Полупроводниковое времязадающееустройство

ОЙ ИСАЙИ ЕИЗОВРЕТЕКИЯК АВТЬРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУЪ(22)Заявлеио 06.07.79, (2) 2790052/ 18-21 Союз Советски кСоциалистически кРесвубляк ои 824423(5)М. Кл. Н ОЗ К 5/353 с присоединением заавки Рш Гююудврютвшшыв камптвт СССР пю делам кзююретекик к юткрщткй(088. 8) Вата опубликования описания 25. 64.8 1 2) Аеторыизобретения годенко и С. П. Мирошничен Таганро кий радиотехничесВ. Д.Калмыкова(7) Заяаител нс тит ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ВРУСТРОЙСТВО игнал распр м носителям В этом устройств страияется в обедне заряда канале, расп ложке под резистив его амплитуда сущес ся по мере распрост .вие влияния диффузи поля,Пелью иэобретени шение затухания сиг оженном в и ным электродом, ивенно уменьшаетанения вследстеденного умень ляетс а. Изобретение относится к импульсной и аналоговой технике, может быть использовано в телевидении, ак"ф тивных фильтрах, системах автоматики измерительной, вычислительной технике и предназначено для задержки . ф сигналов во времени,Известно устройство, содержащее решетку соединенных между собойэлектродов, расположенную под ре 0 зистивным электродом и изолированную от.подложки и резистивного электрода диэлектриком, источник импульсного напряжения подаваемого на решет-у электродов 11.Однако известное устройство обладает следующим недостатком:существенным уменьшением ампдитуды выходного сигнала.Из известных технический решений наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является устройство, состоящее из полупроводниковой подложки одного типа проводи; мости, покрытой диэлектриком, инжектора и коллектора другого типа проводимости, протяженного резистивного электрода постоянной ширины, проводящих пленочных выводов .от инжектора, коллектора и резистивного электрода, источников постоянного напряжения, причем ийжектор расположен вблизи одного конца реэистивного электродарнахрящегося под .одним наФ пряжением а коллектор - вблизи другого, находящегося под напряженнем, большим первого 2.82442334Поставленная цель достигается ным каналом и распространяются вдольтем, что в полупроводниковое время- него по направлению к коллектору 9задающее устройство, состоящее из под действием тянущего электрическогопокрытой диэлектриком полупроводни- поля, созданного напряжением,ковой подложки одного типа проводи К выводу 10 коллектора прикладымости, инжектора и коллектора другого вается напряжение, смещающее коллектипа проводимости, расположенных тор в обратном направлении. Его обед-на диэлектрике резистивного электро- ненная область смыкается с обедда и выводов от инжектора, коллектора ненным каналом и выводит носителии резистивного электрода, введена 10 заряда. На сопротивлении коллекторнойдополнительная резистивная область нагрузки создается выходной сигнал.с увеличивающейся по линейному зако-Использование нового элемента -ну шириной, которая соединена по дополнительной резистивной области .4кромке с резистивным электродом и позволяет создать в обедненном канарасположена на диэлектрике. При этом 15 ле уменьшающуюся по мере приближениятолщина диэлектрика под дополнитель- к коллектору напряженность поля.ной резистивной областью в 3-7 раз Захваченные обедненным каналом нобольше толщины диэлектрика под резис- сители заряда, продвигаясь вдоль нетивным электродом. го, притормаживаются так как ихНа фиг. 1 представлена конструкция 20 скорость пропорциональна напряженвремязадающего устройства; на фиг. 2 - ности поля. Это ведет к увеличениюразрез А-А на фиг. 1, . амплитуды поверхностной концентраУстройство содержит вывод 1 инжек- ции носителей заряда по мере прнблитора, инжектор 21,Р- область) резис- жения к коллектору и, как следствие,тивный электрод 3, дополнительную ре к уменьшению затухания сигнала. Взистивную область 4, 11 - область 5 предлагаемом устройстве уменьшениезаземляемый вывод 6 резистивного амплитуды поверхностной плотностиэлектрода и подложки выводы 7 для заряда за счет влияния диффузии инеразрушающего считывания информации наведенного поля компенсируетсяо задержанном сигнале, потенциальный Э 0 увеличением поверхностной плотностивывод 8 резистивного электрода, кол- заряда за счетпритормаживания перелектор, 9 1,Р - область), вывод 10 кол- двигающихся вдоль канала носителей.лектора, кромку 11 резистивного элект- заряда нелинейным продольным полем врода, диэлектрик 12, подложку 13 (и- канале.типа), обедненный носителями заряда35канал 14, резистор 15 на толстомдиэлектрике, введенный для уменьше- формула изобретенияния количества источников питания.Дополнительная резистивная область 4 1. Полупроводниковое времязадаю-.соединоединена с резистивным электродом 3 щее устройство, состоящее из покры 40по кромке 11. Выводы 1,68 и 10, той диэлектриком полупроводниковойдополнительная резистивная область 4, подложки одного типа, проводимости,резистор 15 расположены на толстом инжектора и коллектора другого типадиэлектрике, а под резистивным элет- проводимости расположенных на диэлектродом то3 лщина диэлектрика умень- рике резистивного электрода и выво 45.шена в 3-7 раз. дов от инжектора, коллектора и резисРаботает устройство следующим об- тйвного электрода, о тл и ч а юразом. щ е е с я тем, что, с целью уменьПри приложении к выводу 1 относи- шения затухания сигнала, в него ввЬтельно вывода 6 достаточного постоян- дена дополнительная резистивнаяного и переменного или импульсного область с увеличивающейся по линей- напряжения иния инжектор 2 инжектирует в под- н уложку носитеители заряда.К выводу 8 элект иена по кромке с резистивным электрода прикладыадывается напряжение такой ве родом и расположена на диэлектрике, личины, чтобы в подложке 13 под резистинным электродом 3 создался обеднен 2. Устройство по и, 1, о т л ич а ю щ е е с я тем, что толщина ный носителями заряда канал 14. Инжекодлоысу но- диэлектрика под дополнительной резистированные инжектором в подлоысутивной областью в 3-7 раз больше сители заряда захватываются обеднен824423 толщины диэлектрика под резистивнымэлектродом.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе Составитель Л. КолосковС.Мигунова Корректор Н. Швьдк Редактор В. Данко Техред8 е ПодписноСР комитета открыти д. 4/5 ская н Ужгород, ул, Проектная,11атент ,Филиал П Заказ 21ВНИИПИ Гопо делам113035, И Тираж 98 дарственно г изобретений ква, Ж,61. Заявка франции 11" 229546,кл. Н О 1 Ь 27/1 О, опублик. 09.07.76.2. Заявка ФРГ В 2606254,кл. Н 01 Ь 29/66, опублнк. 18.08,77.