Сегнетоэлектрический керамический материал
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(23) Пркоркгет -Опубликовано 25.06.80. сиоллетеиь М 23Дата опубликования описанию 30,06,80 ао делам изобретений и открытийизобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано преимущественно для изготовлении низковольтных керамических конденсаторов.,Известны материалы для изготовлениясегнетокерамических конденсаторов на оо-нове титаната бария 1)Однако они, как правило, не могутобеспечить получение материала с диэлектрической нроницаэмостью более 3000.Техническим решением, наиболее близким к предлагаемому, является материал,в который входят следующие компоненты,весЛ:Титанат бария 92,7-96,0Ниобат бария 3,0-7,215Алюминат лантана 0,3-0,8 2.Величина диэлектрической протптдаемости этого материала относительно невелика и составляет 1500,Белью изобретения является повышениедиэлектрической проницаемости.Это достигается тем, что сегнетоэлектрический керамический материал, рея муаественно дпя изготовления низковольтных керамнчесатих конденсаторов, содержееинй тнтанат бария и ниобат баряя, дополнительно содержит оксиды лаятана и титана при следующем соотношении компонентов, вес.%:Титанат бария 94,6-96,4 Ннобат бария 2,5-4,9Оксид лантана 0,05-0,3 0 ксид титана 0,45-0,8 Предлагаемьай матеряал получают следующим образом.Порошки исходных компонентов в требуемом количестве измельчают и перемешивают в виброакельнице, после чего в смесь добавляют пластификатор (поливиниловый спирт или парафин) и прессуют заготовки, либо готовят шликер и отливают керамическую пленку, уплотняют ее и оформляют заготовки в виде пакетов монолитных конденсаторов. Заготовки обжягают в печах нри 1350-1450 С в течение 2 ч и получают пакеты монолитных конденсаторов ттЪи керамическое тело, на7424 формула изобретении Сегнетоэлектри ческий керамическийП р и м е р 2, В вибромепьницу в ви-.материал, преимущественно для изготовде порошков загружают следующие компо- пения низковольтных керамических конненты, вес.%;титанвт бария (удельная по-, 20 денсатордв, содержащий титанат бария и верхность не менее 10 м /г) - 96, ; ниобат бария, о т л и ч а ю щ и й с я2ниобат бария - 2,5; оксид лвнтана - 0,3; тем, что, с целью повышения диэлектриоксид титана - 0,8. ческой проницаемости материала, он доХарактеристики материала: диэлектри- попнительно содержит оксиды лантана и ческая проницаемость 5400-6000, изме 25 титана при следующем соотношении комнение емкости в интервале температур понентов, вес.%.минус 60плюс 85 С составляет - 38 Титвнат бария 94,6-96,4 - 12%, тангенс угла диэлектрических по Ниобат бария 2,5-4,9 терь 0,7-1,0, удельное сопротивление Оксид лантвна 0,05-0,3 10 -10 Ом.см.Т.30 Оксид титана О, 45-0,8П р и м е р 3 (по среднему значению). Источники информации,Загружают в вибромельницу в виде порош- принятые во внимание при экспертизе ков следующие компоненты, вес.%: титанат 1. Патент США М 3352697,барии (удельная поверхность не менее кл. 106-39, опублик. 1967..10 м /г) - 96,3; ниобвт бария. - 3,0; 35 2. Авторское свидетельство СССР оксид лантвна - 0,1; оксид титана - 0,6., Мю 470506, кл, С 04 В 35/00, 1975. Составитель Н. ФельдманРедактор О. Степина Техред Н. Еабурка Корректор В, Бутяга Заказ 3396/25 Тираж 671 Подписное ИНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-Э 5, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 поверхность которого наносят обкладки пу тем вжигания серебряной пасты или электрохимическим никелированием.П р и м е р 1, Загружают в вибромельницу в виде порошков следующие компоненты, вес,%: титанат баия (удельная поверхность не менее 10 м /г) - 94,6; ниобат бария - 4,9; оксид лантана - 0,05; оксид титана 0,45.Характеристики материала в этом спу 1 О чае следующие: диэлектрическая проницаемость 5000-5500, изменение емкости в интервале температур минус 60 плюс 85 С составляет- 35%, тангенсоугла диэлектрических потерь 0,5-0,7% при 1 кГц, удельное сопротивлениеГц,10 -10 Ом.см. 17фХарактеристики материала: диэлектрическая проницаемость 5800-6100, изме,нение емкост и в интервале температур минус 60 плюс 85 С составляет -42 о25%, тангенс утла диэлектрических потерь 0,5-0,7, удельное сопротивление 10 -10 Ом см.Как видно из приведенных данных, ве( личина диэлектрической проницаемости 5000-6 000. Конденсаторы, изготовляемые из этого материала, имеют.стабильность емкости - +50% в интервалелстемператур минус 60 - плюс 85 С,
СмотретьЗаявка
2688878, 27.11.1978
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4816
БОЙС ГЕОРГИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, ВОЛКОВА ВИОЛЕТТА АНАТОЛЬЕВНА, ЖУКОВСКИЙ ВЯЧЕСЛАВ ИЛИОДОРОВИЧ, МАРТЫНОВА ЛЮДМИЛА АНТОНОВНА, УТКИНА ТАТЬЯНА БОРИСОВНА
МПК / Метки
МПК: C04B 35/468
Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический
Опубликовано: 25.06.1980
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-742417-segnetoehlektricheskijj-keramicheskijj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Сегнетоэлектрический керамический материал</a>
Предыдущий патент: Пьезоэлектрический керамический материал
Следующий патент: Состав покрытия для пористой керамики
Случайный патент: Устройство для поштучной выдачи плоских заготовок