Сегнетоэлектрический керамический материал

Оп ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскинСоциапнстическннРеспублик ц 97743(22) Заявлено 08.10,80 (2 ) 2993229/29 - 33с присоединением заявки М С 04 В 35/46 3 Ъеударстванный намнтет СССР на делан нзабретеннй и атнрытнй(28) П риоритет Опубликовано 30.11.82. Бюллетень М 44 Дата опубликования описания 30,11.82(54) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ Изобретение относится к радиоэлектронной технике н может быть использовано, преимущественно, для изготовления дисковых керамических конденсаторов.Известны дисковые конденсаторы, в которых используют. в качестве материала электродов серебро 111,Однако использование серебра удорожает конденсаторы. 1 ОИзвестны конденсаторы, в которых благородный металл заменен на неблагородный. Эти конденсаторы требуют наличия керамики, допускающей обжиг в восстановительной среде, так как для того, чтобы не допусппь окисления неблагородного металла при вжиганни, необходимо обжигать заготовки в защитной среде (21 и 131. При этом большинство видов конденсатор ной керамики либо приобретает полупровод. пиковые свойства, либо имеет недостаточно высокие значения диэлектрической проницаемости Е,2Наиболее близким к предла 1 аемому являлся материал, содержащий ВаТОз и МпО в сле. дующем соотношении компонентов, мас.%:ВаТОз 37,82 - 86,79МпО 13,21 - 62,18Данный материал имеет величину е3400, но допускает вжнганне во влажном водороде электродов на основе Ее, Ю нли МО 41,Однако этот материал имеет диэлектрическую проницаемость недостаточную для изготовления конденсаторов с высокой удельной емкостью.Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости.Указанная цель достигается тем, что сегнето электрический керамический материал, содержащий ВаТ О, и МпО, дополнительно содержит ВаЕтОэ при следующем соотношении компонентов, мас.%:ВаТ Оэ 84,83-85,93ВаЕгОэ 13,87-15,07МпО 0,10 - 0,20П р и м е р 1 (по минимуму мас,%). Загружают в вибромельницу в виде порошков титанат бария (ВаТОэ) в количестве 84,83,Составитель Е. ФельдманТехредМ.Гергель Редактор С. Юско Корректор Ю. Макаренко Заказ 9106/29 Тираж 641 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035,Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Подписное Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 3 977437затем добавляют в нему цирконат бария(Ва 2 гОз) 15,07 и закись марганца (МпО) 0,1,Перемешивают компоненты в течение 2 - 3 ч,к тонкоизмельченному порошку добавляютполивиниловый спирт, формуют образцы иобжигают их в воздушной среде при 14001450 С. На спеченные заготовки наносятМо-Мп пасту и вжигают ее в увлажненномводороде (точка росы 10-18 С) при 1200 С.Получают следующие характеристики материала: диэлектрическая проницаемость(объемное сопротивление у (0,95 - 1,81) 10 Ом.м,П р и м е р 2 (по максимуму), Загружают 1в вибромельницу в виде порошков титанат ба.рия (ВаТОз) в количестве 85,93, затем добав.ляют к нему цирконат бария (Ва 2 гОз) 13,87и закись марганца (МпО) 0,2.Получают следующие характеристики матери-дала: диэлектрическая проницаемость11600 -14000; тангенс угла диэлектрических потерьтуД 0,011 - 0,015; удельное объемное сопротивление(1,08 - 3,44) 10 Ом,м,П р и м е р 3 (по среднему значению), дЗагружают в вибромельницу в виде порошковгатанат бария (ВаТОз) в количестве 85,38,затем добавляют к нему цирконат бария(Ва 2 гОз) 14,47 и закись марганца (МпО) 0,15Характеристики материала в этом случаеследующие: диэлектрическая проницаемость 4- 10800 - 15000; тангенс угла диэлектрическихпотерь у К 0,008 - 0,020; удельное объемноесопротивление э (1,67 - 7,6) 1 О Ом,м.Составы без МпО имеют Я 4000 - 6000, присодержании МпО, равном 0,05%, с. = 4000 -5000, а при содержании МпО равном 0,3%б - 8000 - 9000,Формула изобретения Сегнетозлектрический керамический материал, содержащий ВаТОз и МпО, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости, он дополнительно содержит Ва 2 гОз при следующем соотношении компонентов, мас.%:ВаТОз 84,83 - 85,93 Ва 2 гОз 13,8715,07 МпО 0,10 - 0,20 Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Окадзаки К. Технология керамическихдиэлектриков. "Энергия", 1976, с. 210-213.2, Патент Франции У 2331533,кл, С 04 В 75/00, 1977.3, Авторское свидетельство СССР Мф 662582,кл, С 04 В 35/46; 1979,4. Патент Великобритании У 1064325,кл. С 1 Р1963.