Способ получения голограмм на полупроводниковом материале
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 578784
Авторы: Галяутдинов, Закиров, Зарипов, Хайбуллин, Штырков
Текст
ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик) 2370522/18-25 3 Н 1/18 арствениый комитСССРделам изобретенийи открытий.79, Бюллетень Мо убликовано 25. 2.9988. 8) Дата опубликования описан 81279 2) Авторы изобретения Е,И, Штырков, М.М. Зарипов, И.Би Г Г Закиров Заявитель за иск ий Физико-тех ническ ий филиала АН СССРтитут Каэанск ЛУП РОВОДН ИКОВ ОМ(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГОЛОГРАМММАТЕРИАЛЕ ится к голографитановлению волноможет быть прихранения информах германия, осости восстановлесвета в видимойой области спектктра, располоственного (фунния исходноготой плазменноласти с краем с ) погло а и час зона, т.е, оженной междудаментальногполупроводниго резонансаКроме тогбомбарднровкны только элзначительнособа. отнои вос Изобретение ческой записи вых фронтов св менено для зап ции на монокри бенно при необ ния волновых ф и ближней инфр иси ходим ронто акрас- увеличение дифности голограмм,ниевых монокрискласса частиц,облучения.тем, что по предблучение проводят75 и дозой Цель изобретения ракционной эффектив записанных на герма таллах и расширение используемых для их Это достигается лагаемому способу о ионами с массой М Ъ О610ион/см ,На фиг 1 и симость коэффи кристалла герм ми 3,1 с энерн и ближнем ИК-д зависимость ко монокристалла ионами после э(22) Заявлено 1006.76с присоединением эая рааПо основному авт. св. Р 490368 известен способ получения голограмм на полупроводниковом материале, по которому запись производится путсм освещения объекта излучением записи интерференционной картины от объектного и опорного пучков излучения на полированной поверхности германиевого монокристалла после того, как эту поверхность бомбардируют быстрьки ионами электроактивной примеси,При произвольном выборе режима бомбардировки (т.е. дозы облучения и энергии внедряемых ионов) этот способ эффективен лишь в длинноволновой области спектра за частотой ШР плазменного резонанса и не позволяет получить достаточно хорошую дифракцион ную эффективность при восстановленииобласти спектра и прилегаю области ближнего ИК-диапабуллин, М,Ф,Галяутдино о, при этом способе для и могут быть использова ектроактивные ионы, что сужает возможности спооказана дозовая завициента отражения моноания, облученного ионаией 80 кэВ в видимом иапазоне; на фиг. 2 эффициента отражения германия, облученного кспонирования светом о экспонирования (кри.Юга ираж 5 8098 4 ЦНИИПИ 3Филиал дписно атент, г. Ужгю Проектная,4 В соответствии с обнаруженной для германия аномальной зависимостью коэффициента отражения В от дозы внедряемого иона в видимой и ближней ИК-области спектра, величина В может быть уменьшена практически до нуля (см. фиг. 1) . В процессе записи голограммы коэффициент отражения экспонированного участка резко возрастает (см. фиг2) до значений, характерных для монокристаллического гер- . мания (36) .Такое соотношение между коэффициентами отражения экспонированного и неэкспонированного участков обеспечйвает повышение дифракционной эффективности голограмм в рассматриваемом диапазоне спектра по сравнению с известныч способом по крайней мере в 3"4 раза. Предлагаемый способ позволяет значительно увеличить дифракционную эффективность голограмм, записанных на германии, в видимом и ближнем ИК-диапазоне, а также значИтельно расширить 5 класс ионов эа счет использования нетолько электреактивных, но и электронейтральных атомов, что упрощает технологию изготовления голограмм,"Формула изобретенияСпособ получения голограмм на полупроводниковом материале по автсв . М 490368, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения дифракционной эффективности голограмм, записанных на монокристаллах 5 германия, и расширения класса частиц для облучения, облучение производят ионами с массой М 75 и дозой Р6 10" ион/см .
СмотретьЗаявка
2370522, 10.06.1976
КАЗАНСКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ КАЗАНСКОГО ФИЛИАЛА АН СССР
ШТЫРКОВ Е. И, ЗАРИПОВ М. М, ХАЙБУЛЛИН И. Б, ГАЛЯУТДИНОВ М. Н, ЗАКИРОВ Г. Г
МПК / Метки
МПК: G03H 1/18
Метки: голограмм, материале, полупроводниковом
Опубликовано: 25.12.1979
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-578784-sposob-polucheniya-gologramm-na-poluprovodnikovom-materiale.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения голограмм на полупроводниковом материале</a>
Предыдущий патент: Способ сборки покрышек пневматических шин
Следующий патент: Электроэнергетическая система
Случайный патент: 181896