Патенты с меткой «тонких»

Номер патента: 147139

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Михеев

МПК: F26B 15/08

Метки: пиломатериалов, сушки, тонких

...в полости движущихся плит.Предлагаемая установка имеет камеру с расположенными по вер тикали и включенными последовательно . транспортерными звеньями (на фиг 1 показано одно звено) с перемещением шпона 1. Верхние плиты 2 (ветви первого конвейера) поддерживаются с двух сторон балками 3, которые могут подниматься на 10 - 15 ды. Нижние плиты 4147139опираются при движении на неподвижные балки 5, Плиты 2 и 4 устанавливаются с разрывами вдоль транспортеров Плиты 4 имеют продольные пазы 6 для циркуляции воздуха.Плиты 1 и 4 (фиг, 2) имеют патрубки 7 и 8, которые крепятся к днищам 9 и 10 неподвижных кольцевых трубопроводов 11 и 12, Днища 9 и 10 представляют собой стальные тонкие ленты, смонтированные в направляющих. Нагретый воздух в...

Номер патента: 150631

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Янковский

МПК: C22B 1/10, C22B 7/02

Метки: возгонов, тонких, укрупнения

...бумажного фильтра.Определение к. п, д. производили на малых количествах возгонов для того, чтобы зерна насадки не успели покрыться слоем пыли, достаточно толстым для его разрушения, В противном случае на фильтр будет попадать не только пыль, не осевшая на зернах насадки, но и обломки пылевых наростов, образующихся на зернах,Установлено, что при входной температуре 400 к, п. д. осаждения возгонов на зернах насадки составляет около 35 ОО,При исследовании второго и третьего вопросов, связанных с динамикой поведения пылевых наростов на зернах насадки, процесс вели длительное время, В соответствии с этим опыты проводились циклично; после полного испарения материала из лодочек процесс прекращали, и в кварцевую трубку печи задвигали новые...

Номер патента: 151661

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Дудин, Осипов, Поляков, Хорьков

МПК: B21C 47/34

Метки: автоматический, агрегатов, вертикального, захлестыватель, непрерывной, полос, типа, тонких

...изображен описываемый захлестыватель в исходном положении; на фиг. 2 - то же, в рабочем положении.Захлестыватель монтируется на ограждении 1 моталки 2 и состоит из сварной рамы 3 и направляющих штанг 4, которые своими концами крепятся к верхнему и нижнему основаниям 5 и б. Все детали захлестывателя установлены на подвижной раме. Рабочим органом являются два непрерывных ремня 7, огибающих ролики 8, 9, 10, 11, 12 и 18. В нижьей части подвижной рамы шарнирно установлены двуплечие рычаги 14 и 15, сочлененные со штоками пневмоцилиндров 1 б и 17.Подвижная рама посредством гидроцилиндра перемещается вниз до соприкосновения ремней с вращающимся барабаном моталки.При дальнейшем движении рамы ремни охватывают барабан моталки и приводятся в...

Номер патента: 171622

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Каганов, Чередниченко

МПК: B23K 3/00, G01M 13/00, G01N 3/28 ...

Метки: испытания, крестообразных, пластичность, проволок, соединений, тонких

...проволок, сваренных контактной точечной сваркой, по известному методу, осуществлялись вручную, без приложения постоянной нагрузки.Предлагается для осуществления этого метода машина. Она снабжена зажимом, в котором укреплен один из элементов соединения, и системой блоков, через которые переброшен другой элемент, причем один из блоков неподвижный, а другой, связанный с кареткой, перемещаясь, изменяет угол поворота этого элемента.Это позволяет определить угол отрыва, характеризующий пластичность сварного соединения, при постоянно приложенной нагрузке,На чертеже представлена предлагаемая машина, общий вид,На основании 1 установлен зажим 2, в котором закрепляется один из элементов сварного соединения. Другой элемент переброшен через...

Номер патента: 185840

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Максимов

МПК: B01D 3/28

Метки: пленокжидкости, равномерных, создания, тонких

...Комитет по деламизо 0 ретений и открытипри Совете МинистровСССР.1966 ата опубликования описани Авторизобретени Л. Н. Макси аявите ТОНКИХ РАВНОМЕРНЫХ ПЛЕНОКЖИДКОСТИ ПОСОБ СОЗД Способ создания тонких равномерных плечок жидкости путем истечения ее через щель, отличающийся тем, что, с целью создания истечения тонкой пленки жидкости из щели, увеличенной до величины порядка капиллярвой постоянной жидкости, истечение ее осуществляют под разрежением, компенсирую щим гидростатический выходной напор надщелью. Известен способ создания тонких равномерных пленок жидкости путем истечения ее через узкую щель под действием собственного веса, При этом возможно забивание узкой щели, которую трудно очистить,Чтобы создать истечение тонкой пленки...

Номер патента: 187839

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Росницкий, Торотенков

МПК: G11C 11/14, G11C 5/02

Метки: запоминающего, магнитных, матрица, пленках, тонких, устройства, цилиндрических

...или устранено совсем. При этом оно будет мало зависеть от геометрических размеров запоминающей ячейки.Таким образом, геометрические размеры ячеек могут быть уменьшены до таких величин, которые обеспечивают существующий уровень технологии. Величина истинного поля возбуждения в ячейках предлагаемой матрицы будет близка к величине поля управляющих токов, это даст возможность снизить их амплитуды, Выход магнитного потока из пленки запоминающей ячейки будет локализован в месте подхода дополнительного магнитопровода к пленке. Благодаря этому запоминающие ячейки могут быть расположены весьма близко одна к другой.На чертеже показан один из вариантов выполнения предлагаемой матрицы.Цилиндрическая тонкая магнитная пленка нанесена на провод 1...

Номер патента: 188256

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Грищенко, Палатник

МПК: C23C 14/26

Метки: нанесения, пленок, тонких

...Х.1966. Бюллетень2 ТОНКИХ ПЛ ПО АНЕС сионе математического расчета для ктдельного случая. Предмет изобретения 5 Способ нанесения тонких пленок испарения в вакууме и термического о ния молекулярного пучка испаряемого ства, отличающийся тем, что, с целью пия слоя с заданным распределение 0 щины на поверхности любой формы и мии испаряемого вещества, отражени формацию молекулярного пучка про при помощи вогнутого отражателя.и дзвод Известны различные способы нанесенитонких пленок путем испарения в вакууметермического отражения молекулярного пучка испаряемого вещества. Предлагаемый способ позволяет получать покрытие с заданным распределением толщины на поверхности любой формы и заключается в том, что отражение и деформацию молекулярного...

Номер патента: 188711

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Бадинтер, Балабан, Зеликовский, Кишиневский

МПК: G01K 3/00, G01K 7/20, G01R 27/02 ...

Метки: проводов, температурных, тонких, характеристик

...проводов.На чертеже представлена схема описываемого устройства,Отрезок испытуемого провода 1, укрепленный горизонтально в термостате, служит одним плечом моста, другим плечом (плечом сравнения) является сопротивление 2, Два остальных плеча моста образованы сопротивлениями 3 и делителем напряжения 4. Уравновешивание моста производится изменением сопротивления 2 при начальной мощности, отмечаемой на шкале ваттметра а, отградуированной в С. Отрезок провода нагревают до нужной температуры путем пропускания по нему тока, мощность которого фиксируется ваттметром. Изменение сопротивления отрезка провода вследствие его нагревания приводит к разбалансу моста. Разбаланс устраняется делителем напряжения, отсчетный лимб которого...

Номер патента: 177825

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Костицин, Липкин

МПК: B65G 59/04

Метки: вакуумный, листов, раскладчик, тонких

...пе прижим чет к й увлекает лист чики, 1 ЦЕГОСЯ приемцВецт кетом листа которы цые ро П Известен раскладчик листовой стали, у которого лист отделяется от стопы с применением вакуума, создаваемого вентилятором. Такой раскладчик имеет подъемный стол, вентилятор с патрубком для создаПня разре женил цад стопой листов и злектромапьитцый ролик, встроец 11 ый в патрубок вентилятора и подающий лист к транспортному устройству.Особенность описываемого раскладчцка заключается в том, что он снабжен ленточными 10 транспортера:1 и. ДВ 15 к щиоис 51 по Оока.1 ВсасыВаюц 1 его патруока 13 ецтилятора. Это позВО- ляет производить раскладку листов магнитного и немапитцого материалов и упрощает конструкцию раскладчика. 1На чертеже схематически изображен...

Номер патента: 180267

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Авдеева, Рыбинский

МПК: H01F 1/37, H01F 10/20, H01F 41/22 ...

Метки: магнитных, оксидных, плоских, тонких

...Отпрессоиапные детали подвергают термической обработке.Мицвалыая толщина получаемых такими способами деталей 0,3 - 0,5 лл. Более тонкие плоские детали можно получить лишь последующим шлифованием обожженных изделий. В связи с высокой абразцвностью оксидных магнитных материалов после обжига для шлифования применяют дорогостоящий абразивный материал (алхтазные круги), износ которых очень велик.Отличие предлагаемого способа состоит в том, что компоненты связующего берут в соотношении 1:1 и производят термообработку при температуре, обеспечивающей их полное вьжигание.Это упрощает технологию изготовления ц уменьшает расход оксидных материалов в результате уменьшения толщины деталей до 0,05 лл без шлифования.Для изготовления...

Номер патента: 190936

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Субботин, Эрглис

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитных, пленок, сигналов, считывания, тонких, усилитель

...ключе 5 потенциал точки 4 был близок к нулю. В этом режиме через туцнельный диод ТД одновцбратора - формирователя выходного импульса протекает нужный начальный ток, Через сопротивление Й; задается требуемый ток базы триода Тв.Если ключ 5 относительно долго разомкнут. то, вследствие дрейфа усилителя и цзмеце 11 ня потенциала базы триода Тв, напряжение в точке 4 и ток через туццельный диод ТД доходят до крайних значений. Чтобы избежать сильного нарушения режима, нормальное со.,НИИПИ Кохи.тета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4 ипография, пр, Сапунова,3стояние ключа выбрано замкнутым. При этом,благодаря действию отрицательной обратнойсвязи, потенциал точки 2 близок к...

Номер патента: 196124

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Дерюгин, Марчук, Сотин

МПК: G01R 27/26

Метки: мальгх, потерь, тонких

...служащий источником линсйно поляризованного моно хроматического и малорасходящегося луча, диэлектрическую призму 2 с проницаемостью ее, тонкий диэлектрический слой , выполняемый из диэлектрика с проницаемостью ез, исследуемую пленку 4, обладающую диэлектрической проницаемостью ет, поворотное устройство б, используемое для вращения призмы 2 и изменения угла падения ср луча лазера 1 на пленку 4, а также приемник 6 излучения, отраженного от пленки 4.Между диэлектрическими проницаемостями призмы 2, диэлектрического слоя 3 и пленки 4 должно выполняться соотношениеее) Ы е 4) ез(:осааг сги Х. НгусиТсхрд Т. П. Курлко Коррскоры: Б. Н. Гу аоааи и. И. Быстров 1 слакоИ. Корчсчко За;аа 1 о 24 3 Тиран 535 Поди исиосЦНИППП Коаигста ио;сгак...

Номер патента: 197810

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Годлис, Свецинский, Шнайдер

МПК: B23K 9/167

Метки: лент, сварки, тонких

...ном режиме неплавящпмся электродом с защитой корня шва. После сварки производягаклеп поверхности шва валками,Способ сварки тонких лент из цветнь таллов и сплавов встык без усиления ш плавящимся электродом в среде защ 10 газов на теплоотводящей подкладке с ложением сварного шва под углом к ос ты, от,гичагощийся тем, что, с целью по ния прочности и герметичности швов,производят в жестком импульсном р 15 при отношении времени паузы к време ильса оольше единицы.Известен способ сварки тонких лент из цветных металлов и сплавов. Сварку производят встык без усиления шва неплавящимся электродом в среде защитных газов на тепло- отводящей подкладке с расположением сварного шва под углом к оси ленты.Предлагаемый способ отличается от известного тем,...

Номер патента: 198036

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Агрофизический, Лискер, Орехова

МПК: G01N 27/02, G01N 33/24

Метки: влаги, дисперсных, связи, слоях, состояния, тонких, форм

...константами почвы, При этом для построения термограммы сушки производят непрерывное взвешивание и определение температуры образца и окружающей среды. Это требует значительных затрат времени и сложной аппаратуры,Предлагаемый способ, с целью повышения точности измерений, осуществляет контроль за влажностью почвы в процессе сушки путем непрерывного измерения электрического сопротизления почвы, которое быстро реагирует на всякое изменение влагосодержания.Сущность описываемого способа заключается с следующем,Образец исследуемой почвы произвольной влажности в виде тонкого слоя помещают между двумя электродами. Один из электродов представляет собой тонкую металлическую чашку, другой - тонкое металлическое кольцо, О состоянии и формах...

Номер патента: 199485

Опубликовано: 01.01.1967

МПК: G01N 30/90

Метки: подготовки, слоев, сорбентов, тонких

...мало изменяется в течение 30 мин при выдерживании его в атмосфере лаборатории, относительная влажность которой может ко. лебаться от 45 до 70%, Указанного времени вполне достаточно, чтобы нанести исследуе мые пробы на подготовленный слой и поместить его в камеру для хроматографирования,НКЙХ СЛОЕВ СОРБЕНТОВ Для стабилизирования окиси алюминия по активности в незакрепленных слоях (без связуощего компонента), слои готовят из хроматографической окиси алюминия 111 степени активности. Прп использовании окиси алюминия другой активности предварительно доводят влажность адсорбента до 5,5%, а затем уже готовят тонкие слои и помещают их в камеру для стабилизации по активности, Если в камере стабилизируют тонкие слои окиси алюминия, закрепленные...

Номер патента: 201211

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Козловский, Рабинович

МПК: B65H 3/08

Метки: нластин, расслоения, тонких

...одна к другои горизонтальными плоскостями. В этих плоскостях расположены отклоненные от вертикали сопла 3 ц 4 для подачи в щель сжатого воздуха, поступающего в камеры через штуцеры б и б.Описываемый способ может найти применение, например, в приборостроении для расслоения тонких пластин слюды при транспортировании их на вцбраццонцых цли пневматических лотках.Во время транспортирования наслоенные пластины попадают в щель между горизонтальными плоскостями камер. Верхняя пластина обдувается струями воздуха цз сопел 3, притягивается за счет аэродинамического эффекта к верхней плоскости камеры 1 ц вследствие наклона струй под углом к вертикали пластина отводится по направлению наклона струй из щели. Нижняя пластина, также подвергаясь...

Номер патента: 201541

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Павлюченко, Петров, Спивак

МПК: G01N 23/02, H01J 3/26

Метки: доменной, наблюдения, пленок, структуры, тонких, ферромагнитных

...быстрого перемагничивания в просвечивающем электронном микроскопе 1 синусоидальное 5 напряжение генератора 2 усиливается резонансным усилителем 8, в контур которого наряду с высокодобротной катушкой 4 включены находящиеся в колонне микроскопа перемагничивающие катушки б, чем достигается 10 необходимая амплитуда переменного магнитного поля на образце б, которая регулируется изменением усиления усилителя 3 или расстройкой колебательного контура 7. Параллельно синусоидальное напряжение с генератора 15 2 через фазовращатель-усилитель 8 запускает в генератор 9 прямоугольные строб-импульсы, которые через импульсный трансформатор 10 поступают на модулятор 11 и отпирают электронную пушку 12, запертую напряжени ем батареи И, приложенным между...

Номер патента: 203315

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Константинов, Фельдман

МПК: G11C 11/14, G11C 5/02

Метки: магнитных, матрица, пленках, тонких

...проходит шина смещающего поля б, в которую постоянно подается ток рабочей частоты с постоянной фазой. При подаче 30 радиоимпульсов в ту или иную пару координатных шин на пленку 1, лежащую на перекрестии вертикальной шины 4 и шины смещения б действуют одновременно поля, создаваемые шинами 4, 5 и б. На остальные пленки выбранной горизонтали действуют поля, создаваемые обмотками 5 и б, а на остальные пленки выбранной вертикали действуют поля обмоток 4 и б,Токи, подаваемые в обмотки, выбираются таким образом, чтобы поле, создаваемое шиной 4, было больше или равно Нк, а поля, создаваемые шинами 5 и б, были бы меньше Нк, причем поле шины б меньше поля шины 5 (здесь Нк - поле анизотропии пленки). При одновременном действии полей,...

Номер патента: 204270

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Грацинский, Дзебань, Коз

МПК: G01N 29/04

Метки: границ, пластов, прослоев, скважине, тонких, трещин

...состоит в использовании эффекта изменения видимой частоты принятых колебаний и возрастания амплитуд некоторых фаз продольной и поперечной головных волн в случае прохождения измерительного зонда над границей пластов или над трещиной.Экспериментальные графики (фиг. 1) наглядно иллюстрируют картину изменения видимой частоты и амплитуд фаз продольной и поперечной головных волн при прохождении зонда излучатель - приемник над трещиной. На графиках по осям ординат отложены величины видимого периода (фиг. 1,а) и нормированные амплитуды фаз поперечной (фиг, 1,б) и продольной (фиг, 1,в) головных волн, по оси абсцисс - расстояние, проходимое зондом. Для нормирования значение амплитуды определенной фазы в каждой точке отнесено к значению на...

Номер патента: 205312

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Кацнельсон, Фурман

МПК: G01B 11/06, G02B 27/60

Метки: пленок, процессе, толщин, тонких

...образцом на пути напыляемого вещества устанавливают диафрагму 5, расположенную таким образом, что она экранирует часть образца, вследствие чего 30 пленка б образует на подложке ступеньку, вЫ- сота которой точно равна толщине пленки.Для измерения высоты ступеньки на эталонный образец проектируют объективом 7 изображение 8 растра 9, подсвечиваемого источником 10 с помощью конденсора 11. Оптическая ось проектирующсй системы расположена под углом 45" и больше к подложке. Поэтому, ч 1 обы изображение имело вид растра с постоянным шагом, необходимо растр устанавливать под углом к оптической оси, при этом шаг его должен меняться.После отражения от образца изображение растра проектируется объективом 12 в плос. кость, где установлен такой...

Номер патента: 205372

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Август

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропии, магнитных, пленок, поля, тонких

...значения к текущему измеряют мгновенное значение результирующего поля вдоль оси легкого намагничивания,В качестве входной величины при измерении предлагаемым способом используется амплитуда составляющей индукции пленки, направленной вдоль трудной оси. Эта величина пропорциональна з 1 пО, где О - угол между направлением намагниченности и легкой осью. Так как поле, приложенное вдоль трудной оси, мало,тох(0) =Аз 1 пб=СН,з 1 пМ где:Н, - амплитуда поля, приложенного вдольтрудной оси;ш - частота этого поля; ное значение поля Нс= й и, в частности, при и= ный способ основан на том, ч ии намагничивания смещением" ( - .) в 1 п 6, сов 6, яп 6 = - з 1 п 8,.1Л Составитель В. М. ЩегловТехред Т. П, Курилко Корректор М. П. Ромашова Редактор...

Номер патента: 207261

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Торотенков

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропией, анизотропии, магнитных, одноосной, пленок, поля, тонких

...поля определяют анизотропию исследуемой пленки.С целью пояснения описываемого способа на чертеже приведена схема устрой:тва для его осуществления.При измерении поля анизотропии вдоль оси легкого намагничивания создают импульсное магнитное поле, меняющееся по знаку, Импульсы магнитного поля должны иметь длиочную для перемагничиватной пленки из насыщенного м направлении в насыщен- противоположном направле207261 Составитель В. Агапов 2 ЬлгОои Типография, пр. Сапунова При дальнейшем увеличении постоянного поля по оси трудного намагничивания вид сигналов с тонкой магнитной пленки принципиально не меняется, уменьшается лишь их площадь и амплитуда за счет меныпего отклонения намагниченности от о и трудного намагничивания импульсами поля по...

Номер патента: 209611

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Варденбург, Зайцева, Пухова, Филиал

МПК: C08L 33/10, C09K 3/10

Метки: герметизации, компаунд, техники, тонких, электронной, элементов

...МГФв количестве 0,25 - 0,7% и перекисью бензола (0,01%) и подвергают при 100 С форполимеризации до достижения вязкости по вискозиметру ВЗ(при 20 С) 15 - 20 льин. В случае применения компаунда для целей пропитки процесс останавливают раньше при меньшей вязкости. После введения ингибитора полученный прозрачный и бесцветный сироп может хранить. ся более 3 месяцев.Перед полимеризацией в компаунд вводят перекись бензоила (0,1 - 0,5% ), после чего он хранится не менее 7 суток,Полимеризацию осуществляют нагреванием при 70 С в течение 24 - 30 час или при 100 С в течение 2 - 3 час с дополнительным прогревом 10 - 12 час при 125 С. Возможна полимеризация при 20 С в течение 24 час при введении известных активаторов (в этом случае поверхность...

Номер патента: 213431

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Пивоваров

МПК: G01P 3/54

Метки: бесконтактного, движения, измерення, линейной, скорости, тел, тонких, ферромагнитных

...полосе или другому ферромагнитному тонкому телу 2. Статор возбуждается от механического генератора частоты 3, который приводится во вращение двигателем Вследствие доменной структуры перемещающегося в магнитном поле ферромагнит ного тела 2 в нем происходит ступенчатое персмагничивание, индуктирующее в катушке б токи повышенной частоты и токи частоты скольжения. При синхронном движении тела 2 и магнитного поля в катушке б э,д.с. будет 15 равна нулю, а при асинхронном движении ихэ.д.с. токов повышенной частоты будет поступать на усилитель 7 и далее на блок автоматического поиска нуля 8, который управляет частотой возбуждения статора 1 для 30 поддержания синхронного движения поля итела 2. Скорость движения полосы (тела) 2 Определяют с...

Номер патента: 218487

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Егоров, Кондратенков, Рубашов

МПК: G01N 25/18

Метки: коэффициента, пленок, теплопроводности, тонких

...тем, что, с я точности определения, пл кет, а тепловой поток напр иента теплоем измерения пада температсления коэфзвестной форцелью ловыевки собирают авляют вдоль Зависимое от авт. свидетельства МЗаявлено 10.1 Ч,1967 ( 1148972/2с присоединением заявкиПриоритет Известны способы определения коэффициента теплопроводности тонких пленок путем измерения потока тепла, проходящего через пленки, перепада температуры на них и последующего вычисления коэффициента теплопроводности по известной формуле.Эти способы не обеспечивают точности определения, так как не учитывают термическое сопротивление контактов при измерении температуры пленок, соизмеримое с сопротивлением самих пленок.Особенностью предложенного способа является то, что пленки собирают...

Номер патента: 219264

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Котьфов, Разыгрин, Розенфельд

МПК: G01N 3/02, G01N 3/08

Метки: пленок, полимерньгх, радиального, растяжения, резиновых, тонких

...повсркцость матрицы и вцутренцяя поверхность пудцсоцдимсот волцообразцый профиль с убываошейот цсцтра к краю высогой зубцов, а высотакольцсвык зубцов и расстояиие между цим;опредсляк)тся диаметром матрицы и параметрами раст 5 Гиваемо плевки. Это обеспсчивасграьцомерцое растяксцис плсцки и гладкуюрастянутую по)еркиостыНа чсртсжс из 001)яжсио ОГ 1 исыВяс.10 е устройство,ЪстРОГстВО дл 51 Ра;иальиОГО 1)дст 5 жсци 5тонки.; полимерцык и )сзииовык плсцок содержит корпмс 1 и ц)ыи)км 2. Корпмс ВыпОЛ -иси В виде матрицы, а крышка - в виде пуансоиа с отверстием 5 в це прс, определясмы:,1)23.01)ах 11 п 1)оекти 1)уемо 0 Геп,10 ВОГО изобрд. 2жсци 51 ид 1);боч 5 ю аи плевки 4.цоьсрк ость корпуса и вцутрецци)с) ь крышки имсют волцообразцьс...

Номер патента: 220314

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Ершое

МПК: G11C 11/14, G11C 29/00

Метки: однородности, пленок, тонких, ферролагнитных, цилиндрических

...индукция насыщения, Н - поле анизотроппи, а второй горизонтален и находится на оси Х на 20 расстоянии, равном В,. Воздействие синусоидального переменного поля с амплитудой Н, на материал с такой магнитной характеристикой приводит к появлению во вторичной э д.с.третьей гармоники, зависимость амплитуды 25 которой Е,от амплитуды Н, выражаетсяследующей формулойгде Е, - амплитуда третьей гармоники, О, - амплитуда переменного поля, д и Н - толщина н поле анизотропии контролируемого участка пленки, А - коэффициент, зависящий от числа витков вторичной обмотки Л, радиуса подложки Я, частоты переменного поля 1 и индукции насыщения В, материалов пленки (которую предполагаем равной индукции насыщения массивного материала):А= (16 л ЯРВ,) зВсе...

Номер патента: 257624

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Игнатов, Удалов

МПК: G01N 27/72, G01R 33/12

Метки: исследования, магнитометр, пленок, тонких

...в демпфирующей жидкости.На фиг. 1 изображена блок-схема описываемого магнитометра; на фиг. 2 - конструкого механизма записывающегона на подвижном столике 15, который при изменении напряженности Н магнитного поля смещается в направлении, указаином стрелкой 1 б. Напряженность магнитного поля изменяют посредством изменения тока в обмотке электромагнита путем регулировки сопротивлений 17 с помощью двигателя 13 и соответствующих реле, Величину тока фиксирует амперметр 19 с зеркальной шкалой, на которую падает луч от источника света 20. Стрелка амперметра 21 удерживается в освещенной областипри этом от шкалы отражаются два луча, падающие на фотодиоды 22, включенные на вход блока 23, аналогичного блоку 9.Выход стрелки из нейтральной области...

Номер патента: 257628

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Захаров, Кон, Малин

МПК: H01L 21/00

Метки: манипулятор, переноса, пластин, полупроводниковых, тонких

...соединенный с пневмосопротивлением, Инертный газ повышенного давления от пневмосопротивления проходит по каналу 3 и, радиально рас О пределяясь, истекает с большой скоростью через зазор, между оптической плоскостью 4 головки и пластиной 1 (пластину с полированной поверхностью можно рассматривать как вторую оптическую плоскость). При больших скоростях движения газа образуется полость низкого давления (закон Бернулли), Атмосферное давление поднимает и удерживает пластину во взвешенном состоянии в зазоре относительно захвата, равном 0,05,ил. Истечение газа осуществляется через отверстия 5 и 6, выполненные по периферии головки, При этом отверстия 5 расположены выше зазора между. пластиной и оптической плоскостью головки, а отверстия 6...

Номер патента: 237557

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Бровин, Герцнк, Набиуллин, Сладков, Целов

МПК: B23Q 7/10

Метки: дисков, загрузочное, многопозиционное, пластин, тонких

...опубликования опис Известны миогопозиииоииыс загрузочиггсприспособления для тонки.; дисков или плаСТИН С ВСРТИ(ЯЛЫЬМИ МЯГЯЗИИЯИ 1, ПОМС 1 ЦЕИн зги на Вращающемся столе,:. шибернымипитатслями с Вакуумными присосами. 5В описываемом приспособлении для обеспечения поштучной выдачи из нижней частимагазина деталей, различны( по толщие вдвя и более раза, в нижисЙ части магазигяимеется выходная щель с высотой, несколько 10большси наибольшей толщины деталей, закрытая консолыго зякрсплсинОЙ В ВсркнеЙ ссчасти эластичной шторкой.11 а фиг. 1 схематически изображеноваемос приспособление; на фиг. 2по магазину и шибериому питатслю,Приспособление состоит из вращающегосястола 1, на котором закреплены Вертикальные магазины 2 с предварительно...