Сегнетоэлектрический накопитель информации
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
,Я 010 745 1/г ЕТ СССРОТКРЫТИЙ диы ад МУ Св Н АВТОРС 8 юл. У 35лов, В.Ю. ПаЮ. П. Пирогов, .И. Сапожник 8) во СССР976. рское свидетельс. С 11 С 11/2.2,СШ 1 Ф 3537079,1/22, 1976.ер Л.ПУстройствтной информации,с. 188-195 (прот а храфЭнеротип), . ки.Ж ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМ ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИИ ИСАНИЕ. И(54) (57) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИР НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ, содержаший подложку с нанесенными на ее поверхностьэлектродами строк, элементы памяти,выполненные в виде пластин сегнетоэлектрической керамики, и электродыстолбцов, перпендикулярные электродам строк, о т л и ч а ю ш и й с ятем, что, с целью повьзаения надежнос-.ти за счет уменьшения механическойсвязи между элементами памяти, пластияы сегнетоэлектрической керайикиразмешены на электродах строк, аэлектроды, столбцов нанесены на пластины сегнетоэлектрической керамии подложку.Редактор Н. Лазаренко Заказ 7348/57 Тираж 594 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо. делам изобретений и открытий 113035, Москва, Я, Раувская иаб., д. 4/5филиал ППП ффПатент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах вычислительных машин.Известна сегнетоэлектрическая матрица, содержащая пластину из сегнетоэлектрика, расположенные на пластине экранирующие, разрядные и перпендикулярные им числовые влек троды и электрод возбуждения Г 1.Известна также Ферроэлектрическая О матрица памяти, в которой используется пластина из Ферроэлектрика с нанесенными на ее противоположные стороны двумя парами электродов записи-считывания 23. 15Недостатками этих матриц является акустическая связь между соседними элементами, сложные конструкция и технология изготовления.Наиболее близкой по технической 2 О сущностик изобретению является сегнетопьезокерамическая матрица запоминающих элементов с неразрушающим чтением, содержащая активную пьезопластину, взаимно перпендикуляр-.25 ,ные числовые и разрядные шины, расположенные.с двух сторон активной пьезопластины Г 33Недостатком известной матрицы является низкая надежность иэ-за акустических помех, обусловленных монояитной конструкцией запоминающей матрицы.1Целью изобретения является .повиаение надежности накопителя за счет уменьшения механической связи между элементами памяти.Поставленная цель достигается тем, что в сегнетоэлектрическом накопителе информации, содержащем подложку с нанесенными на ее поверхность электродами строк, элементы памяти, выпоЛненные в виде пластин сегнетоэлектрической керамики, и электроды столбцов, перпендикулярнйе электродам строк, .пластины сегнетоэлектрической керамики размещены на электродах строк, а электроды столбцов нанесены на пластины сегнетоэлектрической керамики и подложку. На чертеже показано предлагаемоеустройство.Устройства содержит подложку 1,электроды 2 строк, электрОды 3 столбцов и пластины 4,сегнетоэлектрической керамики, образующие элементы5 памяти.Устройство работает следующимобразом,Запись информации осуществляютв пластины 4. При записи ф 1 " кэлектродам 2 и 3 прикладывают импульснапряженна поляризация, например,положительной полярности и поляризуют пластины 4. При записи 0 производят деполяризацию пластин 4.При считывании информации к электродам 2 и 3 прикладывают. импульсынапряжения считйвания и хранимую ииФормацию определяют по наличию илиотсутствию пьезотока, протекающего:.через элемент 5,Изобретение позволяет существенн 9повысить надежность сегнетозлектрического накопителя информации засчет уменьшения механической связимежду элементами памяти.
СмотретьЗаявка
3441537, 24.05.1982
КИЕВСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. 50-ЛЕТИЯ ВЕЛИКОЙ ОКТЯБРЬСКОЙ СОЦИАЛИСТИЧЕСКОЙ РЕВОЛЮЦИИ, ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-8586
САМОФАЛОВ КОНСТАНТИН ГРИГОРЬЕВИЧ, ПАЛЕЙ ВЛАДЛЕН МИХАЙЛОВИЧ, МАРТЫНЮК ЯКОВ ВАСИЛЬЕВИЧ, ПИРОГОВ ЮРИЙ ПОРФИРЬЕВИЧ, РУХЛЯДЕВ ЮРИЙ НИКОЛАЕВИЧ, САПОЖНИКОВ ВЛАДИМИР МИХАЙЛОВИЧ, ШПАК ЮРИЙ ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/22
Метки: информации, накопитель, сегнетоэлектрический
Опубликовано: 23.09.1983
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1043745-segnetoehlektricheskijj-nakopitel-informacii.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Сегнетоэлектрический накопитель информации</a>
Предыдущий патент: Запоминающая матрица
Следующий патент: Запоминающее устройство
Случайный патент: Способ получения шлакощелочного вяжущего