Сегнетоэлектрический материал

Номер патента: 346813

Авторы: Курин, Лерман, Смажевска, Фельдман

ZIP архив

Текст

О П И С А Н И Е 34683ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Соевтскиз Социалистически РеслубликЗаявлено 08,Х.1970 ( 1482735/29-33)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 28,У.1972. Бюллетень23Дата опубликования описания 15.И 11,1972 Комитет оо делан иаобретеиий и открытий лри Совете Мииистроа СССРУДК 621.315.61:537, .226 (088,8) Авторыизобретения Н, Б. фельдман, Р. М. Лерман, Е. Г, Смажевская и ф. М, Курин Заявитель СЕГН ЕТОЭЛ ЕКТРИ ЧЕСКИ Й МАТЕРИАЛ Изобретение относится к области пьезотехники, а именно к составу сегнетоэлектричсского материала для пьезоэлементов.Известен сегцетоэлектрический материал ца основе твердых растворовРЬ(Мд, ХЬ)Ть 2 г 10,с добавками МО и Мп 02,Для обеспечения стабильности резонансной частоты материала в широком интервале температур оц содержитРЬ (МДз ХЬ 2 з) Т 2О,при х=0,4 - 0,8; у=0,1 - 0,6; г=О, - 0,5, МО 0,1 - 5,0 вес, %, МпО 0,1 - 5,0 вес. % и, кроме того, 5 О, 0,1 - 2,0 вес, %, а сверх стехиомстрии МО 1,0 - 5,0 вес. %.Образцы из сегнетоэлектрического материала изготавливают по обычной керамической технологии.Исходные компоненты, взятые в вес. %: окись свинца 57 - 73, двуокись титана 1 - 26, двуокись циркоция 0,1 - 28, окись магния 2 - 4, пятиокись ниобия 12 - 25, окись никеля 0,1 - 5,0, двуокись марганца 0,1 - 5,0, двуокись кремния 0,1 - 2,0, углекислый магний 1,0 - 5,0, смешивают в виде мелкодисперсных порошков, брикетируют и подвергают синтезу прп температуре 850 С в течение двух часов. Получсццый материал измельчаот и подвергают прессовацию в виде дисков. Окончательное спекание проводят при температуре 1240 С в течение одного часа. Электроды наносят ме тодом вжцгацця серебряной пасты. Поляризацшо образцов проводят при температуре 100 С в среде жидкого диэлектрика в иоле напряженностью 40 кв. сл - .Испытания образцов показали высокие зна ченця механической добротности и улучшениетемпературной стабильности резонансной частоты, и также снижение временного изме" неция резонацсцой частоты в процессе длительного (1000 часов) пребывания образцов 15 прц температуре +85 С. Предмет изобретенияСегцетоэлектрический материал на осцоветвердых растворов РЬ(Мд, ХЬ)Т 1 т 2 г,Оз с до бавками МО ц Мп 02, отличающийся тем, что,с целью обеспечения стабильности резонансной частоты в широком интервале температур, он содержитРЬ (Мдз КЬ 2,з) Т 2 г Озпри =0,4 - 0,8; у=0,1 - 0,6; г=О - 0,5, %0 0,1 - 5,0 вес. %, МпОз 0,1 - 5,0 вес. % и, кроме того, %02 0,1 - 2,0 вес. %, а сверх стехиометриц МоО 1,0 - 5,0 вес. %.

Смотреть

Заявка

1482735

Н. Б. Фельдман, Р. М. Лерман, Е. Г. Смажевска, Ф. М. Курин

МПК / Метки

МПК: C04B 35/49, C04B 35/491

Метки: материал, сегнетоэлектрический

Опубликовано: 01.01.1972

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-346813-segnetoehlektricheskijj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Сегнетоэлектрический материал</a>

Похожие патенты