Шимченок

Номер патента: 1767022

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Ершова, Ланцман, Максимов, Махова, Шимченок

МПК: C22F 1/04

Метки: алюминиевых, высокопрочных, сплавов

...и 7 и металлобетонные сегменты 8. Нижний 2 и верхний 4 металлическиепояса выполнены из расположенных вплот"ную друг к другу вдоль оси моста полутрубчатых оболочек. В нижнем поясе 2 оболочкираЗмещены выпуклостью вниз, а в верхнемпоясе 4 вверх, Поддоны 5 размещены выпуклостью вниз и соединенй с основнымианкерными приспособлениями 6 и верхним 25поясом 4 в единый пакет,Металлобетонные сегменты 8 размещены внутри оболочек нижйего пояса 2 исоедййены с ним посредством дополнительных анкерных приспособлений 7. По 30длине пролета сегменты 8 расположены взонах сжатия нижнего пояса 2 пролетногостроения,Стенки 3 могут быть сплошными или решетчатыми, выполненными из стоек и раскосов,Применение пролетного строения позволяет снизить металлоемкость...

Номер патента: 1224740

Опубликовано: 15.04.1986

Авторы: Акимов, Дмитриев, Плевако, Соколовская, Соколовский, Шимченок

МПК: G01R 27/00

Метки: диэлектрического, порошка, пригодности

...им пористости ндиапазоне от 4 до 1 О . При этом измерения полной проводимости пронодят в диапазоне частот от 100 кГцдо 2 МГцеИспользование для измерения электрических параметрон спрессованного образца вместо подвергнутогоспеканию в известных способах позволяет избавиться от влияния нарезультат измерения необратимых изменений электрофизических характеристик частиц порошка из-за высокотемпературного нагрева. Конкретизация пористости образца позволяетограничить количество эталонньгх частотньгх характеристик полной проводимости - повысить воспроизнодимость результатов измерений. Ограничение пористости образца снизу (4 ) обеспечивает возможность ее воспроизводимого задания за счет отказа от минимально достижимои пористости,скольку она...

Номер патента: 1077867

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Акимов, Плевако, Шимченок

МПК: C04B 35/468

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...диапазон спекания,оптимальная добавка оксида бария 10 находится в пределах 4,00- 7,00 ипри дальнейшем ее увеличении происходит снижение диэлектрической проницаемости, укрупнение кристаллических зерен в керамическом материале, 15 повышается тангенс угла диэлектрических потерь, При добавках оксидабария меньше 4,00 не достигается вы 1сокое значение диэлектрической про" ь ницаемости, а температурный коэффи" ь 2 О циент емкости становится хуже.Положительный эффект достигаетсяза счет добавки в керамический материал смеси, состоящей из Ч О,М 90, ЯЬО и ВаО. При введении каж дого из этих веществ в отдельностиполученный эффект незначителен.Сегнетокерамический материал получают по общепринятой керамическойтехнологии. Приготавливают смесьиз...