Патенты с меткой «сегнетоэлектрический»
Сегнетоэлектрический накопитель информации
Номер патента: 1348907
Опубликовано: 30.10.1987
Авторы: Костин, Напольских, Овечкин, Петрова, Прохоров
МПК: G11C 11/22
Метки: информации, накопитель, сегнетоэлектрический
...сегнетоэлектрической пластины.Так как электроды записи-считывания могут быть выполнены типовымиприемами фотопечати, то их выполнение проще, чем выполнение электродовзаписи-считывания известного устройства,Изобретение может быть распространено и на случай матричной конструкции накопителя при исполнении электродов нулевого потенциала в виде полосообразных резистивных слоев проводящего материала на гибкой двусторонней печатной плате с переходными отверстиями для монтажа проволочных электродов возбуждения каждой строки. В устройство входит одна демпфирующая прокладка, а электрод нулевого потенциала, размещенный контактно с одной из проводящих пластин, выполняет дополнительную функцию экранирующего элемента совместно с корпусом,...
Сегнетоэлектрический керамический материал
Номер патента: 1546449
Опубликовано: 28.02.1990
Авторы: Исупов, Ротенберг, Рубинштейн, Торопов
МПК: C04B 35/499
Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический
...путем предварительного синтеза соединений, входящих в состав материала, при температуре 750-900 С, их смешения, прессования и спекания при 1200-1240 С, материал имеет следующие характеристики г при 20 С 18800- 24500; д У при 20 С 0,002-0,023,4,9 10 -.,4 10 ) Ом см, аЯ/ с. 10 в температурном интервале -60+125(РЬРе, ИЬ Оз). При этом температу-. ра синтеза 750-900 С. Полученные ма-. териалы измельчают сухим помолом в вибромельнице в течение 2-4 ч.Компоненты материала смешив (согласно вышеуказанному соотношению) в ступке в среде этилового спирта или путем сухого помола в вибромельнице.Образцы для испытаний оформляют в виде дисков методом полусухого прессования на связке из поливиннлого спирта. Изготовленные образцы обжигают при...
Сегнетоэлектрический керамический материал
Номер патента: 1609780
Опубликовано: 30.11.1990
Авторы: Андреева, Козловский, Костомаров, Михайлова, Морозова, Москалев, Страхов
МПК: C04B 35/472
Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический
...250 472 4803950 3900 310 110 2,0 2,2 2,5 2,0 250 200 360-400 300-350 1,0-2,5 3 Рс " спонтанная поляризация, Е к - коэрцитивное поле, Методика испытаний соответствовала ГОСТ 12370-80. Редактор Т,Лазоренко Составитель Л.Косяченко Техреду М,Ходанич Корректор Т,Колб Заказ ."704 Тираж 53 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 1Производственно-издательский комбинат "Патент",.г.ужгород, ул. Гагарина,101 Измерения диэлектрической проницаемости н тангенса угла диэлектрических потерь выполнены на приборах Е 8-4 (измеритель емкости цифровой)5 и МЛЕ(мост переменного тока), По 3 решность измерения не превышала Я+1 , ЕЕ 8+0,1%.Температурныезависимостии 188,...
Сегнетоэлектрический керамический материал
Номер патента: 1767823
Опубликовано: 27.03.1995
Авторы: Блохина, Наумова, Пышков, Тронин
МПК: C04B 35/00, H01G 4/12
Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический
СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ, включающий SrNb2O6, BaNb2O6 и Pb Nb2O6, отличающийся тем, что, с целью снижения относительного изменения диэлектрической проницаемости под действием постоянного электрического поля и снижения температуры спекания, он содержит дополнительно GeO2, B2O3 и Cu2O при следующем соотношении компонентов, мас.%:SrNb2O6 - 35,0 - 58,9BaNb2O6 - 20 - 30PbNb2O6 - 20 - 30GeO2 - 1 - 4B2O3 - 0,05 - 0,5Cu2O - 0,05 - 0,5