Сегнетоэлектрический накопитель информации
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
. СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК 11 С 11/г У УДФРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬП"МЮ ОПИСАНИЕК АВТОРСКОМУ СВИД(7 З Кйевский ордена Ленина политехнический институт им. 50-летняВеликой Октябрьской социалистической революции53) 681, 327 (088. 8)(561 1. Авторское свидетельство СССВ .360002, кл. 5 11 С 11/22, 1971.2. Патент США В 3537079,кл. 6 11 С 11/22, опублнк, 1968.3. Патент США В 3462746,кл, С 11 С 11/22, опублнк. 1967.прототип 1 80986 А(54) (57) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ, содержащий подложку с нанесенным на нее активнымслоем сегнетоэлектрнческого материала,. взаимноортогоиальные шины-строкн столбцов, причем шины строк нанесены на активный слой сенетоэлектрического материала, о т л и,ч а -ю щ и й с я тем, что, с целью повышения .надежности накопителя, подложка выполнена из полупроводниковогоматериала одного из .типов проводимости, а шины стробцов выполнены ввиде дифФузионных областей другоготипа проводимости в подложке,1024986 В. Костинекорей Ко ставитехред В.Д едактор НПушненков тор В.Гирня 9 Тираж 594 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., дЗаказ 4406/4 4/5 филиал ППП, "П т", г. Ужгород, ул. Проектная Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах.Известна .сегнетопьезокерамическая матрица, содержащая пластину иэ сегнетоэлектрика, расположенные на 5 пластине экранирующие, разрядные и перпендикулярные им числовые электро-. ды и электродЫ возбуждения Я .Известна также ферроэлектрическая матрица памяти, в которой используется пластина из ферроэлектрика с нанесенными на ее противоположные стороны двумя парами электродов записи- считывания 21Недостатком этих матриц является 15 сложная конструкция.Наиболее близким по технической сущности к изобретению является устройство, содержащее подложку, активный слой сегнетоэлектрика, системы управляющих шин,первые из которых размещены на поверхности активного слоя 3 .Недостатком известного устройства является неудовлетворительная надежность, обусловленная сложной системой шин для управления записью . и считыванием информации.Целью изобретения является повышение надежности сегнетоэлектрического накопителя информации.30Поставленная цель достигается тем, что в сегнетоэлектрическом накопителе информации, содержащем под- ложку с нанесенным на нее активным слоем сегнетоэлектрического матери ала, взаимноортогональные шины строк и стрлбцов, причем шины строк нанесены на активный слой сегнетоэлект-.Ъ рического материала, подложка выпол иена из полупроводникового материала одного из типов проводимости, а шины столбцов выполнены в виде диффузионных областей другого типа проводимости в подложке.На фиг. 1 представлен сегнето- электрический накопитель информации на фиг, 2 - то же, при различных типах проводимости материала подложки, разрез.Накопитель содержит полупроводниковую подложку 1, изготовленную, например, из кремния. В подложке вы полнены шины 2 столбцов диффузией материала другого типа проводимости, На подложку 1 нанесен активный слой 3 сегнетоэлектрического материала, на который нанесены шины 4 строк. Пересечение шин 2 и 4 образует запоминающий элемент 5.Накопитель работает следующим об= разом. Запись информации осуществляют в слое 3. При записи "1" к шинам 2 и 4 .прикладывают напряжение и поляризуют участок слоя 3 в переречениишин .2 и 4. При записи ф 0" производят деполяриэацию участка слоя 3 в пересечении шин 2 и 4;При считывании информации к шинам 2 и 4 прикладывают напряжение считывания, и хранимую информацию определяют по наличию пьезотока, протекающего через элемент 5.Выполнение накопителя в соответствии с изобретением позволяет существенно повысить надежность устройства.
СмотретьЗаявка
3392441, 16.02.1982
КИЕВСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. 50-ЛЕТИЯ ВЕЛИКОЙ ОКТЯБРЬСКОЙ СОЦИАЛИСТИЧЕСКОЙ РЕВОЛЮЦИИ
САМОФАЛОВ КОНСТАНТИН ГРИГОРЬЕВИЧ, МАРТЫНЮК ЯКОВ ВАСИЛЬЕВИЧ, ПИРОГОВ ЮРИЙ ПОРФИРЬЕВИЧ, РУХЛЯДЕВ ЮРИЙ НИКОЛАЕВИЧ, САПОЖНИКОВ ВЛАДИМИР МИХАЙЛОВИЧ, ХАРЛАМОВ АЛЕКСАНДР ДМИТРИЕВИЧ, ШПАК ЮРИЙ ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/22
Метки: информации, накопитель, сегнетоэлектрический
Опубликовано: 23.06.1983
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1024986-segnetoehlektricheskijj-nakopitel-informacii.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Сегнетоэлектрический накопитель информации</a>
Устройство для записи информации в матричные накопители на ферритовых сердечниках
Номер патента: 888201
Опубликовано: 07.12.1981
МПК: G11C 7/00
Метки: записи, информации, матричные, накопители, сердечниках, ферритовых
...и соединены с выходом разрядного токового ключа 9, Аноды диодов 6 соединены с резисторами 1 О, вторые концы которых соединены с шиной нулевого потенциала. Вход разрядного токового ключа 9 соединен с выходом элемента управления 11. Начала и концы обмоток 4 и 5 соединены с элементами 12и 13 съема сигнала. Концы обмоток 4 и 5 соединены с анодами ограничительных диодов 14, последовательно с которыми включены диоды 15. Катоды диодов 15 соединены с шиной нулевого потенциала. Концы вторичных обмоток трансформаторов 2 объединены и соединены с шиной нулевого потенциала.Устройство работает следующим образом.В режиме записи информации на каждый элемент управления 11 (например, триггер) подается двоичный код "0" или "1", в соответствии с...
Способ определения показателя преломления прозрачных слоев на прозрачных подложках
Номер патента: 1693483
Опубликовано: 23.11.1991
Авторы: Бендерский, Ржевский, Рупчев
МПК: G01N 21/45
Метки: подложках, показателя, преломления, прозрачных, слоев
...нормальны к зондирующему излучению, Один пучок проходит сквозь исследуемую пленку и подложку, другой - через подложку без пленки,Линия г.рорези перпендикулярна осивращения пластинки, а сама ось вращениялежит в плоскости зондирукгщих пучков. Отъюстированное на бесконечную полосу излучение интерферометра попадает на оптическое приемное устройство 9, электрический сигнал которого подается на один из входов двухкоординатного самописца, Второй вход самописца соединен с потенциометром, напряжение на котором пропорционально углу поворота образца,Включение двигателя разворота пластинки приводит к одновременному изменению напряжения на выходе оптического приемного устройства и напряжения на потенциометре, отсчитывающем угол поворота 25 30 35...
Способ удаления фотополимерного слоя с металлической подложки
Номер патента: 1007764
Опубликовано: 30.03.1983
Авторы: Белицкая, Белицкий, Лазаренко, Мервинский, Николайчук, Яхимович
МПК: B08B 3/10
Метки: металлической, подложки, слоя, удаления, фотополимерного
...температуре.П р и м е р 1 (прототип). Фото" полимерная печатная форма на основе ацетосукцината целлюлозы после печатания тиража укладывается в ванну с 1-ным раствором едкого натра, подогретым до 45 С. После выдерживания в течение 60 .мин фотополимерный слой отделяется от металлической подложки протиранием металлической щеткой в течение 5 мин. На металли 5 10 ческой подложке после промывания водой обнаружены очаги коррозии.П р и м е р 2 (известный).Фотополимерная печатная форма на основе ацетосукцината целлюлозы подвергается кипячению в водопроводной воде на протяжении 80-100 мин, после чего фотополимерный слой частично отделяется от металлической подложки немедленным протиранием с усилием металлической щеткой в течение 10-15 мин.П р...
Способ сушки слоя фоторезиста на подложке и устройство для его осуществления
Номер патента: 1572337
Опубликовано: 30.11.1991
Автор: Мягконосов
МПК: H01L 21/312
Метки: подложке, слоя, сушки, фоторезиста
...метод для измерения изменениядиэлектрической проницаемости материаласлоя. В этом случае определение временитермообработки, требуемого для воспроизводимого получения Высококачестгеных 35покрытий из фоторезиста, осуществляютизмерением времени изменения значенийдиэлектрической проницаемости материала слоя емкостным меодом,Сущность изобретения поясняется чертежом, где изображено устройство для реализации предложенного способа.Устройство содержит камеру 1 групповой обработки, состоящую из корпуса 2 суплотнением 3, и.крышки 4 и снабженную 45нагревателем 5, кассету бс подложками 7 сослоями 8 фоторезиста, размещеннуо В камере 1, блока контроля параметров слоя фоторезиста, состояЩего из датчика 9 снанесенным на него слоем Фоторезиста,...
Способ удаления фотополимерного слоя с металлической подложки
Номер патента: 1697912
Опубликовано: 15.12.1991
Авторы: Горбань, Шереметьев
МПК: B08B 7/04
Метки: металлической, подложки, слоя, удаления, фотополимерного
...осуществляют путем пропускания через подложку импульса электрического тока длительностью 1-2 с с амплитудой, достаточной для газовыделе1697912 их месте островки золы впоследствии при необходимости могут быть легко удалены механическим путем. Получают рекуперированный стальной скрап, освобожденный от слоя полимера, В качестве отходов получают остатки полимерного материала в виде бесформенных осколков, общая масса которых составляет около 70 - 80; от первоначальной массы слоя, а также твердые продукты сгорания в виде золы и ококсовавшихся мелких частиц полимеров, и газообразные продукты сгорания, в состав которых входит углекислый гаэ и пары воды,Составитель А.ОжередовТехред М.Моргентал Корректор О.Кундрик Редактор О.Спесивых Заказ 4349...
Предыдущий патент: Способ изготовления цилиндрических магнитных пленок
Следующий патент: Ассоциативный запоминающий элемент
Случайный патент: Передвижной разгрузчик сыпучих материалов всасывающе нагнетательного действия