Сегнетоэлектрический материал
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
О П И С А Н И Е 72ИЗОБРЕ ЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИ ЕТЕДЬСТБУ: Союз Советских Социалистических Республик(22) Заявлено 260578 (21) 2658833/29-33с присоединением заявки Мо -(51)М. Кл.2 С 04 В 35/00 Государственный комитет СССР но делам изобретений н открытий(72) Авторы изобретения С.И.Урбанович и Л.Г,Никифоров Ордена Трудового Красного Знамени институт физики АН Белорусской ССР(54) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ Изобретение относится к сегнетоэлектрическим материалам, используемым в радиотехнике и радиоэлектронике, в частности, для изготовления ,конденсаторов. Известны различные сегнетоэлектрические материалы для изготовления конденсаторов на основе титаната 10 бария. Их основным недостатком является относительно невысокий верхний предел рабочих температур,Наиболее близким техническим решением к изобретению является сегнетоэлектрик Рь В таОв Недостатком этого материала является то, что он имеет низкое значение диэлектрической проницаемости,Целью изобретения является повышение диэлектрической проницаемости. Это достигается тем, что материална основе РЬ В 1 ТаОв дополнительно содержит Ь 1 О при следующем соотногшенин компонентов, Вес,;РЬ В 1 ТаОа 95-98Ь 1 О 2-5гДля получения сегнетоэлектричес-, кого материала составов, содержащих, вес.Ъ: 1,РЬ В 1 ТаО -95 2.РЬ В 1 Та 06 - 96,5Ь 1 О - 5 Ь 1 О - Зт 5З,РЬ В 1 Тао -98гЬ 1 О - 2гсмесь окислов РЪО, Та Оз В 1 гОЗ, взятых в стехиометрическом соотношении, отвечающем составу соединения РЬВ 1 ТаОа, смешивают с Ь 1 хОе после чего формуют заготовки и подвергают их обжигу по обычной керамической технологии и затем повторному обжигу под давлением 20-30 кбар, тЕмпературе 700-900 оС в течение 1-10 мин. Затем на материал нанОсят электропроводящую пасту и образцы подвергают измерениям.Полученный материал обладает следующими характеристиками:Диэлектрическаяпрон иц аемост ь, Е/Ео 200Тангенс угла диэлектрических но 10терьОУдельное сопротив ом,смлениеЭлектрическаяпрочность более 30 кв/смТемпературныйкоэффициент ди- электрической729167 проницаемостиУдельное сопротивление для температуры +300 С о10 ом см Составитель Н,фельдманРедактор А.Морозова ТехредС.Мигай Корректор Я,Веселовская Заказ 1903/21 Тираж 671 Подписное ПНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, РаУшскаЯ наб.,д.4/5Филиал ППППатент , г.ужгород, ул.Проектная,4 Эаметного влияния электрическогополя на величину диэлектрической.проницаемости до величины полейв 30 кв/смне обнаружено,формула изобретенияСегнетоэлектрический материал на основе РЬВ 1 ТаО, о т и и ч а ювфщ и й с я тем, что с целью повышения диэлектрической проницаемости,дплнительно содержит 1 10 при следующем соотношении компонентов,вес.ЪРЬ В 1 ТаОа. 95-98
СмотретьЗаявка
2658833, 26.05.1978
ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ АН БЕЛОРУССКОЙ ССР
УРБАНОВИЧ СТАНИСЛАВ ИВАНОВИЧ, НИКИФОРОВ ЛЕОНИД ГРИГОРЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: C04B 35/00
Метки: материал, сегнетоэлектрический
Опубликовано: 25.04.1980
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-729167-segnetoehlektricheskijj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Сегнетоэлектрический материал</a>
Предыдущий патент: Способ термообработки отформованных крупноразмерных, перфорированных строительных изделий
Следующий патент: Композиция для защиты строительных материалов
Случайный патент: Способ определения расстояния до провода, обтекаемого переменным током