Сегнетоэлектрический керамический материал

)4 С 04 В 35/ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ КЕРАМИЧЕСского науч 1. Реггое 1 е р. 572-582. ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(71) Институт химии Урального центра АН СССР(57) Изобретение относится к электротехнике, в частности к сегнетоэлектрической керамике для электротехнических устройств. Цель изобре"тения - снижение температуры Кюрии увеличение диэлектрической проницаемости. Цель достигается за счетвведения в материал, содержащий,мол.7.; СаО 72,68-74,62; Ч О 25, 1325,77; Ец О 0,25-1,55. Материалобладает следующими свойствами:гдЕ: 8,2-9,0 10 , ОТ=1250-1025 С;6 = (5,6-2,2)10Ом см. 1 табл.57 2П р и м е р 2. Смесь 60,22 вес.Е (60,22 г) карбоната кальция СаСОз мар- ки "осч", 37,60 вес.Е (37,60. г) оксида ванадия (Ч) Ч О марки "осч" и 2, 18 вес.7 оксида европия (111) Ец 0 квалификации "ЕВО" перетирают со спиртом 40 мин и прокаливают при 610 С в алундовом тигле в течение 7 ч.оОхлажденный материал перетирают со спиртом 20 мин и отжигают при 910 С 14 ч. Полученный поликристаллический продукт формуют в виде таблеток диаметром 10 мм и толщиной 3 мм при комнатной температуре под давлением 600 Н/см. На торцы таблеток наносят электроды вжиганием платиновой пудры.опри 1200 С в течение 2 ч.Получают сегнетоэлектрический керамический материал состава, мол.7.: СаО 73,86; Ч 0 25,38; Ец Оз 0,76. Е 8 э 5 10 э Тс 1055 С12898 Изобретение относится к электротехнике, в частности к области создания сегнетоэлектрической керамики на основе оксидных соединений, которая может быть использована в элект рических устройствах.Цель изобретения - снижение температуры Кюри и увеличение диэлектрической проницаемости.СегнетоэлектричеСкий керамический материал получают по обычной керамической технологии из исходной шихты, состоящей из карбоната кальция и оксидов ванадия (Ч) и европия (11), взятых в нужном соотношении, Исходную шихту растирают со спиртом в течение 30- 40 мин, прокаливают при 600-610 С в течение 6-7 ч. Затем повторно растирают со спиртом в течение 15- 20 мин и отжигают 12-14 ч при 90020о. 910 С. Полученный поликристаллический,материал формуют и спекают в виде изделий различной формы для применения в качестве сегнетоэлектрической керамики.Определение диэлектрической проницаемости осуществляют измерением емкости с помощью моста переменноготока на частоте 1 кГц. Температуру30 Кюри определяют из политерм диэлектрической проницаемости.П р и м е р 1. Карбонат кальция СаО марки "осч" 61,59 вес.ч.(61,59 г), оксид ванадия (Ч) Ч Омарки "осч" 37,68 вес.ч. (37,68 г), оксид европия (111) Ец Оз марки ЕВО 0,73 вес,ч. (0,73 г) перетирают соспиртом 30 мин и прокаливают прио600 С в алундовом тигле в течение 6 ч.40Охлажденный материал перетирают соспиртом 15 мин и отжигают при 900 С12 ч. Полученный поликристаллический продукт формуют в виде таблеток диаметром 10 мм и толщиной 3 мм при ком 45натной температуре под давлением600 Н/см . На торцы таблеток наносятэлектроды вжиганием платиновой пудры при 1200 С в течение 2 ч. Получаоют сегнетоэлектрический керамическийматериал состава, мол,й: СгО 74,62;5070 25,13 р Ец Оз 0,25. б =8,210Тс 1090 С П р и м е р 3. Смесь 58,17 вес.7 (58, 17 г) карбоната кальция СаСО марки "осч" и 37,48 вес.Х (37,48 г) оксида ванадия (Ч) ЧО . марки "осч" и 4,35 вес,(4,35 г) оксида европия (1 Н) Ец Оз квалификации "ЕВО" готовят по технологии, описанной в примере 1. Получают сегнетоэлектрический материал состава, мол.Х; СаО 72,68;25,77; Ец О 1,55; Т 10259, 104В таблице приведены составы и характеристики сегнетоэлектрического керамического материала. Формула изобретения Сегнетоэлектрический керамический материал, включающий СаО и ЧО, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью снижения температуры Кюри и увеличения диэлектрической проницаемости, он содержит дополнительно Ец О, при следующем соотношении компонентов, мол.7:СаО 72,68-74,62 Ч О 25,13-25,77 Ец Оз 0,25-1,551289857 х 10 Ом см х 10 ьТ, С Состав, мол.З СаО ЧО Еи О 74,62 25, 13 0,25 1090 8,2 8,5 9,0 Составитель Л.КосяченкоРедактор Л.Веселовская Техред Л.Олейник. , Корректор И.Эрдейи Заказ 7868/24 Тираж 610 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 1.13035, Москва, Ж, Рауаская наб., д. 4/5