Сегнетоэлектрический материал
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советских Социалистических Республик(43) Опубликовано 15,11.77. БюллетеньГосударственнык комитет Совета Министров СССР 3) УДК 666.655(088.8 о делам изобретений и открытий45) Дата опубликования описания 24.11,7 2) Лвторы изобретени Т. Н. Вербицкая, Т, П. Майдуко(54) СЕГ ЛЕ ЧЕСКИЙ МАТЕРИА Сг,О, 0,1 - 0 УГОЙ илп ВаХгОз 1 - 5 ВаО ОсталДля получения материала берут, следующие компоненты:Карбонат бария 86 Двуокись титана 32,5Основной углекислый цирконий 2,3 Лзотнокислый хром 1 Азотнокислое олово Ост В реактор, снабженный мешалкой, воду и при включенной мешалке за исходные компоненты; суспензпю пе вают 1 - 2 ч, причем соотношение тв жидкому составляет 1,5 - 15, после ч ливают к ней смесь растворов карбо мония и аммиака, отделяют осадок трата и прокаливают при 1100 С,Полученный порошок сегнетоэлектр материала характеризуется высокой дисперсности (размер зерна 1 мкм) родностп, а изготовленные из него ва имеют следующие свойства:Диэлектрическая проницаемость начальная еМаксимальная емансКоэффициент нелинейностУправляющее поле Емакс: Температура Кюри, СТемпература второго фазового перехода, С 50 ьн на мер,альное вливают гружаю ремеши ердого 1 его при ната ам от филь 15 ического степенью н одно- рпконды%в зобретения являетс овышение оницаемоЦелью максима сти и коэЦель, включаю диэлектрическои пента нелинейности,ется за счет того, чтоаО, Т 10 ЯпО СгзОт ХгОз или ВаХгОзнии компонентов, в301,5 -ьнои ффиц остиг щий В держ тнош 2000 до 1500 35 - 75 в/мм 80 - 15095 - 105 2 э материал, дополнипри следувес. %:32 тельно со ющем сооТРО ЬпО,0 Изобретение относится к области производства материалов с высокими нелинейнымп сегнетоэлектрическими свойствами, в частности, на основе ВаТ 10 з и может быть использовано в производстве керамических материалов.Известен материал для нелинейных сегнетоэлектриков типа ВКна основе ВаТ 10 з с добавками окислов 5 п и Сг, обладающий следующими характеристиками 1: температура Кюри - 105 +. 10 С, начальная диэлектрическая проницаемость ена = 2000, управляющее поле - (Еасанс) = 250 - 300 в/мм.Недостатком материала является сравнительно низкие значения максимальной диэлектрической проницаемости (емак, при Е = = Е, составляет 20000 - 35000), коэффициента нелинейности В. Хоряк и Л. А. Пашков580197 Формула изобретения Составитель Н. Соболева Техред Н. Рыбкина Корректор О. Тюрина Редактор Э. Шибаева Заказ 2530/9 Изд.915 Тираж 778 НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Подписное Типография, пр. Сапунова, 2 Сегнетоэлектрический материал на основе титаната бария, включающий ВаО, Т 1 О, и добавки ЯпОз и Сг 20 з, о тл ич а ю щи й с я тем, что, с целью повышения максимальной диэлектрической проницаемости (е) коэффициента нелинейности (Квг), он дополнительно содержит ХгО, или ВаХгОз при следующем соотношении компонентов, вес. %; Т 1 О 2 30 - 32Бп 02 1,5 - 3,0Сг,Оз 0,1 - 0,2ХгО или Ва 2 гОз 1 - 55 ВаО Остальное.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Вариконды в электронных импульсныхсхемах, изд-во Советское радио, М 1971,10 с. 68.
СмотретьЗаявка
2085004, 17.12.1974
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-3481
ВЕРБИЦКАЯ ТАТЬЯНА НИКОЛАЕВНА, МАЙДУКОВА ТАМАРА ПАВЛОВНА, ХОРЯК ЛЮДМИЛА ВИТАЛЬЕВНА, ПАШКОВА ЛИДИЯ АРКАДЬЕВНА
МПК / Метки
МПК: C04B 35/468
Метки: материал, сегнетоэлектрический
Опубликовано: 15.11.1977
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-580197-segnetoehlektricheskijj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Сегнетоэлектрический материал</a>
Предыдущий патент: Способ получения пьезокерамического материала
Следующий патент: Сегнетокерамический материал
Случайный патент: Устройство для регистрации биологически активных точек