофман

МПК: C23C 14/35

Метки: магнетронного, напыления, пленок, тонких

СПОСОБ МАГНЕТРОННОГО НАПЫЛЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК, включающий формирование в магнетронном источнике магнитного поля электромагнитом переменного тока, зажигание разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях, распыление материала катода и осаждение его на подложку, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей, перед осаждением осуществляют нагрев подложек магнетронным источником, причем нагрев подложек осуществляют потоком электронов, бомбардирующих подложку при выключении электромагнита на время изменения направления переменного тока.

Номер патента: 1674598

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Исачкин, Локшинский, Мышляев, Овечников

МПК: E21C 27/00, E21C 27/02

Метки: добычи, ископаемых, комбайн, пластах, подземным, полезных, способом, тонких

КОМБАЙН ДЛЯ ДОБЫЧИ ПОЛЕЗНЫХ ИСКОПАЕМЫХ ПОДЗЕМНЫМ СПОСОБОМ НА ТОНКИХ ПЛАСТАХ, включающий корпус с исполнительными органами, установленный на раме забойного конвейера с возможностью регулирования по высоте, опорную часть, шарнирно связанную с корпусом комбайна и бесцепной механизм подачи с тяговыми звездами, установленными на направляющей цевочной рейке, и с приводами, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет улучшения характеристик зацепления тяговой звезды с направляющей цевочной рейкой при одновременном улучшении вписываемости в неспокойную гипсометрию пласта, приводы тяговых звезд размещены на направляющей цевочной рейке посредством опор, имеют проушины и шарнирно соединены с опорной частью комбайна,...

Номер патента: 1442012

Опубликовано: 09.08.1995

Автор: Прохоров

МПК: H01L 21/66

Метки: внутренних, механических, напряжений, пленках, тонких

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВНУТРЕННИХ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ путем вытравливания в подложке окон и измерения геометрических размеров деформированной пленки, по которым судят о величине механических напряжений, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и упрощения процесса измерений, после травления подложку скрайбируют по лицевой стороне через выбранные для исследования структуры так, чтобы излом прошел параллельно свободно висящему краю пленки, отламывают часть пластины и вновь скрайбируют ее параллельно полученному ранее излому с шагом, обеспечивающим прохождение излома через исследуемые структуры, вновь отламывают часть структуры подложки и располагают ее под углом

Номер патента: 1334524

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Бойденко, Дунаевский

МПК: B23D 19/04

Метки: многодисковые, ножницы, продольной, резки, рулонных, тонких

1. МНОГОДИСКОВЫЕ НОЖНИЦЫ ДЛЯ ПРОДОЛЬНОЙ РЕЗКИ ТОНКИХ РУЛОННЫХ МАТЕРИАЛОВ, содержащие станину, привод, два параллельных вала, установленных в станине и связанных между собой и с приводом, стационарные ножи, закрепленные на одном из валов, упругие ножи, закрепленные на другом валу с возможностью взаимодействия со стационарными ножами, и механизм прижима упругих ножей, отличающиеся тем, что, с целью повышения производительности путем сокращения времени на наладку, механизм прижима упругих ножей выполнен в виде неприводного вала, установленного перед параллельными валами со стороны подачи материала на станине в двух подшипниковых опорах, и прижимных роликов, установленных на неприводном валу с возможностью перемещения вдоль его оси и...

Номер патента: 751256

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Чуйко, Якубинская

МПК: B04B 5/00, H01L 21/00

Метки: нанесения, пленок, тонких

СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК, например пленок фоторезиста на подложки, включающий нанесение на подложку раствора фоторезиста, центрифугирование подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества нанесения на подложку раствора фоторезиста, край стороны подложки, на которую наносят раствор, скругляют по всему периметру.

Номер патента: 1409036

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Власов, Волкова, Мингазова, Оранский, Тимофеева, Федоров

МПК: G03C 7/26

Метки: дисперсий, защищаемых, компонент, тонких, цветных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ДИСПЕРСИЙ ЗАЩИЩАЕМЫХ ЦВЕТНЫХ КОМПОНЕНТ со средним размером частиц 0,08 - 0,1 мкм - производных ароматической кислоты или паразолона-5 - путем растворения компоненты в смеси растворителей: дибутилфталата и трифенилфосфата, введения в полученный раствор добавки и эмульгирования полученной смеси в водном растворе желатина в присутствии ионогенного поверхностно-активного вещества, отличающийся тем, что, с целью повышения содержания компоненты в дисперсии при сохранении среднего размера частиц, растворение компоненты в смеси растворителей производят в присутствии добавки - ингибитора кристаллизации - высокодисперсного оксида кремния, а именно аэросила с удельной поверхностью 175 - 300 м2, который...

Номер патента: 1831109

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Жаворонков, Зуев, Шабельников

МПК: G01N 23/223

Метки: анализа, пленок, рентгенофлуоресцентного, тонких

...из торцевого выхода является достаточным закрепление моноблока 11 на узле 13 с постоянной ориентацией оси выхода излучения, Линейное перемещение моноблока обеспечивает совмещение оси выхода с центром прохода между прокладками 9. Упрощение конструкции достигается также за счет прижима рефлектора 10 к рефлектору 7 с зазором, величина которого и находится в диапазоне 5-50 мкм, В предлагаемом устройстве й определяется толщиной прокладок 9, что делает ненужным использование прецизионных средств ориентации и перемещения рефлекторов, Размещение прободержателя 12 и рефлектора 10 в одной детали позволяет отказаться от узла перемещения и ориентации прободержателя,Закрепление рефлектора 7 на оправке 4 упрощает конструкцию за счет фиксации...

Номер патента: 1829760

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Баранов, Достанко, Казачонок, Попов

МПК: H01L 21/263

Метки: планаризованных, пленок, тонких, формирования

...частоты модуляции Гмг35 имеет значение порядка 4 МГц, Ограничение частоты модуляции определяется ограничением подвижности ионов вэлектрическом поле, которые за один период модуляции Тг=1 Рмг не успевают пере 40 сечь область катодного падения потенциалав плазме тлеющего ВЧ-разряда.Способ поясняется схемой, представленной на чертеже, где 1 - рабочая камера,2 - магнетронный источник распыления, 3 -45 блок питания магнетронэ, 4 - мишень, 5 -подложка с рельефной поверхностью, 6 -подложкодержатель, 7 - керамические элементы, 8 - ВЧ-генератор, 9 - согласующееустройство, 10 - генератор импульсов,50 Для реализации способа формированияпланариэованных тонких пленок была модернизована промышленная установка типа 01 НИ-006, предназначенная...

Номер патента: 1635392

Опубликовано: 20.06.1996

Авторы: Ганкин, Классен, Майоров, Ротенберг, Смоляков, Целиков

МПК: B22D 11/04

Метки: вертикального, кристаллизатор, литья, непрерывного, слябов, тонких

...начала процесса вытягивания слитка, заключающиеся в пуске машины в момент подхода уровня металла при наполнении к участку входной полости Кристаллизатор для непрерывного вертикального литья тонких слябов, содержащий охлаждаемые широкие и узкие рабочие стенки, при этом широкие рабочие стенки в кристаллизатора, что исключает возможность зависания корочки на участке входной полости и отрыва затравки от корки слитка. В кристаллиэаторе с описанными размерами входной полости отливают слябы шириной 800-1100 мм и толщиной 30 - 60 мм.П р и м е р 2. Кристаллизатор для литья тонких слябов шириной 1200 мм и толщиной 50 мм имеет наибольший поперечный размер входной полости 140 мм, что обеспечивает возможность введения плоского погружного...

Номер патента: 1786749

Опубликовано: 20.09.1996

Авторы: Афанасьев, Винокуров, Егорова, Олеск, Пряжкин, Таллерчик

МПК: B22F 3/12

Метки: мишени, пленок, тонких

...по предлагаемому, где 1 - керамикаВТСП, 2 - медное основание, На границе между ними образуется тонкий слой 3, обеспечивающий хорошую адгезию мишени к основанию и отвод от мишени тепла в процессе распыления, На фиг,3 изображена конструкция магнетрона, где 4 - магнитопровод, 5 - охлаждающая вода, 6 - мембрана, 7 - прижимная рамка, 8 - области локализации плазмы,Рассмотрим процессы, протекающие при распылении мишени, изготовленной по предлагаемому способу, Плазма разогревает поверхность мишени неравномерно, что приводит к механическим напряжениям. Медное основание выравнивает тепловое поле и благодаря хорошему тепловому контакту к мембране охлаждаемого магнетрона отводит тепло, что позволяет уменьшить эти напряжения. Кроме того,...