Сегнетоэлектрический элемент памяти

)011 С 11 22 ГОСУД АРСТОЕ Г 30 ЕЛАМ ИЗ ННЬМ КОМИТЕТ ТЕНИЙ И ( ф ОБРЕ ЛНВ,щаОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСГВУ с(56) 1. 1 ЕЕЕ, Е 0-18, 171, В 10 р. 951-958.2 Авторское свидетельство СССР В 514340, кл, 0 11 С 11/22, 1976 (прототип).(54)(57) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащий две пластины сегнетокерамического материала, на первую из которых нанесены общий электрод и, входной электрод, а на вторую - два выходных электрода, о т л и ч а-. ю щ и. й с я тем, что, с целью снижения энергопотребления элемента памяти, в него введены дополнительная пластина сегнетокерамического мате.-риала; расположенная на общем электроде, и два дополнительных общих электрода, нанесенных на дополнительную пластину сегнетокерамического материала, а вторая пластина сегнето. керамического материала расположена на двух дополнительных общих электродах.Заказ 9586/53 . Тираж 594 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, 3-35, Раушская наб д, 4/5д Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих, устройствах .вычислительных машин,Известен элемент памяти, содержащий две жестко связанные по общей 5плоскости сегнетокерамические пластины, из которых одна является входнойсекцией элемента памяти, имеющей. неизменное направление вектора поряризации и служащей для опроса информа,ции. Эта пластина изготовлена изгорячепрессованной пьезокерамикитолщиной 230 мкм, Вторая пластинаявляется выходной секцией элементапамяти, несущей на свободной поверхности один или более электродов, направление вектора полярности под которыми изменяется в соответствии с заданным кодом информации, и служитдля хранения информации. Эта пластинаимеет толщину 60 мкм 11,.Недостатком устройства являетсянеудовлетворительное энергопотребление, обусловленное высокими напряже ниями для записи информации,Наиболее близким по техническойсущности к предлагаемому является. элемент памяти, содержащий две сегнетокерамические пластины, толщиной100 мкм соединенные по общему электроду 2;30Однако известное устройство характеризуется также высоким энергопот-.реблением. в связи с тем, что напряжение записи равно 150 В,Цель изобретения - снижение 35энергопотребления сегнетоэлектрического элемента памятиПоставленная цель достигается тем,;ато в сегнетоэлектрический элементпамяти, содержащий две пластинысегнетокерамического материала, напервую из которых нанесены общийэлектрод и входной электрод, а навторую - два выходных электрода,.введены дополнительная пластина сегне.45 токерамичесвого материала, расположенная на общем электроде, и два дополнительных общих электрода, нанесенных на дополнительную пластинусегнетокерамического материала,а вторая пластина сегнетокерамическо-.го материала расположена на двухдополнительных общих электродах,На чертеже показан сегнетоэлектрический элемент памяти, поперечныйразрез.Элемент содержит две пластины 1и 2 сегнетокерамическОго материала,дополнительную пластину 3 сегнетокерамического материала, общий электрод 4, выходные электроды 5, дополнительные общие электроды б и входной электрод 7.Элемент работает следующим обра-,зом.пластина 1 служит для возбужденияв пластинах 2 и 3 механических нап-.ряжений, Входное напряжение записиподается на электроды 4 и 7, причемэлектрод 4 может быть заземлен. Пластина 3 служит для записи информации.На электрод 4 подают .положительныйпотенциал импульса записи, а наэлектрол б - отрицательный потенциалимпульса записи для записи "1",Для записи.в пластину 3 кода "0"положительный. потенциал импульоазаписи подают на электрод 6, а отрицательный потенциал - на электрод 4Направление векторов поляризации впластинах 1 и 2 остается постоянным,При считывании информации на электроды 4 и 7 подается испульс опроса,выходное напряжение снимается сэлектродов 4 и 5,Испытание сегнетоэлектрическогоэлемента памяти показывает, что напряжение записи может быть уменьшенодо 15 В при выходном сигнале считывания неменее 200 мВ, что существенно снижает энергопотребление элемента памяти,