Сегнетоэлектрический керамический материал

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик ри 962261 4, /4 сФ;.(22) Заявлено 13. 07. 79 (21) 2796822/29-33с присоединением заявки Нов(23) Приоритет -Опубликовано 3009.82 Бюллетень Мо 36Дата опубликования описания 30. 09. 82 11 М Кл з С 04 В 35/00 Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий(72) Авторыизобретения 1) Заявите енный университе осуд) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ Недосотносителки Кюри кие кее нио и 31, либори, либо и отнолибо у электИзвестнырамические мбатов щелочныУказанныенедостаточнокрупнозерниссительно высимеют резкоросопротивле егнетоэлектриче териалы на осно х металлов 1, материалы имеют высокую точку К ы и спекаются и ких температура ниженную величи) Наибол является калия (КйИзвест тодом гор 1000 С,д времени вы е близкиматериалоз) 121 н матери чего пре авлении держким к предлагаемому на основе ниобата ал, полученный ссования при Т ГР) 400 кг/см 2 с ) 40 мин 4 Д. меи Изобретение относится к сегнетоэлектрическим материалам и может быть использовано для изготовления сегнетоэлектрических подложек, применяемых в специальном приборостроении, где требуется сочетание широкого интервала рабочих температур, прямоугольной петли гистерезиса,малого коэрцитивного поля и плотности и возможности изготовления тонких элементов с высокой чистотой обработки поверхности. ом материала являются невысокие значения точ Цель изобретения - повышение точки Кюри материала при сохранении высокого удельного сопротивления и небольшого размера зерен.Указанная цель достигается тем, что сегнетоэлектрический керамический материал, содержащий К О и МП О, дополнительно содержит 510 при следующем соотношении компонентов,мол.Ъ;К,О 47,74-49,70 ЯЬ,О, 43,10-49,10 510 с 1,20-9,16 Полученный материал представляет собой синтезированный порошок КИВОК, в который перед горячим прессованием вводится 1,86-13,80 мол.Ъ стекла, состава, мол.Ъ: К О 33,6; 510 66,4.Получение предлагаемого материала осуществляют следующим образом.Порошок КХВО получают синтезом при 950 С в течение 5 ч из КаСОэ и ЧЬО марки ЧДА, Стекло получают сплавлением соответствующих количеств К СО и 510 (которые предварительно перемешивают 0,5 ч в фарфоровой ступке) в фарфоровом тигле при 1100 С в течение 1 ч. После этого стекло выли962261 вают на стальную плиту и затем тща- тельно измельчают. Полученный порошок стекла добавляют к порошку КИВО в количествах, мол,Вл 1,86, 3,69, 6,00, 11,60, 13,80 и далее смесь перемешивают 1,5 ч в Фарфоровых ступках. Горячее прессование проводят 40 мин прины с 1, П г/см мкмОм.см 1 10 4,43, 3-5 0 1000 1 50 50 380 1,20 990 2,40 990 4,00 980 7,70 960 9,16 950 2 49,70,49,10 3 49,40 48,20 4 49,00 47,00 5 48,10 44,20 б 47,74 43,10 395 4,43 3-5 400 4,40 3-5 402 4,41 3-5 402 4,40 6-8 5 10 2 10 402 4,35 6-8 25 Формула изобретенияСегнетоэлектрический керамический материал, включающий КО и ИЬ Со т л и ч а ю щ и й с я тем, что,с целью повышения точки Кюри при .30 сохранении высокого удельного сопротивления и небольшого размера зерен,он дополнительно содержит 510 приследующем соотношении. компонентов,мол.Ъ:35 КО 47,74-49,70йЬ О 43,10-49,10510, 1,20-9,16Источники информации,принятые во внимание при экспертизе40 1. Патент Великобритании 91140305,кл. С 1 Л, 1967.2. Патент США Р 3437597,кл. 252-629, опублик. 1969.3. Авторское свидетельство СССР45 Р 580198, кл. С 04 В 35/00, 1977.4. "Неорганические материалы".Т,14, 1959, Р 5, с. 438-439. 9 Состав, мол. % Тдт 0 СК О ИЬ О 81 О На Фиг. 1 показаны температурные эависимости некоторых составов; на Фиг. 2 - петли диэлектрического гис,тереэиса (цифры у кривых соответствуют номерам составов, указанным в таблице). Иэ данных таблицы и фиг. 1 видно, что предлагаемые материалы имеют по сравнению с известным более высокие значения Тк при сохранении высокой плотности и небольшого среднего размера зерна. При этом Т предлагаемого материала несколько ниже, чем известного. Оптимальным является интервал концентраций стекол. При более высоких содержаниях стекла Т грактически не увеличивается, но подавляется максимум Я (фиг. 1), увеличивается Л и. снижается р. давлении 400 кг/см. Тсп подбираютпо кривым усадки. Диэлектрическую проницаемостьопределяют по частоте1 кГц с помощью моста Е 8-2. Полученные результаты представлев таблице.