Способ записи изображения на полупроводниковом слое

Номер патента: 534731

Авторы: Кикинеши, Симак, Чепур

ZIP архив

Текст

1 534733 Союз Советских Социалистических республик(45) Дата опубликования описания 08.12.7 51) М.Кл 2 б 03 С 5/2 ударственный комите 3) УДК 778,34емак, А. А. Кикинеши и Д, В, Чепур дский государственный университет Уж(71) Заявите 54) СПОСОБ ЗАПИСИ ИЗОБРАЖЕ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ СЛ2 воздействии на него паров 0,0570- ного раствора щелочи становится ствительным. Контрастность изо зависит от соотношения размера эк интенсивности воздействия паров Изобретение относится к получению изображений на полупроводниковых слоях и может быть использовано для прямого фотографирования,ого вод- фоточувражения позиции щелочи. соб получения изображения ковых слоях, в котором для ажения в видимой области се экспонирования слой на одника - галоида - нагре- С. Известен спо на полупроводни получения изобр спектра в процес основе полупров вают до 80 - 200 В результате экспонирования светом интенсивностью порядка 10 МВт(см в течение 40 - 50 с получается изображение, которое наблюдается в отраженном свете, а при больших экспозициях хорошо про. сматривается и в проходящем свете. Дли. тельность экспонирования зависит от ин. тенсивности и спектрального состава освещения. Величина экспозиции может быть значительно сокращена в случае применения лазерного освещения, например в голографии. Однако такой способ имеет низкую фоточувствительность полупроводникового слоя и высокую температуру процесса экс понирования. Предлагаемый способ о т л и ч а е т с я тем, что, с целью повышения чувствительностп слоя, экспонирование полупроводникового слоя на основе полупроводника - галопда - ведется в парах водного раствора щелочи при комнатной температуре,Формула о бр етени излоеводиизобния,по толщиной около 2 1 ческим напылеили стекло, экспрп комнатной ловиях этот слой ности, но при 3 1 И мпер Пример. На слой В 1 З,1 мкм, полученный терм 1нем в вакууме па слюдуонпруется изображениеемпературе. В обычных усе имеет фоточувствптель Способ запис.Яроводниковом скачестве полупрофокусированиящего экспонироватем, что, с цельюности слоя, экспосутствни паров впри комнатной те бражения на полус использованием в ика галоида путем аженпя и последую- отличающийся ышения чувствительание проводят в прио раствора ,щелочи

Смотреть

Заявка

1903320, 04.04.1973

УЖГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

СИМАК ДМИТРИЙ ГРИГОРЬЕВИЧ, КИКИНЕШИ АЛЕКСАНДР АЛЕКСАНДРОВИЧ, ЧЕПУР ДМИТРИЙ ВЕНЕДИКТОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G03C 5/22

Метки: записи, изображения, полупроводниковом, слое

Опубликовано: 05.11.1976

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-534731-sposob-zapisi-izobrazheniya-na-poluprovodnikovom-sloe.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ записи изображения на полупроводниковом слое</a>

Похожие патенты