Патенты с меткой «полупроводниковое»

Номер патента: 1096712

Опубликовано: 07.06.1984

Автор: Кориненко

МПК: H01H 47/00

Метки: возврата, коэффициентом, полупроводниковое, постоянного, регулируемым, реле

...питания, коллектор входного транзистора усилителя постоянного тока через резистор соедин .н с третьим выводом для подключения источникапитания, эмиттеры транзисторов усилителя постоянного тока соединены с первым выводом для подключения источника питания, введен коммутатор надвух транзисторах двух постоянных и двух переменных резисторах, причем база первого транзистора коммутатора соединена с коллектором выходного транзистора усилителя постоянного тока, база второго транзистора коммутатора подключена к коллектору входного транзистора усилителя постоянного тока, коллектор каждого транзистора коммутатора через постоянный резистор соединен с третьим выводом для подключения источника питания, а эмиттер каждого транзистора коммутатора через...

Номер патента: 789018

Опубликовано: 15.06.1984

Авторы: Елинсон, Мадьяров, Малахов, Покалякин, Степанов, Терешин, Тестов

МПК: H01L 29/12

Метки: запоминающее, полупроводниковое

...снизит барьер с металлом. При дальнейнем увеличении положительного смещения становится возможным туннелирование электронов из валентной эоны невырожденного полупроводника в зону проводимости металла. При этом в валентной зоне невырожденного полупроводника появляются дырки, которые движутся к вырожденному полупроводнику, В запрещенной зоне невырожденного полупроводника имеются ловушки, способные захватывать электроны Е " иедырки ЕВ исходном состоянии все ловушки заполнены и имеют заряд равный нулю, Теперь появившаяся в валентной зоне невырожденного полупроводника дырка захватывается ловушкой для дырки в области, прилежащей к вырожденному проводнику с последующей рекомбинацией с электроном, находящимся на ловушке для электронов в...

Номер патента: 1112559

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Пискун, Руденко, Тарнопольский

МПК: H03K 17/60

Метки: двухполярное, полупроводниковое, реле

...представлена схема полупроводникового двухполярного реле.Полупроводниковое двухполярноереле выполнено по двухтактной схемеи содержит первый 1, второй 2 и третий 3 общие резисторы, входную 4, выходную 5 и общую б шины, конденсатор7, шину 8 смещения и в каждом плече первый 9,10), второй 11 12), третий 13,14) и четвертый 15 16) транзисторы, первый 17(18), второй 19(20)третий 21(22), четвертый 23(24 ) ипятый 25(26) резисторы, диод 27(28),шину 29(30) источника питания, причембаза первого транзистора 9(10) через первый 1 и второй 2 общие резисторы соответственно подключены к входной шине 4 и шине 8 смещения, эмиттер соединен с Общей шиной б, а коллектор через первый резистор 17(18)подключен к первому выводу второгорезистора 19(20), шине...

Номер патента: 1142861

Опубликовано: 28.02.1985

Авторы: Барашенков, Павлова

МПК: G11C 11/00, G11C 17/00

Метки: запоминающее, полупроводниковое

...статического триггера, а затворы являются дополнительным входом устройства, входы каждого логического элемента соединены с выходами соответствующего усилителя записи, управляющий входс дополнительным входом устройства а выход - с входом соответствующего ключевого усилителя.При этом каждый логический элемент содержит нагрузочный транзистор Р-типа и три ключевых транзистора п-типа, причем сток нагрузочного транзистора р-типа соединен с шиной питающего напряжения, исток является выходом логического элемента и соединен со стоками первого и второго ключевых транзисторов о -типа, истоки которых соединены со стоком третьего ключевого транзистора и-ти- па, исток которого и затвор нагрузочного транзистора р-типа соединены с шиной нулевого...

Номер патента: 1215135

Опубликовано: 28.02.1986

Авторы: Зеленцов, Красильников, Панкратов, Трушин

МПК: G11C 11/40

Метки: выборкой, запоминающее, полупроводниковое, произвольной

...регистры 6 и 1 Одля приема нового адреса, одновременно блок предварительного зарядаразрядных шин 2 начинает восстанавливать исходные потенциалы на разрядных шинах накопителя, Информация хранится в усилителе считывания12 до установления уровня ВК, соотнстстнующего невыбранному состояниюсхемы ЗУПВ,Поскольку прием нового кода адреса в блоки приема и хранения инфор- .мации и. восстановление потенциаловна адресных шинах строк и разрядных шинах матричного накопителя практическизаканчивается в период считыванияинформации с выхода схемы то минимальная длительность уровня ВК в пеКроме того, в ОЗУ большой емкости время считывания информации сильно зависит от места положения ЯП в накопителе. Выигрыш в быстродействии при использовании...

Номер патента: 1238157

Опубликовано: 15.06.1986

Авторы: Барашенков, Павлова

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, полупроводниковое

...информации на информационный вход 18 и адресные входы 16 и 17 подается код числа и код адреса элемента 2, в который она должна быть записана.Код адреса поступает в дешифраторы 8 и 9, происходит выборка строки и выборка столбца накопителя 1, при этом транзисторы 4 и 5 открыты сигналом 1 на затворах, так как открыт транзистор 6 сигналом 1 на управляющем входе 20. В зависимости от парафазного сигнала на выходе формирователя 7 на прямой и инверснойФормула изобретения Полупроводниковое запоминающее устройство, содержащее дешифратор строк, дешифратор столбцов, формирователи записи, ключи, блоки местного управления и матричный накопитель, содержащий элемен О ты оперативной памяти, каждый из которыхсостоит из триггера и переключающих...

Номер патента: 1247693

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Беликов, Парфенов, Румянцев, Цывин

МПК: G01L 1/22

Метки: измерительное, полупроводниковое

...с контактными площадками 4, которые атомарно соединены с подложкой 1. Мост тензорезисторов 2 с перемычками 3 расположены симметрично продольной 00 и поперечной 0 0 осям подложки 1 над пазом 5, сформированным в подложке 2. Глубина паза 5 составляет 0,05-0,1 толщины Н подложки 1. Паз 5 выполнен на всю ширину В подложки 1 и симметричен оси 0 0 . Контактные площадки 4 расположены на жестких частях 6 подложки 1 и попарно симметрично относительно осей 00 и 0 О , На мост тензорезисторов 2, перемычки 3 и в объем паза 5, расположенный под мостом и перемычками, нанесена теплоотводящая диэлектрическая масса 7, например, из кремнийорганического вазелина.Чувствительный элемент работает следующим образом.При воздействии на упругий элемент...

Номер патента: 1295446

Опубликовано: 07.03.1987

Авторы: Брагин, Тенк, Ткаченко

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее, оперативное, полупроводниковое

...разряда, формируется на выходе элемента ИЛИ 23, на выходы которого подаются сигналы "Разрешение записи" с входа 8 и "Разрешение повторной записи" с выхода второго элемента 21 задержки через элемент И 22,В режиме считывания дешифратор 3, как и в режиме записи, возбуждает одну из адресных шин, отпирая адресные транзисторы в соответствующих ячейках 1 памяти и ячейке 2 памяти контрольного разряда. Считываемая из ячеек 1 памяти информация через соответствующие усилители 24 считывания поступает на входы элементов 15, на управляющие входы которых из ячейки 2 памяти контрольного разряда через усилитель 25 считывания контрольного разряда и формирователь 14 контрольного разряда поступает сигнал, который при наличии в слове дефектной ячейки...

Номер патента: 1298803

Опубликовано: 23.03.1987

Авторы: Алексеев, Барановская, Ковалев, Кугутов, Петропавловский, Росницкий, Савельев, Степанян

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, полупроводниковое

...сигнал блокировки записи корректирующего кода. В этом случае с выхода элемента НЕ 5подается сигнал на пятые входы блоковпамяти, разрешающий запись в них корректирующего кола, Это обеспечивает возможность контроля тех частей блоков 1 памяти, где хранятся коды коррекции за счеттого, что появляется возможность сохранить код коррекции в накопителях от предыдущей записи, изменяя при этом кодчисла последующей записи, а затем, анализируя результат коррекции нового кодачисла, определить правильность их функционирования, Таким образом организован аппаратный контроль корректирующего кода,расширена возможность контроля накопителей,Надежность функционирования полупроводникового запоминаюгцего устройства повышена и за счет особой организации...

Номер патента: 1350700

Опубликовано: 07.11.1987

Авторы: Машнин, Прянечников

МПК: H01L 25/00

Метки: выпрямительное, полупроводниковое

...направляется кольцами 14, встроенными в корпус и поршень, который имеет форму полуцилиндра, направляющие внутренней и внешней поверхности которого пред - ставляют собой окружности разного диаметра, выполненные с эксцентриситетом. Устройство работает следующим образом.При включении полупроводниковоговыпрямительного устройства тепло,выделяемое полупроводниковыми эле -ментами 1, передается через теплопроводящий блок 5 к испарителю тепловой трубки б. Теплосъем осуществляется с одной открытой половиныконденсатора тепловой трубки путемрасплавления теплоаккумулирующеговещества в одной из камер, котороепервоначально при температуре окру 5 10 15 20 25 30 35 40 жающей среды находится в твердомсостоянии. По мере плавления рабочего вещества в его...

Номер патента: 1365185

Опубликовано: 07.01.1988

Авторы: Коваль, Кузин

МПК: H01L 25/00

Метки: полупроводниковое, преобразовательное

...Москва, ЖРаушская наб д, 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к электротехнике, в частности к полупроводниковой преобразовательной технике, в частности к конструкции мощных высоковольтных преобразователей, содержащих большое число последовательно соединенных тиристоров.Целью изобретения является упрощение конструкции, уменьшение габаритов, снижение гидравлических потерь и повышение надежности.На чертеже показано предлагаемое устройство,Устройство состоит из тиристоров 1, охладителей 2 и дросселей 3 насыщения, объединяемых прижимным устройством 4. Дроссель 3, выполненный заливкой обмотки 5 и сердечников 6 непроводящим компаундом, выполняет роль изоляционной прокладки между...

Номер патента: 921387

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Верходанов, Власов, Гаштольд, Калиников, Кольдяев

МПК: H01L 27/04, H01L 29/78

Метки: полупроводниковое

...затвора в области канала,На чертеже изображено сечение полупроводникового устройства, состоящее из полупроводниковой подложки 1, например, р-типа проводимости, эпитаксиального слоя 2 противоположного типа проводимости, областей 3, 4 верхнего, нижнего. затворов, областей 5 каналов, областей б истока (стока), легированной области 7 канала.Как видно из чертежа, канал состоит из двух областей: неравномерно легированной и нелегированной.В эпитаксиальной области 5 канала легирующая примесь распределена однородно и соответствует уровню легирования исходной эпитаксиального слоя М, тогда как в области 7, которую создают с помощью операций диффузии или ионного легирования, концентрация примеси не постоянна, а уменьшается от значения, соответст"...

Номер патента: 1396180

Опубликовано: 15.05.1988

Авторы: Горелик, Гофман, Губенко, Зильберштейн, Рабкин, Сидоров

МПК: H01L 25/02

Метки: полупроводниковое, управляемое

...токи до160 А используются токовые импульсыс параметрами; амплитуда 200 мА, ширина 30 мкс при частоте 3-5 кГц. Так как каждая ара встречно-параллельновключенных элементов 3 подключаетсявыводами 5 к одной фазе сети перемен" ного тока 23 и нагрузке 22, .то устройство при подаче электрического входного сигнала от источника 17 подключает нагрузку 22 переменного тока к источнику сетевого питания 23 на весь период подачи сигнала.Устройство монтируется на охлади- тель (непосредственно на механизм) или внутри двигателя, так как токоведущие и выпрямительные элементы 5,4 и 3 устройства изолированы от металли 04ности и скважности, защита светоизлучающих диодов от возможного пробоя при неправильном включении. Эксплуатационная готовность устройства...

Номер патента: 1405712

Опубликовано: 23.06.1988

Автор: Дэвид

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводниковое

...устройства подложку, например алюминий, располагают на нагревательной пластине, в вакуумнойкамере и подсоединяют к отрицательной клемме источника энергии,Затем вакуумную камеру откачиваютдо давления порядка 0,5-1,0/х 10 торр,а подложку нагревают до 150-400 С.В вакуумную камеру впускают силан51 Нпод давлением 0,1-3,0 торр и врезультате этого температура подложки повышается до величины 200-500 С.0С целью обеспечения невыпрямляющегоконтак га между подложкой и активнойобластью, последняя должна наноситься на подложку при температуре вьппе350 С для того, чтобы гарантироватьобразование эвтетики между алюминиевой подложкой и активной областьюаморфного кремния,Для нанесения активного слоя разность потенциалов между анодом и...

Номер патента: 1422392

Опубликовано: 07.09.1988

Автор: Инешин

МПК: H03K 17/60

Метки: полупроводниковое, реле

...к появлению и увеличению тока базы транзистора 1, вызывает его отпирание и соответственно уменьшение тока базы транзистора 2 с его запиранием. При этом в тот момент, когда оба транзистора 1 и 2 оказываются в активном состоянии, возникает лавинообразный процесс взаимосвязанного изменения их состояний, т.е, так называемый релейный скачок, в результате которого транзистор 2 полностью запирается, величина тока, протекающего по резистору 4, уменьшается ввиду последовательного к нему подключения нагрузки 12, а величина тока, протекающего по стабилитрону 8 и база-эмиттерному переходу транзистора 1, соответственно увеличивается, вызывая полное отпирание (насьпцение) первого транзистора 1, при практически неизменном общем токопотреблении...

Номер патента: 1439679

Опубликовано: 23.11.1988

Авторы: Лашевский, Попова

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, информации, коррекцией, оперативное, полупроводниковое

...Неравнозначность 25 блока 19, на другие входы которых подается записываемая информация, Производится поразрядное сравнение записанной и считанной в процессе контрольного считывания информации и, если она совпадает, то на всех выко439679. 5 10 20 25 30 3540 4550 ВНИИПИ Заказ 6085/53 Тираж 5".О Подписное Произв.-полигр, пр-тке, г. Ужгород,. ул. Проектная, 4 дах элементов 25. формируются сигналы Лог,1 , а на выходе блока 19 -сигнал Лог. 0", свидетельс твуюшкйоб отсутствии ошибки в записанной поданному адресу информации. На этомпроцесс записи заканчивается,При этом, на входе элемента И 22появляется сигнал, "Лог.О исигнал разрешения записи с выходаэлемента 13 задержки не проходит наблоки 14 и 24. Если же информация, считанчая из накопителя 5...

Номер патента: 1439680

Опубликовано: 23.11.1988

Автор: Савельев

МПК: G11C 11/40

Метки: динамическое, запоминающее, полупроводниковое

...13 появляе".ся гпзкий потенциал, ксторый поступает на элемент ИЕ 17 и гя один и; входов элемента И 18, за сче чего выходной сигнал с генератора 14, пройдя элемент 20 задержки, не проходит через элемент И 18 и элемент 11 10, закрытый сигналом с выход триггера 22, и далее через элемен. пИ 25 - на второй выход блока 11 т,е. режим регенерации оказывается запрещенным, Поэтому второй синап с выода элемента 20 задержки поступает на второй гход элемента И 23 и проходит через первый выход блока 11 к блоку 6 и на вход счетчика 12. уменьшая на единицу число на его выходах, Этот же сигнал проходит на вход триггера 22 через элемент И 1 И 24, сбрасывая триггер 22 в нулевое "остояцпе, Элемент 20 задержки предотвращает переходные процессы при...

Номер патента: 1531164

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Брагин, Лашевский, Сегаль

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, оперативное, полупроводниковое

...в результате пробоя подзатворного диэлектрика одного из ад ресных транзисторов основного элемента 2 памяти, адресная шина всегда имеет -потенциал подложки. Это приводит к невозможности доступа в основные элементы 2 памяти по данному адресу (блокировке .строки), так как адресные транзисторы всех элементов 2 строки закрыты, хотя соответствующий выход дешифратора 1 возбужден. Если соответствующий выход дешифратора 1 возбужден, т.е. на нем сформиро 55 ван сигнал логической "1", то на входе второго элемента НЕ 4 устанавливается сигнал логического "О". Так как адресная шина строки имеет напряжение логического "О" в результате замыкания затвора одного из адресных транзисторов на подложку, то и соответствующий выход второго элемента НЕ4 также...

Номер патента: 1550412

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Баштанов, Гусейнов, Исмаилов, Цветков

МПК: G01N 27/68

Метки: влажности, относительной, полупроводниковое, термочувствительное

...переключателя через полупроводниковый термоэлектрический микромодуль пропускается ток, обеспечивающий за счет эффекта Пельтье охлаждение холодных спаев микромодуля до температуры Т, определяемой эффективностью Еполупроводникового ве щества термоэлементов. Чем больше К; тем до более низкой температуры (при прочих равных условиях) можно охладить холодные спаи микромодуля. Величина современных полупроводниковыхтермоэлектрических материалов составляет около 3 10 1/град, что позволя ет охладить холодные (в данном случае "мокрые") спаи микромодуля на50-70 град по отношению к температуреокружающей среды. При достижении ,холодными спаями микромодуля ТТ 25 , ;(Т - температура точки росы), на холодных спаях конденсируется влага,Причем чем...

Номер патента: 1576941

Опубликовано: 07.07.1990

Авторы: Дравин, Колесников, Местечкин

МПК: H01L 25/00

Метки: полупроводниковое

...грани корпуса не превышает половины заданного шага. Конструкция,может не содержать изолирующей подложки, а кристалл может быть приклеен компаундом 4 на корпус 1.На боковой грани корпуса фиксируются электроды корпуса в виде жгута 6 гибких кабелей. Жгут 6 составлен из одножильных изолированных кабелей 7, имеющих тонкую изоляционную оболочку 8. Узел 9, в котором закреплен верхний конец жгута 6, сформирован из одного или нескольких рядов кабелей 7 с общим количеством не менее, чем число электродов, расположенных с одной стороны кристалла. Кабели 7 жестко закреплены между собой и с корпусом 1 с помощью, например, конструктивов 10 и эпоксидного компаунда 11. При этом торцы кабелей 12 находятся в плоскости, совпадающей или параллельной...

Номер патента: 1674261

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Бочков, Однолько

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, полупроводниковое

...заряжаются шины 18 и 19 вывода до напряжения высокого логического уровня.После разряда одной из шин 18 или 19 вывода до нуля на выходе формирователя 10 появляется сигнал с высоким логическим уровнем.Транзисторы формирователя 10 и транзисторы усилителя 2 считывания образуют тактируемый триггер, который удерживает состояние шин 18 и 19 вывода, установившееся после считывания информации из выбранной ячейки памяти, вплоть до нового обращения к ЗУ.Сигнал с высоким логическим уровнем с выхода формирователя 10 поступает на входы сброса формирователя 8 и формирователя 11, при этом сигналы на их выходах переходят в состояние логического нуля,выключаются усилитель 2 и дешифраторы 3 и 4 строк и столбцов и на их выходах устанавливаются уровни...

Номер патента: 1725424

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Исмаилов, Керимов, Малков, Набиулин

МПК: H05K 7/20

Метки: аппаратуры, полупроводниковое, радиоэлектронной, термостабилизации, термоэлектрическое, элементов

...спаи термоэлектрического модуля, снабженного на вторых спаях теплообменником. В образованной корпусом и поверхностью платы герметичной полости, содержащей радиоэлектронные элементы, контактирующие с платой только своими выводами, с помощью термоэлектрического модуля создается необходимый тепловой режим, контролируемый размещенным в полости датчиком температуры, соединенным с входом терморегулятора, чей выход связан с термоэлектрическим модулем.5 10 15 20 25 30 35 4045 50 55 На чертеже приведено предлагаемое устройство.Герметичная полость 1, образована платой 2 с радиоэлектронными элементами и соединенным с ней по периметру металлическим корпусом 3, на свободную внешнюю поверхность которого нанесен теплоизолирующий слой 4. К внешней...

Номер патента: 1734134

Опубликовано: 15.05.1992

Автор: Ярыш

МПК: H01L 23/34

Метки: охлаждающее, полупроводниковое

...стойки 10 по диагонали между противолежащими окнами 9 панелей 7 и 8, причем теплоотводящие перегородки 11 смежных стоек 10 расположены зеркально одна относительно другой. Кроме того, устройство имеет трансформаторы 12, высоковольтные вводы 13, шины 14, соединяющие вводы, например, по встречно-параллельной схеме соединения полюсов блоков 5 и 6, управляющие связи 15, блоки управления 16 и радиаторы 17, которые осуществляют охлаждение устройства и способствуют конвекционному перемещению потоков 18 масла 2 в баке 19 со всех четырех сторон стенок его корпуса 1 устройства.Устройство работает следующим образом.Из блока управления 16 через световоды по управляющим связям 15 управляющие импульсы подаются на трансформаторы 12, откуда...

Номер патента: 1795520

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Лашевский, Попова

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, информации, коррекцией, оперативное, полупроводниковое

...и регистров 22 - контрольных разрядов. Выход второго элемента задержки 13 соединен со входом элемента И 26 блоков коррекции 10. Другой вход элемента И 26 соединен с выходом элемента И 29 блока сравнения, Выход элемента И 26 соединен со вторым входом элемента ИЛИ 27, со вторыми входами элементов НЕРАВНОЗНАЧНОСТЬ 18 и входом блока записи контрольного разряда 20,Устройство работает следующим образом,Сигналы с адресных входов 17 устройства поступают на вход дешифратора 3, а с выходов его через адресные усилители 4 - на адресные транзисторы, выбранных дешифратором ячеек памяти 1 и 2 информационных и контрольных разрядов. Информационные сигналы со входов 6 устройства через элементы НЕРАВНОЗНАЧНОСТЬ второго вида 18 подаются на...

Номер патента: 1801473

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Гусейнов, Исмаилов, Керимов, Хамидов

МПК: A61H 39/06

Метки: полупроводниковое, термопунктуры, термоэлектрическое

...насадка 11, Термоэлектрические модули электрически связаны с переключателем полярности напряжения и регулируемым источником тока (не показаны).Устройство работает следующим образомДля проведения медицинских процедур устройство необходимо предварительно подготовить. Для этого, отсоединенный от рабочей головки 8, корпус 1, сняв крышку, заливают водой. Затем, закрыв герметично крышкой 2 корпус 1, устанавливают в холодильник, чтобы заморозить в ней воду, при этом прозрачность корпуса обеспечивает визуальный контроль за состоянием воды. При необходимости проведения медицинских процедур, корпус 1 вынимают из холодильника и, смазав предварительно резьбу теплопроводной пастой КТП, устанавливают в отверстие 7 рабочую головку 8, При этом...

Номер патента: 1360448

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Берестов, Воронцова, Сажин, Субботин, Черников

МПК: G11C 11/34

Метки: динамическое, запоминающее, полупроводниковое

Динамическое полупроводниковое запоминающее устройство, содержащее блок памяти, информационные входы которого соединены с входными информационными шинами устройства, информационные выходы соответственно с первыми входами группы элементов И, выходы которых соединены с выходными информационными шинами устройства, адресные входы блока памяти соединены с выходами коммутатора, вход управления с выходом первого элемента ИЛИ, вход выбора кристалла с инверсным выходом формирователя сигнала выбора кристалла, а вход записи-считывания с первым выходом формирователя сигналов управления, второй выход которого соединен с первым входом первого элемента ИЛИ, второй вход которого подключен к объединенным вторым входам группы элементов И и выходу...