Сегнетоэлектрический керамический материал
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1004314
Авторы: Александрова, Вербицкая, Марьяновская, Назарова, Светлова
Текст
) Заявитель 1541 СЕГНЕТ РИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙМАТЕРИАЛ 100 звестный чно стабиль стерезис и диэлектривременем, я достижеературной ы ква евог ре ой ан Изобретение Относится к радио" электронной технике и может быть использовано в производстве термочувствительных конденсаторов, предназначенных для температурной компенсации ухода частоты кварцевого генератора в.электронных часах и других приборах с,кварцевыми резонаторами.В настоящее время как в нашей стране, так и эа рубежом проводятся исследования по созданию материалов для конденсаторов, используемых в . качестве термокомпенсаторов.Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является сегнетоэлектрический керамический материал для термочувствительных конденсаторов 1, .включающий, мас,:ВаТ 10 80,25-82,80Сат 1 ОЭ31,20-3,005 гТ 103 12 ф 60 14 ф 25ХлО 2,00-2,40НдО 0,50-1,00,.Этот материал имеет величину диэлектрической проницаемости Е=6500- 8500, температуру Кюри Тс 27 + Зфс, величину гистерезиса 4-8 и изменение диэлектрической проницаемости в течение одного года-25- (-50 ), т.е. И материал имеет недостатоные свойства: большой гизначительное измененйеческой проницаемостисочто и является помехой длния наиболее полной темпкомпенсации ухода частот рц генератораЦель изобретения - повышение вменной стабильности диэлектрическпроницаемости и уменьшение темпертурного гистерезиса.Поставленная цель достигается тем, что сегнетоэлектрический керам ческий материал для термочувствителных конденсаторов, содержащий ВаТ 105 гТ 10, СаТ 10 з, ЕпО, МдО дополнительно содержит Оу 0 при следую 2 3 щем соотношении компонентов,мас.;ВаТ 1 ОЗ78,0-85,05 гТ 10 10,25-15,20СаТ 103 1,25-3,5025 2 пО 1,30-1,50 .ИдО 0,50-1,00У 2 3 1,00-1,50Для йзготовления образцов исхоДые материалы в виде титанатов бари стронция, кальция и окисей цинка,1 ОО 4314 Таблица 1 Пример, 9 5 гтОЗ .СаТОЗгпо МЯО Оу 20 З ВаТ 03 1,3. 78 15,2 3,5 81,5 12,73 10,25 2,77 1,5 0,5 1,25 85 0,5 1,5 Т а б л и ц а 2 Показатели Свойства Изменениедиэлектрической проницаемостив течениегода,- 100ЬЕЕ Температурный.гистерезис,Ъ Пример,9 50 10 - 200 10 с 50 10 - 20010 ф 50" 10 - 200 10 ф 0 +3 25+ 3 40 +312 1,8 6800+ 500 7500+ 500 7000+ 500 15 20 3,5 4ВНИИПИ Заказ 1783/27 Тираж 620 Подписное Филиал ППП "Патент",г.ужгород,ул.Проектная,4.магний и диспрозия перемешивают ввибромельнице в течение 1-2 ч и до"бавляют парафин или раствор каучука,а затем получают образцы либо прессованиеМ, либо отливкой пленки с последующей ее резкой. сКак видно из приведенных данных, температурный гистереэис и изменение диэлектрической проницаемости в течение года значительно меньше, чем у известного материалаСтабильные и легковоспроизводимые свойства предлагаемого материала де" лают возможным изготовление темпера" турно-чувствительных конденсаторов, 50 компенсирующих уход частоты кварцевых генераторов при изменении темпе" ратуры окружающей среды, и как следствие, повышается точность хода электронных часов в диапазоне рабочих температур. Формула изобретенияеСегнетоэлектрический керамический материал для термочувствительных 6 О Образцы отжигают при 1430-1450 Св течение 3-6 ч, вжигают серебряныеэлектроды при 750-800 ОС,Составы и свойства предлагаемого материала в сравнении с прототипом представлены в табл.1 и 2 соответственно,конденсаторов, включающий ВаТОЗ,5 гТО 3, СаТ 0 З, гпо, М 90 о т л и-.ч а ю щ и й с я тем, что, с цельюповышения временной стабильностидиэлектрической проницаемости иуменьшения температурного гистерезиса,он дополнительно содержит Оу 09 .при следующем соотношении компонентов, вес.%;ВаТ 103 78,0 - 85,010,25-15,20СаТО 1,25-3,50гпО 1,30-1,50М 90 0,5 -1,00оу 20 э 1,00-1,50Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР9 643470, кл. С 04 В 35/00, 1979.
СмотретьЗаявка
3214590, 09.12.1980
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4816
ВЕРБИЦКАЯ ТАТЬЯНА НИКОЛАЕВНА, АЛЕКСАНДРОВА ЛИДИЯ МИХАЙЛОВНА, МАРЬЯНОВСКАЯ ЕЛЕНА БОРИСОВНА, СВЕТЛОВА ЛИДИЯ ВАСИЛЬЕВНА, НАЗАРОВА ТАМАРА СЕРГЕЕВНА
МПК / Метки
МПК: C04B 35/468
Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический
Опубликовано: 15.03.1983
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1004314-segnetoehlektricheskijj-keramicheskijj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Сегнетоэлектрический керамический материал</a>
Состав шихты для изготовления ке-рамического материала c высокой диэлектрической проницаемостью
Номер патента: 810643
Опубликовано: 07.03.1981
Авторы: Аборинская, Бертош, Бутянова, Дорохова, Жуковский, Ларичева, Мартыненко, Марчук, Палейко, Ротенберг
МПК: C04B 35/49
Метки: высокой, диэлектрической, ке-рамического, проницаемостью, состав, шихты
...снижение диэлектрических потерь.Указанная цель-достигается тем, что состав шихты для изготовления керамического материала с высокой диэлектрической проницаемостью, содержащей В аТ 1 Оа и СаУгОа, дополнительно содержит ХдгОз, КЬгО ХпО и МпСОа при следующем соотношении компонентов, вес. %:ВаТ 10 а 87,7 - 90,0 СаХгОа 7,5 - 8,0 11 4 О, 0,8 в 1,50,25 - 0,6ХпО 1,4 - 2,0 МпСО, 0,05 - 0,2Для получения керамики предварительно синтезируемые ВаТ 1 О СаХгОа и остальные компоненты, взятые в заданном соотношении, перемешивают в вибромельнице в течение 1 - 2 час. К полученному тонкоизмельченному (до ) 5000 смг/г) материалу добавляют технологическую связку и формуют заготовки конденсаторов, которые обжигают при 1320 - 1370 С в течение 2 - 5...
Сегнетокерамический материал с высокой диэлектрической проницаемостью
Номер патента: 654581
Опубликовано: 30.03.1979
МПК: C04B 35/468, H01G 4/12
Метки: высокой, диэлектрической, материал, проницаемостью, сегнетокерамический
...описываемого материала приготавливают смесь компонентов в необходимых соотношениях изпредварительно синтезированных спеков ВаТ 1 ОЭ, Ваго э и МдНЬ ОСмесь спеков измельчают до удельной поверхности 5 - 7 10 3 см /г, Полу 2ченную массу пластифицируют известными методами. Формуют в изделия ио,обжигают при температуре 1340-1370 Св течение 1,5-3 ч.Примеры конкретных составов предлагаемого материала и их свойства даны в таблице,Сегнетокерамический материал, имеющий состав, вес.Ъ: ВаТ 10 Э 85,Ва 1 гО э 14, Мо МЬ Ов 1, характеризуется следующимй свойствами:Диэлектрическая проницае-.мостьОтносительное изменение со 8 5 при температуре +85 С,Относительное изменение Епри температуре -40 С, Ъ 90й654 581 Относительное изменениереверсивной Я, Ъ 33 О,...
Керамический материал для высокочастотных конденсаторов и способ изготовления высокочастотных конденсаторов
Номер патента: 1752197
Опубликовано: 30.07.1992
Авторы: Бурилова, Костомаров, Матвиевская, Харламова
МПК: H01G 4/12
Метки: высокочастотных, керамический, конденсаторов, материал
...а 20 з, В 20 з и МпСОз, ее обжига присторонние Фазы, например, ЯпТ 04,1250-1310 С с последующим измельченидм. 20 В 12 Т 120 т 1.а 2 Т 120 т и дрприводящие к ухудЗатем получают борат цинкайутем варкишению электрических технологическихкэрбоната или оксида цйнка и борной кис свойств материала.лоты в кипящей воде йри постоянном пере-При введении в материал СаТ 10 з меньмешивании до получения композиции, шеминимального количества 0,5 мас, , исвключающей ЕпО ВОз пН 20, воду, иполной 25 ключается возможность, регулировки ТКЕ впотери текучести. Йеобходимую"сыпучесть заданных пределах, а при количествах больбората цинка и удаление воды обеспечива-ше максимального 0,5 мэс.,ь ТКЕ возрастают термообработкой при 150 ОС. Получен- " ет, но в то...
Сегнетоэлектрический керамический материал для термочувствительных конденсаторов
Номер патента: 643470
Опубликовано: 25.01.1979
Авторы: Александрова, Вербицкая, Марьяновская, Назарова, Синельников, Соколова
МПК: C04B 35/468, H01G 4/12
Метки: керамический, конденсаторов, материал, сегнетоэлектрический, термочувствительных
...обазательным условием при компенсации уходачастоты пьезоэдектрическогогенервтора.26 Недопустимым также явлаетса и большой температурный гистерезис емкости, характерный для материала с высокой% 8800/75 БНИИПИ аз 793 У 22 Патент, г. Ужгород, ул, Проектна диэлектрической проиицаемостью. Введение малыхдобавок, например,0,001-0,1 вес.% авдаетса весьма нетехнологичным и неизбежно вызывает значительные фдуктуацни состава, Кроме того, такие добк, МПО, ИЪоб,ОО, очень сильно влияют на точку Кюри и малейшее нарушение рецептуры вызванное сложностью Введения малых дооавок и приводит к нежелательному изменению электрических свойств материала,Бель изобретении - повышение стабильности точки Кюри и обеспечение температурной зависимости...
Диэлектрический материал для изготовления конденсаторов
Номер патента: 711639
Опубликовано: 25.01.1980
Авторы: Григорянц, Гумен, Палмина
МПК: H01G 4/14
Метки: диэлектрический, конденсаторов, материал
...%;Цирконат-титанатстронция 152Поликарбонат 100Диаминдиолеат стеариновой кислоты 0,306Хлороформ 675Концентрация наполнителя составила60% весовых по отношению к весу поликарбонатного лака (раствора поликарбоната в хлороформе).Концентрация диаминдиолеата стеариновой кислоты 0,2% весовых по отношению к весу наполнителя,Свойства данного материала: механическая прочность 500 кг/см, диэлек 2"трическая проницаемость 25, электрическая прочность 70 кВ/мм.П р и м е р 2. Технология приготовления суспензии та же, что и в примере1, вес%.Цирконат-титанатбария 224Поликарбонат 100Диаминдиолеат стеариновой кислотыМетиленхлорид15 Зо Концентрация наполнителя 80% весовых, Концентрация днами ндиолеатастеариновой кислоты 0,1% весовых,Свойства материала:...
Предыдущий патент: Способ изготовления изделий из алюмосиликатных керамобетонов
Следующий патент: Способ изготовления стеновых панелей с облицовочным слоем
Случайный патент: Способ приготовления катализатора для очистки выхлопных газов