Сегнетоэлектрический накопитель информации

ZIP архив

Текст

союз советснихсоцюлистичеснинРЕСпублин Ш 611 С 11/2 АРстюнный КОмижГ ссс ЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫ(71) Киевский ордена Ленина политехнический институт им. 50-летия ВеликойОктябрьской социалистической революции(56) 1. Авторское свидетельство СССРВ 514340, кл. О 11 С 11/00,19782, Патент СИ В 3543258,кл. 8 11 С 11/22, оеублик. 1978.( 54) (57) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ НАКОПИ"ТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ, содержащий две сег"нетокерамические пластины, навнешнюю поверхность одной.из которых нанесен общий электрсщ, а на внешваоповерхиОсть другов раэридиые элеитродц, и зхраиируущие эаектроды, размещеиные между оевиетоэлектрическими пластииаив, о т л и.ч а ю щ и ис я тем, что, е Велья повьйзейииномехозаакщеийоств иакойатеМ экранирузмйие элемтйхВЮ выйойиеиы имщоб-.ныии по ферме разрядным электродами разм 63 яеиы иаРаллеяьие юФ1030 В 53 Составитель В. КостинШандор Техред Т,Маточка Корректор А. Ильи дак Тираж 594сударственнлам изобрет осква, ЖПодписн комитета СССР н открытий шская наб., дний Рау илиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь зовано в запоминающих устройствах вычислительных машин.Известен. пьезокерамический элемент памяти, содержащий две пластины, жес тко соединенные между собой по экранврующему электроду, на одну из которых нанесен сплошной общий электрод, а на другую - разрядные элек-, троды различной площади 1.3 ОНедостатаком данного устройства является низкая помехозащищенность,Наиболее близким по технической сущности к изобретению является накопитель, содержащий соединенные по 15 экранирующему электроду две пьезопластины, на которые сверху нанесены разрядные электроды, а снизу - сплошной общий электрод 23.Недостатком известного устройства 2 О является также низкая помехозащищенность, обусловленная сигналом помехи на невыбранных элементах, приводящим к частичной поляризации нли деполяризации невыбранвых Элементов и изменению амплитуды выходного сигнала в режиме считывания.Целью изобретения является увеличение помехозащишенности сегнетоэлек трического накопителя информации.Поставленная цель достигается тем, что в сегнетоэлектрическом накопителе инФормации, содержащем две сегнетокерамические пластины, на внешнюю поверхность одной иэ которых нанесен общий электрод, а на внешнюю поверхность другой - разрядные электроды, и зкранирующие электроды, размещенные между сегнетоэлекрическими.пластинами, экранирующие электроды выполнены подобными по Форме разрядным электродам и размещены параллельно им.На фиг. 1 показан сегнетоэлектри ческий накопитель информации, вид сверху;на Фиг.2- тоже, поперечный разрез.Устройство содержит две сегнетокерамические пластины 1 и 2, соединенные по зкранирующим электродам 3 с выводами 4. На пластину 1 нанесены разрядные электроды 5 с выводами.б. На пластину 2 нанесен общий электрод 7 с выводом 8.Пластина 2 жестко заполяризована при изготовлении накопителя. Запись информации осуществляют в пластину 1 приложением напряжения к вы,водам 4 и 5 между электродами 3 и 4. Направление поляризации этих участков определяет записанную инфор,мацию. При считывании информации напряжение прикладывают или к выводам 4 и 8 между электродами 3 и 7 или к выводам 4 и 6 между электродами 3 и 5, при этом выходной сигнал снимают с выводов 4 и б или 4 и В соответст" венно. При этом на выбранные элементы не действует при записи напряжение помехи.

Смотреть

Заявка

3431197, 27.04.1982

КИЕВСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. 50-ЛЕТИЯ ВЕЛИКОЙ ОКТЯБРЬСКОЙ СОЦИАЛИСТИЧЕСКОЙ РЕВОЛЮЦИИ

САМОФАЛОВ КОНСТАНТИН ГРИГОРЬЕВИЧ, ВЕРБА АЛЕКСАНДР АНДРЕЕВИЧ, КУДРЕНКО ЕЛЕНА ИВАНОВНА, МАРТЫНЮК ЯКОВ ВАСИЛЬЕВИЧ, ПОЛКОВНИЧЕНКО ЮРИЙ ГЕОРГИЕВИЧ, ХАРЛАМОВ АЛЕКСАНДР ДМИТРИЕВИЧ, ХРИСТОВ СТЕФАН МИЛЧЕВ, ШПАК ЮРИЙ ИВАНОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G11C 11/22

Метки: информации, накопитель, сегнетоэлектрический

Опубликовано: 23.07.1983

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1030853-segnetoehlektricheskijj-nakopitel-informacii.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Сегнетоэлектрический накопитель информации</a>

Похожие патенты