Полупроводниковое постоянное запоминающее устройство

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советскнк Социалнстическик Республик(51)М. Кл.з с присоединением заявки М 9 С 11 С 17/00 Государственный комитет СССР во делам изобретений н открытий(088. 8) Дата опубликования описания 1509,80(71) Заявитель Московский институт электронной техники(54) ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО Изобретение относится к вычислительной технике и автоматике и может быть использовано в устройствахобработки цифровой информации в ка 5честве табличных данных, программ,подпрограмм, преобразователей кодови др,Известно полупроводниковое запоминающее устройство, содержащее запоминающие транзисторы с инжекторомр-типа с базовыми диодами Шоттки(1,Наиболее близким техническим решением к изобретению является полупроводниковое постоянное запоминающее устройство, содержащее адресныеформирователи, инвертор разрешениявыборки, элементы дешифратора, транзисторы матрицы и усилители счйтывания 21.Недостатками этих полупроводниковых постоянных запоминающих устройствявляется низкая степень интеграции,что ограничивает информационную емкость устройства.Цель изобретения - повышение степени интеграции полупроводниковогопостоянного запоминающего устройства. 30 Поставленная цель достигается тем, что полупроводниковое постоянное запоминающее устройство содержит запоминающие транзисторы с инжектором р-типа с баэовыми диодами Шоттки, коллекторы которых соединены с соответствующими выходами устройства, эмиттеры - с шиной нулевого потенциала, а катоды диодов Шоттки с соответствующими вторыми коллекторами первых адресных и коллекторами вторых адресных транзисторов с инжектором р-типа, а также с коллектором управляющего транзистора с инжектором р-типа, причем инжекторы транзисторов подключены к шине питания.На чертеже представлена электрическая схема полупроводникового постоянного запоминающего устройства. Полупроводниковое постоянное запоминающее устройство содержит адресные первые 1 и вторые 2 транзисторы с инжектором р-типа, а также - управляющий транзистор 3 с инжектором 4 р-типа, база 5 которого и базы б адресных первых транзисторов 1 с инжектором 7 р-типа соединены с соответствующими входами 8 уст1 О 20 Формула изобретения 25 35 40 45 50 55 60 65 ройства, а первые коллекторы 9 адресных первых транзисторов 1 с инжек тором 7 р-типа - с базами 10 соответствующих адресных вторых транзисторов 2 с инжектором 11 р-типа, эмиттеры 12 адресных первых транзисторов 1 .с инжектором 7 р-типа, эмиттеры 13 адресных вторых транзисторов 2 с инжектором 11 р-типа и эмиттер 14 управляющего транзистора 3 с инжектором 4 р-типа соединены с шиной нулевого потенциала (на чертеже она не нумерована), а инжекторы 4, 7 и 11 - к шине 15 источника питания, при этом вторые коллекторы 9 адресных транзисторов 1 с инжектором 7 р-.типа, коллекторы 16 адресных транзисторов 2 с инжектором 11 р-типа и коллектор 17 управляющего транзистора 3 с инжектором 4 р-типа соединены с соответствующими катодами 18 базовых диодов 19 Шоттки запоминающих транзисторов 20 с инжектором 21 р-типа, коллекторы 22 которых соединены с соответствующими выходами 23 устройства, а эмиттеры 24 - с шиной нулевого потенциала, причем инжекторы 21 подключены к шине 15 источника питания.Полупроводниковое постоянное запоминающее устройство работает следующим образом,На входы 8 устройства (базы 6 адресных первых транзисторов 1 с инжектором 7 р-типа и базу 5 управляющего транзистора 3 с инжектором 4 р-типа) подается код адреса (комбинация сигналов низкого и высокого уровня напряжения на базы 6 адресных первых транзисторов 1 с инжектором 7 р-типа и низкий уровень напряжения на базу 5 управляющего транзистора 3 с инжектором 4 р-типа), При этом накатодах 18 базовых диодов 19 Шотткивыбранного запоминающего транзистора 20 с инжектором 21 р-типа устанавливаются высокие уровни напряжения. В результате. из выбранного з апоминающего транзистора 20 с инжектором 21 р-типа считывается соответствующее слово и на его коллекторах 22 (выходах 23 устройства, так как одноименные коллекторы 22 запоминающих транзисторов 20 с инжектором 21 р-типаобъединены и выполняют функцию монтажной ИЛИ) появляются высокие ( 0,6 О, 7 В) уровни напряжения, если коллекторы 22 разомкнуты (не подключенык выходам 23 устройства),. и низкие(0,1 В) уровни напряжения, если коллекторы 22 не разомкнуты (подключены к выходам .23 устройства), что соответствует считанному слову,Таким образом, предлагаемое полупроводниковое постоянное запоминающее устройство по сравнению с известным отличается повышенной степеньюинтеграции, которое обеспечиваетсявведением запоминающих транзисторбв 20 с инжектором 21 р-типа с базовымидиодами 19 Шоттки (занимающий площадь от 1500 мкм до 5000 мкм и имеющий быстродействие от 5 нс до 15 нс)и тем, что инжекторы 21 р-типа обеспечивают подвод питания не только кзапоминающим транзисторам 20, нои к соответствующим адресным первым 1 и вторым 2 транзисторам с инжектором р-типа через соответствующие базовые диоды 19 Шоттки, Этопозволяет реализовать постоянное запоминающее устройство 16 Кбит накристалле размером 4 х 4 мм,Полупроводниковое постоянное запоминающее устройство сохраняет работоспособность в широком диапазонеизменения напряжения питания (1 В 6.( Еп(15 В) соответственно рабочеготока инжектора (10 мАС 1 п(1 мА), а так-бже температуры окружающей среды(-60 С(Т(+1250 С),Полупроводниковое постоянное запоминающее устройство, содержащееуправляющий и первые и вторые адресные транзисторы с инжектором р-типа,причем базы управляющего и первыхадресных транзисторов с инжекторомр-типа соединены с соответствующимивходами устройства, а первые коллекторы первых адресных транзисторов синжектором р-типа - с базами соответствующих вторых адресных транзисторов с инжектором р-типа, эмиттерыадресных и управляющего транзисторовс ийжектором р-типа соединены с ши,ной нулевого потенциала, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения степени интеграции устройства, оно содержит запоминающие транзисторы с инжектором р-типа с базоными диодами Шоттки, коллекторы которых соединены с соответствующимивыходами устройства, эмиттеры - сшиной нулевого потенциала, а катодыдиодов Шоттки - с соответсвующимивторыми коллекторами первых адресных и коллекторами вторых адресныхтранзисторов с инжектором р-типа, атакже с коллектором управляющеготранзистора с инжектором р-типа, причем инжекторы транзисторов подключены к шине питания,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, Фурсин Г.И,Функциональные интегральные схемы и инжекционным питанием и активной связью на биполярныхприборах, в Микроэлектроника, т.6,вып.2, с,.108-126, 1977,2. Шетинин Ю,И Крамаренко О.Л,Неклюдов В,А Монолитное ПЗУ 155 РЕ 1емкостью 256 бит со схемами управлениямиСб, Микроэлектроника й полупроводниковые приборы, вып. 1. Сов. радио, 1976, с. 50-58 (прототип) .763968 Составитель И, Козырьтор С.Патрушева Техред И.Асталош Корректор Е.Папп Зака ал ППП фПатентф, г,ужгород, ул.Проектная,605/16 Тираж ВНИИПИ Государ по делам и 113035 Москва, 62 Подписноенного комитета СССРретений и открытий35, Раушская наб д. 4/5