Патенты с меткой «полупроводниковое»

Номер патента: 706932

Опубликовано: 30.12.1979

Авторы: Давыденко, Замилатский, Милюков

МПК: H03K 17/60

Метки: полупроводниковое, постоянного, реле

...реле.Реле выполнено но схеме двухкаскадного усилителя на транзисторах 1 и 2. Оба каскада имеют общий источник эталонного на "пряжения - опорный диод 3. На выходетранзистора 1 первого каскада включен делитель напряжения 4, ана входе транзистора 2 - дополнительный делитель напряжения 5. Между транзисторами 1 и 2 включенстабилитрон 6. Выход транзистора 2 второго каскада через резистор 7 подключен к шине источника питания ЦЭмиттер транзистора 8 обратной прово" димости подключен через диод 9 к этой жешине, а его коллектор подключен к исполнительному элементу 10. Между входом транзистора 2 второго каскада и исполнительным""элементом включен резистор 11 положитель йой обратной связи. Кроме того, реле содержит три транзисторных...

Номер патента: 741469

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Дик, Карась, Могилевский, Пригора, Райнин

МПК: H03K 17/60

Метки: полупроводниковое, реле

...иэ-эаположительной обратной связи междутранзисторами 1 и 2, Если к моменту окончания заряда конденсатора 3входной сигнал окажется меньше напряжения возврата одновибратора,транзисторы 1 и 2 регенеративно закроются, а транзистор 9 будет продолжать оставаться открытым эа счеттоков разряда конденсатора 3, Еслипараметры разрядной цепи выбратьтаким образом, чтобы при минимальной частоте повторения входного сигнала полупроводникового реле тран -эистор 9 удерживался в открытомсосТоянии, то на потенциальном выходе получается постоянный сигнал безпропусков эа счет повторного заряда конденсатора 3 при очередномвходном импульсе. При сниженииамплитуды входного сигнала нижепорога срабатывания реле потенциальный выходной сигнал исчезает в момент...

Номер патента: 744341

Опубликовано: 30.06.1980

Автор: Горшков

МПК: G01R 17/10

Метки: величины, полупроводниковое, физической

...из резистора 17 и и(лючсш(ых пара.:- лсльно резистора 18 ц копдсцсдторд 19, подключена к базе транзистора (4, ы через диод 20 и резистор 21 к одной пз Бсршш( измерительной диагонали моста, другая вершина которой по;ключснд к с)дзс транзистора 8.ПО 1 Проводпцковос Устр 01 СТ 130 Д,151 КОЕГГ- роля физической вслц пшы работает следующим образом, При разбдлднсс. измерительного моста, соответствующем отрицательной ооратной связи пли положительной обратной связи с коэффициентом меньше 1, устройстьо устойчиво ис зависимости от глубины отрицательной обратной сшЗп.Выходной релсйный кдскдд открыл за счс 1 прямого смещения транзистора 14 через резистор 22. Реле 16 вклк)чсцо. При пзмснс нии измеряемого резистора таким образом, что разбаланс...

Номер патента: 748508

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Стоянов, Сухоруков, Хорошунов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, полупроводниковое

...выход которогосоединен со вторым входом матричногонакопителя, первые входы Формирователя управляющих сигналов соединены свыходами дешифратора строк, второйвход формирователя управляющих сигналов соединен со входом дешифраторастрок и входом формирователя сигналов считывания-записи, введены Формирователь сигналов наличия информации и мультиплексор, первый входкоторого соединен с выходом формирователя сигналов наличия информации,входы которого соединены с выходамиматричного накопителя, второй и третий входы мультиплексора соединенысоответственно с первым и вторымвходами формирователя входных сигналов, выходы мультиплексора подключены соответственно к третьему входуФормирователя входных сигналов и выходу формирователя выходных...

Номер патента: 763968

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Козырь, Петросян

МПК: G11C 16/04

Метки: запоминающее, полупроводниковое, постоянное

...причем инжекторы 21 подключены к шине 15 источника питания.Полупроводниковое постоянное запоминающее устройство работает следующим образом,На входы 8 устройства (базы 6 адресных первых транзисторов 1 с инжектором 7 р-типа и базу 5 управляющего транзистора 3 с инжектором 4 р-типа) подается код адреса (комбинация сигналов низкого и высокого уровня напряжения на базы 6 адресных первых транзисторов 1 с инжектором 7 р-типа и низкий уровень напряжения на базу 5 управляющего транзистора 3 с инжектором 4 р-типа), При этом накатодах 18 базовых диодов 19 Шотткивыбранного запоминающего транзистора 20 с инжектором 21 р-типа устанавливаются высокие уровни напряжения. В результате. из выбранного з апоминающего транзистора 20 с инжектором 21...

Номер патента: 788176

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Вартанов, Лашевский, Нусинов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, полупроводниковое

...6 пред" заряда, управляемых по затвору им- ф пульсом, подаваемым по шине 8 импульсного питания, с другой стороны, числовые шины 7 подсоединяются к выходам дешифратора 1 строк накопителя через блок 4 проходных транзисторов строк, 45 управляемые по затвору импульсом, подаваемым по шине 9 импульсного питания.Работа устройства осуществляется следующим образом. 50Адрес на дешифраторе 1, т.е. напрякение на затворах ключевых транзисгоров 2 устанавливается в момент, соответствующий импульсу, подаваемому по шине 8. Импульс (шина 9) следует .эа импульсом (шина 8). При действии импульса (шина 8) происходит открывание транзисторов блока и заряд емкостей всех числовых шин 7 накопителя 5 от источника питания, подключенного к стокам транзисторов...

Номер патента: 822290

Опубликовано: 15.04.1981

Авторы: Валихметов, Кулаков, Лихошерстов, Рябцев

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающееустройство, полупроводниковое

...подключены -к второйшине записи-считывания, а выходы элементов ИЛИ подключены к другим входам матричного накопителя, информационные входы которого подключены квыходам соответствующих элементовИЛИ-НЕ, входы которых подключейы квходным информационным шинам. На чертеже представлена Функциональная схема полупроводникового запоминающего устройства.Устройство содержит блоки памяти, обьединенные в матричный накопитель 1, выходцые шины 2, регистр 3 инфор-, мации, селектор 4, выходные шины 5 устройства, входы 6 и 7 матричного накопителя, формирователи 8 выборки,дешифратор 9 адреса, регистр 10 адреса, адресные формирователи 11, адресный вход 12 матричного накопителя,дополнительный дешифратор 13 адреса,.элементы 14 ИЛИ, элементы 15 ИЛИ-НЕ,шины 16...

Номер патента: 822360

Опубликовано: 15.04.1981

Автор: Дмитренко

МПК: H03K 17/00

Метки: полупроводниковое, реле

...подсоединены ксети с глухозаэемленной нейтральюэлектроустановки. В качестве обмоткиисполнительного реле может бытьвключена обмотка расцепителя автоматического выключателя, При значении.контролируемого тока нулевой последовательности,меньше заданного,напряжение иа выходе трансформатора 10невелико. Если значение контролируе"мого тока увеличится, увеличиваетсяи индуктируемое во вторичной обмоткетрансформатора 10 напряженке, котороескладывается с напряжением, падающим иа резисторе 5 делителя напряжения. Полупроводниковое реле работаетследующим образом.При нажатии на кнопку 22 одновременно с подачей питания на катушкумагнитного пускателя 20 и подключением к сети через контакты 21 электроустановки подается напряжение на,источник питания,...

Номер патента: 824423

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Мирошниченко, Негоденко

МПК: H03K 5/153

Метки: времязадающееустройство, полупроводниковое

...которая соединена по дополнительной резистивной области .4кромке с резистивным электродом и позволяет создать в обедненном канарасположена на диэлектрике. При этом 15 ле уменьшающуюся по мере приближениятолщина диэлектрика под дополнитель- к коллектору напряженность поля.ной резистивной областью в 3-7 раз Захваченные обедненным каналом нобольше толщины диэлектрика под резис- сители заряда, продвигаясь вдоль нетивным электродом. го, притормаживаются так как ихНа фиг. 1 представлена конструкция 20 скорость пропорциональна напряженвремязадающего устройства; на фиг. 2 - ности поля. Это ведет к увеличениюразрез А-А на фиг. 1, . амплитуды поверхностной концентраУстройство содержит вывод 1 инжек- ции носителей заряда по мере прнблитора,...

Номер патента: 834908

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Морозов, Новиков

МПК: H03K 17/00

Метки: полупроводниковое, реле

...на транзисторах 10и 11, соединенных базами через диоды 12 и 13 и с резисторами 14 и 15,подключенными к первичным обмоткамтрансформатора 16, вторичная обмотка которого подключена к выпря-мителю на диодах 17 и 18, положительный вывод преобразователя 9напряжения подключен к управляющемувходу ключа 1, а отрицательный вывод - к управляющему входу дополнительного транзисторного ключа 19,содержащего транзистор 20, противоположного поотношению к транзистору 2 типа проводимости, вэмиттерно-базовую цепь котороговключен резистор 21, причем ключ 19соединен с ключом 1, общая шина 22соединена с минусовой шиной источника питания.Полупроводниковое реле работаетследующим образом,В исходном состоянии напряжениепитания И ит подано только на...

Номер патента: 845810

Опубликовано: 07.07.1981

Автор: Мичислав

МПК: H01L 23/04

Метки: полупроводниковое

...вверхлапки 14 и 15,Устройство также содержит куполообразное тело 17 выполненное из изоляционного упругого и гибкого материала,например из силиконовой резины. Внутренний диаметр куполообразного тела 17примерно равен наружному диаметруполупроводниковой пластины 1,так чтопоследняя может быть ;становлена вкольцо 17 до сборки, Наружный диаметр6при необходимости, поворотно регулируются в отверстии кольца 17.Затем для закрепления друг,с другом и создания уплотнения зацепляющиеся лапки 14, 15 и кромки фланца5 и секции 16 соединяются соответствующей контактной сваркой,Во время закрывания устройстваверхним электродом устранена опасность повреждения полупроводниковойпластины 1 и хрупкого управляющеговывода 19.После сварки...

Номер патента: 847511

Опубликовано: 15.07.1981

Автор: Мантузов

МПК: H03K 17/56

Метки: полупроводниковое, реле

...д113035, МоФилиал ППП Кбрректор Ю.МПодписноеСССРий аренко митета открыт ая наб д. 4/5 роектная, 4и через резистор обратной связи соединен с шиной подключения нагрузки, включен между базой транзистора и второй шиной источника напряжения, введен неуправляемый пороговый элемент, например динистор, который включен между коллектором транзистора и шиной подключения нагрузки,На чертеже изображена принципиальная схема реле.Полупроводниковое реле содержит управляемый пороговый элемент 1, резисторы 2 и 3, образующие резистивный делитель напряжения, транзистор 4, динистор 5, резистор 6 обратной связи. Резистивный делитель напряжения, средняя точка которого подключена к управляющему входу 7 управляемого ключевого элемента, включен между...

Номер патента: 860310

Опубликовано: 30.08.1981

Автор: Голубев

МПК: H03K 17/28

Метки: времени, полупроводниковое, реле

...и 12 служат для подключения источника питания, резистор 13 определяет режим работы входного транзистора 3 усилителя, делитель напряжения, собранный на резисторах 14-16, при напряжении на входе транВ результате этого явление расформовки вентильного металла (анода)и увеличение тока утечки конденсатора 2 исключается, что в итоге обуславливает регулировку выдержки времени в широком диапазоне и обеспечивает одинаковую высокую надежностьи стабильность работы при повторныхвключениях. Выбор резистора 1 с большим сопротивлением для обеспеченияширокого диапазона регулирования требует использования входного транзистора 3 с достаточно высоким коэффициентом усиления по току, так какток базы с увеличением сопротивлениярезистора 1 уменьшается,...

Номер патента: 879651

Опубликовано: 07.11.1981

Автор: Тенк

МПК: G11C 11/34

Метки: запоминающее, полупроводниковое

...невыбранных числовых шин 7 накопителя 5 через открытые транзисторы 2.Работа устройства состоит из двух этаповНа первом этапе (подготовительном) транзистор 4 закрыт, а транзисторы заряда шин 3 открыты. В течение первого этапа устанавливается код адреса на затворах транзисторов 2. На втором этапе(при Йктивной работе дешиф 79651 4ратора) открывается транзистор 4. Таккак лишь в одной из групп 2 транзисторов все транзисторы закрыты, то всечисловые шины 7, кроме одной разряжа)ются через соответствуюшие транзисторы 2 и транзистор 4, Заряд остается только на одной выбранной числовойшине 7.Введенный в устройство управляю щий транзистор 4 не ограничен в размерах шагом накопителя 5 и имеет лишьодну связь с шиной, объединяющей истоки ключевых...

Номер патента: 886053

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Козырь, Петросян

МПК: G11C 11/40, G11C 16/00

Метки: запоминающее, полупроводниковое, постоянное

...БазыФмногоэмиттерных транзисторов 3 дешифратора 4 соединены с соответствующими базами многоэмиттерных транзисторов 7 накопителя 8 и одним концом соответствующих нагрузочных элементов 9, выполненных на резисторах, другие концы которых подключены к шине нулевого потенциала и к коллекторам многоэмиттерных транзисторов 7 накопителя 8, Одноименные эмиттеры многоэмиттерных транзисторов 7 накопителя 8 объединены с сответствующими концами резисторов третьего блока 10 сопряжения и имеют внешние выводы. Одни концы резисторов блоков 5,6 и 10 сопряжения подключены к вы" ходу источника 11 питания.В предлагаемом устройстве дешифратор 4 построен на многоэмиттерных транзисторах 3, где цепь коллектора разомкнута 1,коллектор многоэмиттерных...

Номер патента: 886054

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Козырь, Петросян

МПК: G11C 11/40, G11C 16/00

Метки: запоминающее, полупроводниковое, постоянное

...которого подсоединены к выходам адресного формирователя третьей группы, входы которых подключены к выходам второго дешифатора,вход ключа подсоединен к четвертомувыходу рагистра адреса, а выходы ключа подсоединены к соответствующим выходам выходного, блока.На чертеже представлена электрическая схема предлагаемого устройства,Полупроводниковое постоянное запоминающее устройство содержит накопитель , 1, выходы которого соединены со входами выходного блока 2, регистр 3 ад- реса, пер,вые и вторые выходы которогосоединены со входами первого 4 и вто.рого 5 дешираторов, причем выходыпервого дешифратора 4 подключены к соответствующим входам адресных формирователей первой группы 6, выходы которых соединены с первыми входамитретьего дешифратора 7,...

Номер патента: 921031

Опубликовано: 15.04.1982

Автор: Темкин

МПК: H02P 13/16

Метки: полупроводниковое, постоянного, реле

...последовательно исполнительного блока 6, подсоединенного своим входом к клемме для подключения положительного вывода источника опорного напряжения, и полупроводникового ключа 7, подключенный выходом к его управляющему входу пороговый элемент 8, соединенный своим входом с выходом усилителя 2 .постоянного тока, цепочку 9, состоящую из последовательно соединенных анодами стабилитрона 10 и диода 11. Катод.стабилитрона 10 подсоединен через резистор делителя 3 к клемме для включения положительного выво" да источника контролируемого напряжения, а катод диода 11 подключен к точке соединения выхода исполнительного блока 6 с одним входом ключа 7, второй вход которого подсоединен к клеммам для подключения минусовых выводов источников...

Номер патента: 397118

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Александров, Ловягин, Торопов

МПК: H01L 27/13

Метки: полупроводниковое

...является расширение ,частотной области применения МДП-струк-туры путем использования в качестве оспо вы совершенного монокристалла германия. енная цель достигается образоваповерхности германия пленки продолжающей совершенную кри кую структуру германия, на осрой сформирована диэлектричека. Толщина кремниевой прослойгерманием и границей диэлекттка кремния много меньше тол пространственного заряда в герма ершенные пленки кремния толщиной 20 - 1000 А на германии получены методом ионного распыления кремния в вакууме при таких температурах, когда свойства германия не изменяются: образование диэлектрической пленки достигается реактивным распылением (возможны другие известные методы).Предложенная МДП-структура состоит из металла,...

Номер патента: 966812

Опубликовано: 15.10.1982

Автор: Темкин

МПК: H02H 9/04

Метки: защитой, перенапряжений, полупроводниковое, постоянного, реле

...1 7 3 = 0,5 мс, а время включения цепочки 5 и транзистора 8 ТВкл. = 5 мкс, то повышение быстродействия зашиты от перенапряжений данного устройства по сравнению с прототипом составит величину 7 3 . 0,5 мс 5 мкс3633формула изобретения 40 Повышение быстродействия зашиты реле снижает вероятность выхода иэ строя его элементов, что повышает надежность работы реле и увеличивает срок его службы. 3 9668Пель изобретения - повышение быстродействия зашиты реле от перенапряжений по входу.Поставленная цель достигается тем, что, полупроводниковоереле постоянного тока с зашитой от перенапряжений, содержащее исполнительный орган, подключенный к источнику питания, компаратор, выход которого соединен с входом исполнительно органа, а вход - с выходом...

Номер патента: 974582

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Мантузов, Непомнящих

МПК: H03K 17/60

Метки: полупроводниковое, постоянного, реле

...за верхний пороговый уровень, При уменьшении контролируемого напряжения до верхнего порогового уровня входной и выходной транзисторы 1 и 3 запираются, реле 5 отключается.Если контролируемое напряжение уменьшается до нижнего порогового уровня, напряжение на резисторах 7 и 8 становится ниже напряжения стабилитрона 4 и потенциал эмиттера дополнительного транзистора 2 становится более положительным относительно его базы, дополнительный транэис - тор 2 начинает открываться, а входной транзистор 1 еще более закрывается, Коллекторный ток дополнительного транзистора 2 способствУет открыванию выходного транзистора 3, и ток коллектора последнего возбуждает светодиод опрона 12, в результате чего выходное сопротивление опрона 12 умень. шается и...

Номер патента: 983840

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Зильберштейн, Машнин

МПК: H01L 25/02

Метки: выпрямительное, полупроводниковое, преобразователя, электрической, энергии

...детали, отверстие 2 1 с нарезкой под нажимные болты, отверстия 22 дпя винтов. 55 40 6 Устройство содержит металлическоеоснование 2, на котором расположеныизолирующий слой 13 например, из окиси берилия), металлические пласти"ны 14, на которых помещены полупровод=никовые структуры 5 (например, диоды,транзисторы, тиристоры, фототиристоры, оптотиристоры); металлическиеФасонные шины 8 и 9; кольца 15, которые изолируют вину 8 от шины 9 наполупроводниковой структуре 5; нажямные болты 1, прижимающие полупроводниковые структуры к основанию 2;нжимные болты 1 а, прижимающие метал-:лические пластины 14 к основанию 2;опорный элемент 3, в котором выполнены отверстия 21 с резьбой, в которые ввинчиваются нажимные болты1 и 1 а, а также...

Номер патента: 987679

Опубликовано: 07.01.1983

Автор: Тенк

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, полупроводниковое

...транзисторы 13, истоки которыхобъединены, затворы объединены иявляются входами дешифратора, стокисоединены с истоками нагрузочныхтранзисторов 14, стоки которых подключены к шине питания, а затворы 15являются соответствующими управляющими шинами,55Устройство работает следующим образом.В промежуток. времени, когда наинверсных выходах 12 и 15,источниковимпульсного напряжения действует вы Осокий потенциал, а на пряьнх 6-8 -.низкий, происходит предварительныйзаряд адресных шин накопителя черезнагрузочные транзисторы 14 и 9 свстроенным каналом до полного напря-,жения источника постоянного питания.После подачи кода адреса на затворыключевых транзисторов 11 адресныхусилителей устанавливается высокийпотенциал на прямом выходе 6...

Номер патента: 1001173

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Гизатуллин, Иванов, Кирсанов, Кренгель, Пермитин, Федосов, Хорьков

МПК: G11C 11/403, G11C 7/00

Метки: динамическое, запоминающее, полупроводниковое

...накопителя 16, связанных с адресами выбора строки матрицы накопителя информации. При этом на управляющие входы первого и третьего коммутаторов 13 и 15 с выхода первого формирователя б в режиме ОБРАЩЕНИЕ поступает такой уровень напряжения, который разрешает прохождение информации через коммутаторы 13 и 15 с второй группы входов Работа третьего коммутатора 15 по передаче информации на выход со стороны второй группы входов аналогична работе первого и второго коммутаторов 13 и 14. При поступлении, например, высокого уровня напряжения на управ ляющий вход третьего коммутатора 15 (Фиг.2) по первым входам открыты элементы И 19 первой группы 18, что обеспечивает прохождение инфорМации с второй группы входов коммутатора 50 15 через элементы...

Номер патента: 1005222

Опубликовано: 15.03.1983

Автор: Черников

МПК: H01L 25/00

Метки: полупроводниковое, преобразовательное

...канал цляпрохождения хлааагента выполнен в виае прямоугольного гофра, между изгибами которого черецуясь установленыполупровоаниковые вентили и прижимныеэлементы, а изолирующие элементы выполнены в виде втулок установленныхв канале межау его частями, прилегающими к электроаам каждого вентиля,2. Устройство по и. 1, о г л и ч аю щ е е с я тем,.что обмотка аросселя выполнена многовигковой,3. Устройство по и. 2, о т л и ч .аю ш е е с я тем, что на внешней стенке канала для хлацагента установленыаругие тепловыделяющие элементы пре.обраэоват,я, например резисторы,1. Авторское свидетельство СССР3 10052ложняют конструкцию и снижают нацежность устройства в целом.Целью изобретения является упрошение устройства и повышение его нааежности....

Номер патента: 1005223

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Елинсон, Мадьяров, Малахов, Покалякин, Терешин

МПК: H01L 29/15, H01L 45/00

Метки: запоминающее, полупроводниковое

...к увеличению количесгвв элементов схемы управления и к удорожанию такого запоминающего устройства.Целью изобретения является повышение стабильности работы и увеличение огно- у щения сопротивлений в выключенном и включенном состоянии,Уквзанная цель постигается тем, что в полупровоцниковом запоминающем устройстве на основе гегероперехоцв иэ 1 О вырожценного полупровоцникв и невырожценной полупроводниковой пленки с ловушками в запрещенной зоне, содержащемконтактный элемент, соэцвющий потенциальный барьер с невырожценным полу- И провоцником, межцу вырожценным полупровоцником и невырожценной полупровоцниковой пленкой введен слой иэ теннельно-прозрачного диэлектрика.Туннельно-прозрачный циэлекгрик 2 ф . может быть выполнен иэ 510 . В случае...

Номер патента: 1008791

Опубликовано: 30.03.1983

Автор: Тенк

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, полупроводниковое

...12 со стоками ключевых транзисторов 7, затворами и истоками нагрузочных транзисторов 8 соответствующих адресных усилителей 6, стоки нагрузочных транзисторов 5 и 8с дешифраторов 3 и адресных усилителей 6 подключены к источниху 27 постоянного питания, Два входе блока элементов И 16 подключены к выходам одного из адресных усилителей 6, а выход - к первому входу первого формирователя 21 управляющих сигналов. Блок 17 разрядных ключей содержит блох элементов ИИЛИНЕ (транзисторы 4 и 5) и шину 13 строки с максимально возможным в накопителе числом подключенных к ней затворов транзисторов 2, стоки которых соедине3 3.0087ны с соответствующими шинами 14 столбцов, а истоки - с истоками транзисторов2 накопителя 1, Два входа блока ИЛИНЕ подключены к...

Номер патента: 432856

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Завадский, Калашников, Карпова, Корнилов

МПК: H01L 43/10

Метки: полупроводниковое

...тем, что оно изготовпено из полупроводникового материала, в котором возможновозбуждение рекомбинационных волн вппазме полупровоцника, Характерным дляданного устройства является напичие четкого порога по магнитному попю и чувствительность, превышающая на нескопь Око порядков чувствитепьность ранее известных приборов. Прецлагаемое устройствооткрывает новые возможности испопьзо 1вания особенности эпектрических и магни"ных явлений в попупроводппах для созда ния разпичных технических устройств.Устройство может быть выпонено ввице пластины германия, помещенной вмагнитное попе и имеющей контакты, одиниз которых является выпрямпяющим, Ппастина германия легирована марганцем исурьмой в таких концентрациях, при которых возможно возбуждение...

Номер патента: 1056319

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Воронин, Горелик, Зильберштейн, Кириллова, Корецкий, Липатова, Машнин

МПК: H01L 25/02

Метки: выпрямительное, полупроводниковое, управляемое

...к общему металлическому основанию через теплопро- .водящий электроизолирующий слой,на одну сторону общего металлического основания предварительно наносятфиксированный по толщине слой теплопроводящего компаунда, после чегоприклеивают контактные пластины ишины с напаянными на них силовымиполупроводниковыми элементами, аобщее металлическое основание иэалюминиевого сплава перед нанесениемфиксированного по толщине слоя компаунда предварительно анодируют ианодный окисел уплотняют, например,в парах воды,На фиг. 1 изображено устройство,реализующее последовательное соединение двух оптотиристорных структур,разрез; на фиг. 2 - то же, вид сверху; на фиг. 3 - устройство, реализующее тиристорный трехфазный мост постоянного тока с оптронным...

Номер патента: 1076947

Опубликовано: 28.02.1984

Авторы: Вартанов, Круглова, Лашевский, Неустроев

МПК: G11C 11/10

Метки: запоминающее, полупроводниковое

...ОЗУ и ПЗУ. Входы дешифраторов 25 столбцов накопителей ОЗУ и ПЗУ также соединены с соответствующими адресными шинами, их управляющие входы - с управляюгцей:пипой, выходы - с соответствукнцими шинами столбцов накопителей ОЗУ и ПЗУ соответственно 12.Однако известное техническое решение является избыточным и приводит к большим аппаратурным затратам из-за наличия двух полных дешифраторов строк.Цель изобретения - упрощение устройства. Поставленная цель достигается тем, что в полупроводниковом запоминаюгцем устройстве, содержащем первый и второй накопители, входы первых групп которых 4 О являются соответственно входами первой и второй групп устройства, входы вторых групп первого и второго накопителей соедичены соответственно с выходами...

Номер патента: 1084900

Опубликовано: 07.04.1984

Авторы: Бородин, Егорова, Огнев, Столяров

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, модульной, организацией, побайтовой, полупроводниковое

...группа входов которого соединена с выходами второго блока формирования контрольных разрядов по вой 15, введены первый и второй блоки формирования четности, входы первого из которых соединены соответственно с первым и пятым информационными входами всех Имодулей памяти, а входы второго блока формирования четности соединены соответственно с первым и пятым информационными выходами всех Имодулей памяти, причем выход первого блока формирования четности соединен с входом дополнительного пятогс контрольного разряда И-го модуля памяти, выход которого соединен с первым дополнительным входом блока выработки сигнала ошибки, второй дополнительный вход которого соединен с выходом второго блока формирования четности.На чертеже представлена...