Сегнетоэлектрический керамическийматериал
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советских Соииалистических Республик(51) М.Кл.з С 04 В 35/00 Государственный комитет ио делам изобретений и открытий(45) Дата опубликования описания 09,04.81Ордена Трудового Красного Знамени институт физики АН Белорусской ССР(54) СЕГН ЕТОЭЛ ЕКТР ИЧ ЕСКИ ЙКЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ Изобретение относится к сегнетоэлектрическим материалам, используемым в радиотехнике и радиоэлектронике, в частности, для изготовления конденсаторов. Известны сегнетоэлектрики на основе сложных танталатов свинца с величиной диэлектрической проницаемости 60 и точкой Кюри - 50 С 11, известны такие сегнетоэлектрики как РЬгСоТаОе с величиной диэлектрической проницаемости 100 и точкой Кюри при 200 С 2. Общим недостатком сегнетоэлектрических материалов является малое значение диэлектрической проницаемости и низкие значения точек Кюри. Указанные недостатки не позволяют использовать отмеченные составы в практических целях. Техническим решением, наиболее близким к данному является сегнетоэлектрик РЬгСгТаОе, синтезированный при высоком давлении 31. Однако указанный сегнетоэлектрический материал имеет верхнюю точку Кюри - 50 С и низкое значение диэлектрической проницаемости - 80.Целью изобретения является увеличение диэлектрической проницаемости. Указанная цель достигается тем, чтоизвестный сегнетоэлектрический керамический материал на основе РЬгСгТаОе дополнительно содержит 1.40, причем состав 5 материала, соответствует формулеРЬгСг 1 - хТа 1 лхО, где Х =0,03 - 0,05. Для получения материала было приго.товлено несколько смесей, содержащих 0 каждая, 00: а) РЬО 57, СггОз 9; ТагО 5 27;1.4 СО, 7; Ь) РЬО 59, СггОз 7, Таг 05 30;1.ЬСОз 4, с) РЬО 59, СггОЗ 9; Та Ое 30, 1.1 гСОз 2.Каждую смесь тщательно перемешива,ти, подвергали обиигу по обычной херамической технологии, затем производили обжиг в условиях высокого давления от 30 до 40 кБр и температуре 700 - 1000 С. После снятия давления на образцы наносили 20 электропроводящую пасту и идентифицировали их на наличие сегнетоэлектрических свойств. В результате выполненных исследований установлено, что во всех трех случаях образуется сегнетоэлектрический ма 25 териал.Значения диэлектрической проницаемости для состава с Х = 0,04 приведены в таблице, а частотная и температурная зависимости, диэлектрической проницаемости З 0 соответственно на фиг. 1 и 2.Па амТочка Кюри, Диэлектрическая араметры рам рьС ( проницаемость Прототип 70 15 ОО Формула изобретения Сегнетоэлектрический керамический материал на основе РЬ 2 СгТаОа, о т и и ч а юПредложенныйматериал- 50 выше+200щ и й с я тем, что, с целью увеличения диэлектрической проницаемости, он дополнительно содержит 1.120, причем состав материала соответствует формуле: 5 РЬСг Та 1.0 где Х = 0,03 - 0,05. Источники информации, принятые вовнимание при экспертизе:10 1, Патент США3400072, кл. 252-629,19 б 8.2, Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 10, 1359, 1974.Составитель Н. Соболева Техред И, Пенчко Корректор С. Файн Редактор И, Квачадзе Тнп. Харьк. фил. пред, Патент Заказ 345/352 Изд. ЪЪ 226 Тираж 661 ПодписноеНПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5
СмотретьЗаявка
2658153, 17.08.1978
ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИИНСТИТУТ ФИЗИКИ AH БЕЛОРУССКОЙ CCP
УРБАНОВИЧ СТАНИСЛАВ ИВАНОВИЧ, НИКИФОРОВ ЛЕОНИД ГРИГОРЬЕВИЧ, АКИМОВ АЛЕКСАНДР ИВАНОВИЧ, ОЛЕХНОВИЧ НИКОЛАЙ МИХАЙЛОВИЧ, РАКИЦКИЙ ЭДУАРД БРОНИСЛАВОВИЧ
МПК / Метки
МПК: C04B 35/497
Метки: керамическийматериал, сегнетоэлектрический
Опубликовано: 07.03.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-810641-segnetoehlektricheskijj-keramicheskijjmaterial.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Сегнетоэлектрический керамическийматериал</a>
Предыдущий патент: Способ изготовления керамическихзаготовок
Следующий патент: Связующее для прессования керами-ческих изделий
Случайный патент: Устройство для контроля цифровых блоков