Детектор на полупроводниковом диоде
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 168339
Автор: Дерр
Текст
Союз Советских Социалистических Республик,1963 М 853983126 Заявлено 24.Ч Кл. 21 аг, 42 присосдинением заявкиМГЭИК Н ОЗЙУДК 621.376.2 г 088,8 ПриоритетОлусглпковапо Государственныйомитет по делафизобретенийи открытий СССР 8,11,1965. Бюллетень4 та опубликования описания 15.111.19 б ЛвторизобретенЗаявитель ЕТЕКТО ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ ДИО смещая тем самым и рабочую точку детектора с участка А на участок Б. При выходе рабочей точки а участок Б процесс детектирования аналогичен работе ооычных детектороь, 5 при котором на нагрузке 2 происходит падение напряжения пульсирующего характера, а амплитуда пульсаций меняется по закону модуляции.Напряжение пульсаций сглаживается емко- О стьес Ь и в форме сигнала модуляции пс,1 аетсяна вход последующего каскада.ОТД можно 11 спользовать так;ке как второй детектор для автоматической регулировки усиления, так как прп высоком ровне вход ного сигнала рабочая точка ОТД смещаетсяправее участка Б и коэгрфппиент передачи 1 адает,редмет пзобрете 1 Детектонагрузкифильтра,вышениянья в качго источн 1го диоданый диод. диоде, цепьемкостью с целью по- использовабез внешне- упомянутой туннельодписная гру гга И 89 Описываемый детектор на полупроводниковом диоде по сравнению с известными обладает повышенной чувствительностью и может быть также использован в качестве второго детектора без внешнего источника смещения, Это достигается тем, что в качестве детектора используется обращенный туннельный диод (ОТД).На фиг. 1 изображена эквивалентная схема описываемого детектора; на фпг, 2 - характеристика туннельного диода: а - обычного (ТД), б - обращенного (ОТД),Входной сигнал подается на катод обращенного туннельного диода 1, анод которого подключен и сопротпвленшо нагрузки 2, шупгнровапной емкостью 3.При подаче на вход детектора высокочастотного сигнала в положптельньгй полупериод через емкость 4 диода 1 протекает ток, при этом омическое сопротивление 5 диода 1 возрастает, При отрицательном полупериоде входного сигнала ток через емкость 4 протекает в обратном направлении, но величина сопротивления Б диода 1 резко падает. В результате возникающий разностный ток протекает через емкость 4 только в одном направлении и через несколько первых периодов входного сигнала происходит заряд емкости 4,р на полупроводниковом которого шунтирована от гикаои,ийся тем, что, его чувствительности и естве второго детектора ка смещения, в качестве использован обращенныОта Фиг,1 фиг. 2 оставнтель Й. Белоуеой дактор Л. Струве Техред А, А. Камышникова Корректор Ю. М. Федулова Заказ 288/14 Тираж 600 Формат бум. 60 К 901/з Объем 0,13 изд. л, Цена 5 коп. ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР Москва, Центр. пр, Серова, д, 4ипография, пр. Сапунова, 2
СмотретьЗаявка
853988
Г. А. Дерр
МПК / Метки
МПК: H03D 1/10
Метки: детектор, диоде, полупроводниковом
Опубликовано: 01.01.1965
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-168339-detektor-na-poluprovodnikovom-diode.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Детектор на полупроводниковом диоде</a>
Предыдущий патент: 168338
Следующий патент: Волноводно-щелевая антенная решетка
Случайный патент: Устройство для демонтажа узлов, смонтированных на роликоподшинниках