Грибников

Номер патента: 1357892

Опубликовано: 07.12.1987

Авторы: Аше, Грибников, Костиал, Куртенок, Митин, Сарбей

МПК: G01R 33/07

Метки: магнитных, полей, слабых

...27 К. 10Сцосоо Осх цсстц,ястс 51 следуюцим ОО- разом.Из монокристалла электронного кремния вырезают пластину в форме параллелепипеда для датцикафиг. 1) в направлении 110. На торцы пластины наносят токо)зые контакты 2, а на боковыс поверхности 110 -- зонды 3 для измерения цосреццэго напряжения. Зонды располагаготся ца линии, перпендикулярной пропускаемому церез образец току и магнит ному полю.Датчик 1 располагается в катуцке соленоида 4 камеры 5 криостата промежуточных тсмпсратур так, что напряженность магнитного поля и пропускаемый через образец ток взаимно перпендикулярны. 25Напряжение с датчика 1 подается ца оси)ииОграф, с помощью которого ощрег(егяОт зца 51 ецге измеряемой напряженности маг- ЕИТЦОГО ПОГ 51.П,астццы д,я датцика...

Номер патента: 934320

Опубликовано: 07.06.1982

Авторы: Грибников, Козловский, Романов

МПК: G01N 21/59

Метки: концентрации, нескомпенсированной, образце, одномерного, полупроводниковом, примеси, распределения

...ными либо иниектированными через контактили светом. Величина протекающего токадолжна быть такой, чтобы связанное с нимлокальное электрическое поле было значи тельно больше встроенного концентра ционного поля, связанного с неоднородным распределением нескомпенсированной примеси Ж (х), т.е. распределение неравновесных носителей р(х)должно быть дрейфовым. В этом случае З 0 .между локальными концентрациямир(х) и ДЕ (х) существует связь В связи с тем, что функция 2 медленно изменяется с координатой х, из формулы1) вытекает соотношение(3) гдеЬЭЮх) - локальная амплитуда отклонения концентрациинескомпенсированной при.меси от ее усредненнойвеличины,р(х) - усредненная на длиненескольких периодов неоднородности величинаконцентрации...

Номер патента: 826256

Опубликовано: 30.04.1981

Авторы: Грибников, Гуга, Малозовский, Малютенко

МПК: G01R 33/00

Метки: датчик, магнитного, поля

...того, применение известных дат,чиков ограничено в области низких темпе-,.ратур, твк квк в этих условиях концентрация электронно-лырочных пар становится ниже концентрации примеси, и изменее числа этих пар в магнитном по чика.Цепь изобретения - повышение чувительности датчика,Поставленная цель достигается тем,что в датчике магнитного поня, содержащем полупроводниковую пластину с омическими контактами нв торцах, две противоположные грани которой имеют разнуюскорость поверхностной рекомбинации, полуроводниковая пластина выполнена изпримесного лолупроводникв, подвижностьнеосновных носителей тока в которомбольше подвижности основных носителей,при этом для примесного полупроводникавыполняется следующее соотношение между...