Патенты с меткой «полупроводниковое»

Номер патента: 333701

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Овчаренко, Самочадин

МПК: H03K 17/567

Метки: переключающее, полупроводниковое, реле

...переключаю быть использовано для упр двигателями постоянного то пряжение питания якоря мен го допустимого напряжения тер применяемых транзистор Полупроводниковое переключающее реле поавт. св,164465, отличающееся тем, что, с о целью повышения надежности, в него введены 1Изобретение относится к области быстродействующих коммутирующих устройств.Известно полупроводниковое переключающее реле по авт. св.164465, Применение этого реле значительно ограничивает величину коммуткруемого напряжения, не используя всех возможностей транзисторов, так как ограничение величины напряжения происходит не по допустимому напряжению коллектор-эмиттер или коллектор-база, а по величине максимального допустимого обратного напряжения база-эмиттер,Целью...

Номер патента: 392016

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Верулашвили, Вител, Какабадзе

МПК: C03C 3/087

Метки: полупроводниковое, стекло

...СТЕ 2 бласти технолоиспользовано в нического матеого назначения, щее ЯОг, А 1 гОз,лагаемо тся к т быть адиоте ециаль держа оиств 7600 - 7/лхлг ое сопрорвале темдо 400 С,04 - 10 з ,3 - 4,6 являетстекла- 10 ом см, что стт,вес, % и ег ся улучшен е и снижение о м.екло содержит 10 и обработоре НС 1, % весе п , раст мет изобретения Полупроводниковое%0 г, АгОз, ГегОз, ГеО и 1 ееся тем, что, с цел точных свойств и снин 104 - 10 з ом см, оно со поненты в следующихаОМоОз агО текл можноес. %: В качестве примера едующего состава, вЯОгА 1 гО,ГегОзГеО 53 - 58 7 - 14 5,5 - 10 4,5 - 11 10 - 15 4,5 - 5,5 0 гО 0 0,5 -Зп Изобретение относи гии силикатов и може качестве электро- и р риала в приборах сп Известно стекло, со ГегОз ГеО, СаО, МоОз...

Номер патента: 398885

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01R 25/00

Метки: полупроводниковое, фазоизмерительное

...сину соидальным током пли напряжением нулевого значения. Ширина импульса соответствует полупериоду синусопдального тока или напряжения. При прохождении прямоугольных импульсов через дифференцирующий транс форматор 2 на его выходе появляются узкиеимпульсы разной полярности и сдвинутые на 180 эл. град. Через токоограничивающий резистор 3 данные импульсы поступают на управляющий электрод симметричного тиристо ра 5. Диаграмма формиоования импульсовиз синусоидальных тока или напряжения приведена на фиг. 2 а, б, в.На второй вход устройства поступает синусоидальное напряжение, которое через статический фазовращатель 7 прикладывается к цепи, состоящей из последовательно соединенных нагрузочного сопротивления 4, симметричного тиристора 5 и...

Номер патента: 362553

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Иностранец

МПК: H05K 1/00

Метки: полупроводниковое

...свинца, олова или легированного кремния.На чертеже изображено предлагаемое полу. проводниковое устройство, вид сверху и разрез 25 по А - А. Оно содержит подложку. 1, которая в зависимости от назначения устройства может быть изготовлена из металла, диэлектрика или полупроводника. Одна сторона подложки плоская, а на другой расположены параллель- З 0 ные полосы 2, образующие матрицу, выполненную па основе кремния а-типа проводимости, Полосы 2, по периметру которых расположен изолирующий слой 8, например, двуокиси кремния или азотистого кремния, имеют расширенные участки 4, к последним присоединены микровыводы б. Матрица содержит диоды б, расположенные в ряды и колонки, Полупроводниковые пластинки 7 диодов б имеют присадки до проводимости...

Номер патента: 364050

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Иванов, Кириллов, Половцев, Старик

МПК: H01P 1/15

Метки: полупроводниковое, свч, управляющее

...наружным проводником шлейфа 14 и втулкой б, а индуктивность - участком короткозамкнутого коаксиального шлейфа длиной О между втулкой б и короткозамыкателем 9.Для увеличения емкости применена диэлектрическая втулка 8.Собственная резонансная частота коротко- замкнутого шлейфа ниже средней рабочей частоты устройства, т. е. шлейф на частоте о эквивалентен некоторой регулируемой емкости, которая используется при настройке, Изменение величины этой емкости осуществляется перемещением корткозамыкателя 9,Собственная резонансная частота индуктивно-емкостной диафрагмы, наоборот, выше средней рабочей частоты устройства, т. е. диафрагма эквивалентна некоторой регулируемой индуктивности, причем изменение величины индуктивности осуществляется...

Номер патента: 374242

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Верулашвили, Изобретени, Какабадзе

МПК: C03C 3/087

Метки: полупроводниковое, стекло

...емное сопротервале 20 -обретени П П чо, включающее еО, СаО, МдО, с целью сниже ом см, оно соты в следующих е сте зОз+ Р ем, чт 104 - 1 мпоне одниково А 1,0юиееся т ления до анные ко вес. %: ЬО, Т 102,МпО, отлачния сопротидержит укаколичествах 47 - 52 0,8 в 1,8 15 - 17,5 0 9 - 12 02 зОз есОз+ 1 аО дО пО 7 - 9 ,6 - 6 0,2 - 0,6и, кр 4 - 6,5 е того,03 Изобретение относится к составуводникового стекла, используемого втехнических приборах,Известно полупроводниковое стекло, включающее 50, Т 10, А 120 РеОз+РеО,СаО,МдО, МпО.Описываемое стекло имеет сопротивление104 - 10 с ом см, повышенную химическую итермическую устойчивость.Это достигается тем, что оно содержит,вес. % %02 47 - 52; Т 10, 0,8 - 1,8; А 120 з15 - 17,5; РеОз+1.еО 9 -...

Номер патента: 421064

Опубликовано: 25.03.1974

Авторы: Ленинградское, Никитин, Савкин

МПК: H01H 47/18

Метки: времени, полупроводниковое, реле

...шине питания. В результате стабилитрон 5 выходит из режима стабилизации и на элементах времязада ощей схемы устанавливается напряжение, равное падению напряжения на диоде 10 и тиристоре 9 (2 - 2,5 в), что исключает возможность дальнейшего заряда конденсатора 2. Если твмпература окружающей среды повышается, то выдержка времени обычно увеличивается, Это объясняется тем, что конденсаторы времязадающей цепи весьма существенно изменяют свою емкость.В данном полупроводниковом реле времени термостабилизация происходит следующим образом,Так как температурный коэффициент папряжения (ТКИ) для некомпенсированных стабилитроцов положителен, то с повышением температуры падение напряжения на стабилитроие 5 также повышается. В результате увеличивается...

Номер патента: 422696

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Верулашвили, Какабадзе, Кутателадзе, Тбилисский

МПК: C03C 3/087

Метки: кло, полупроводниковое, стр

...Министров СССРпо делам изобретенийи открытий Опубликовано 05,04.74, Бюллетень13Дата опубликования описания 29,11,74(54) ПО,Г 1 У 1 ОВОД 11 И Гз (Л 1,КЛО 5,0 0,2 8,1 4,6 03 А 1 гОз егОз+РеО ится к составам полупроиспользуемых в электриМд Мп37424 о стекла известе содержа 4,73,54,5н свойствами:8050 кг/ммг ое сопро 47 - 520,8 в 1,815 - 17,59 - 127 - 94,6 - 602 - 06 МоО,адаст следующим Модуль 10 нга Удельное объемн тивление при 80 - 400 С Потери в весе вниково тлича тя кри чшени содер О е стекло ющееся сталлизацио я выработо жит 3 - 5 вепо авт. св тем, что с иной способчных свойств .% МагО и 48,3 0,8 Изобретение относводниковых стекол,ческих приборах.По основному авт, св.состав полупроводниковогщего, вес.%:ЯОгТ 10 гА 1 гОзГегОз+1"...

Номер патента: 424316

Опубликовано: 15.04.1974

Авторы: Заславск, Трест

МПК: H03K 17/567

Метки: двухполюсное, полупроводниковое, реле

...1 плп 2 выходного каскада,Если открыт транзистор 1, то на выходе рслс возникает напряжение положительной олярности, которое подастся через резисторы 11 и 12 на транзисторы 5 и 6, в результате чего транзистор 5 открыт и поддерживает транзистор 1 в открытом состоянии, а транзистор 6 закрыт и поддерживает транзистор 2 в закрытом состоянии.Если открыт транзистор 2, то на выходе реле имеется напряжение отрицательной полярности, прп этом транзисторы 5 и 1 находятся в закрытом состоянии, а транзисторы 6 и 2 - в открытом.Эти состояния являются устойчивыми и могут продолжаться долго.Управляющие импульсы прямоугольной формы подаются ца первичную обмотку транс. форматора 13, который их дифференцирует. Продифференцированные остроконечные...

Номер патента: 425233

Опубликовано: 25.04.1974

Авторы: Виленкин, Шуваев

МПК: H01H 47/00

Метки: полупроводниковое, постоянного, реле

...подсоединен к положительному полюсу источника питания. 15 Для обеспечения режимов схемы в ней применены резисторы 10 - 15 и конденсатор 16.Реле работает следующим образом,Когда напряжение контролируемого источника находится в заданных пределах, тран зисторы 2 и 3 дифференциального усилителя1 открыты и находятся в промежуточном состоянии, стабилитроны 6 и 7 заперты, тири- стор 8 выключен и обмотка электромагнит- ното реле находится в обесточенном состоя нии.При снижении напряжения ниже допустимого уровня транзистор 2 закрывается, а транзистор 3 открывается, Это приводит к тому, что стабилитрон 6 пробивается и через ЗО него и резистор 13 потечет ток на управляюедактор А. Зиньковский орректор А. Дзесо Заказ 2653/10ЦНИИПИ...

Номер патента: 427469

Опубликовано: 05.05.1974

Авторы: Выборное, Жолобов, Мамонов

МПК: H03K 17/60

Метки: полупроводниковое, постоянного, реле

...выдают раздельные команды, когда ко 1 пролпруемое напряжение достигает верхнего цлп нижнего допустимых пределов,Когда контролируемое напряжение, подаваемое ца входную шину 1, не выходит за установленные пределы, транзисторы 5 и б закрыты, так как резисторы 2 - 4 делигеля выбраны таким образом, что напряжение на базе трап. зистора 5 меньше эталонного напряжения и потенциал его базы более положительный, чем потенциал его эмпттера, а напряжение на базе ".ранзцстора 6 (эталонное) меньше напряжения ца резисторах 3, 4, включенных в ъмиттерную цепь трацзистора б, и потенциал базы транзистора б более положительный, чем потенциал его эмиттера.Если напряжение превышает верхний допустимый предел, а следовательцо, цапряжс427469 пий и нижний...

Номер патента: 427474

Опубликовано: 05.05.1974

Автор: Изо

МПК: H03K 17/58

Метки: полупроводниковое, реле

...резистора б ц туннельного диода 7.Полупроводниковое реле работает следую 5 щим образом.Когда напряжение контролируемого источника находится в заданных пределах, персмсцными резисторами 1 ц б устанавливаются следующие режимы работы тущельпых диодов: 20 рабочая точка туннельного дОда 2 находитсяца первой восходящей ветви вольтампсрной характеристики, то есть через пего протекает ток, несколько меньший тока максимума, а падение напряжения на цем мало; рабочая точка туннельного диода 7 находится ца второй восходящей ветви вольтамперцой характеристики, то есть через него протекает ток, близкий к оаксимальному, и ца цем падает большое напряжение. Поэтому, когда цапряженце контроз 0 лнруемого источника находится в заданных427474 Предмет...

Номер патента: 456437

Опубликовано: 05.01.1975

Автор: Андрю

МПК: H01L 7/34

Метки: полупроводниковое

...Полупроводниковое у на кремнии, имеющее ст плоскость, соединяющу ступени, диэлектрическое окисел кремния, и мет расположенную на веря нях и соединительной пл стройство, например упенчатый рельеф и ю верхние и нижниепокрытие, например аллическую пленку, ей и нижнец ступеоскости, отличаю 25 ть размещена меж пяторов 3 и 4 и со ых частей 5 и 6, яв ми параллельными 7 (фиг. 2) соедини Изобретение относится к полупроводниковым устройствам, имеющим слои осажденного металла. Такие устройства содержат основание из полупроводникового материала с изолирующим покрытием различной толщины, на котором твердо закреплены проводники в виде металлического слоя.К устройствам этого типа относятся МОП- интегральные схемы (металл - окисел -...

Номер патента: 410708

Опубликовано: 05.01.1975

Авторы: Андреева, Коломиец, Лебедев, Таксами, Шпунт

МПК: H01L 15/00

Метки: полупроводниковое

...подложке 1 расположенслой 2 фоточувствительного полупроводника,например СЮ, на который нанесен металлический электрод 3 и слой 4 халькогенидного 25текла. В качестве халькогенидного можетбыть использовано любое стекло из тех, которые применяются для создания переключателей (витродов). Электрод 5 к слото халькогенидного стекла может быть выполнен из ма териалов, которые применяются для изготовления переключателей - графита, молибдена, вольфрама и т. д. Устройство может иметь дискретное или матричное исполнение,Единичный элемент с площадью электрода к слою халькогенидного стекла 2 10 -сма в темноте обладает симметричной вольтамперной характеристикой и сопротивлением порядка нескольких мегом. Под действием света устройство приобретает...

Номер патента: 503563

Опубликовано: 15.02.1976

Авторы: Нилс, Тибор

МПК: H01L 23/36

Метки: полупроводниковое

...сплавами золота и сурьмы и алюминия, или при диффузии легирующих присадок, например мышьяка и галлия.На фиг. 1 представлено предлагаемое полупроводниковое устройство, охлаждаемое только с одной стороны, разрез; на фиг. 2 и 3 - то же, разрез, охлаждение с обеих сторон.В полупроводниковом устройстве, показанном на фиг, 1, круглая кремниевая пластинка 1 типа Р-М-М + со слоем алюминиевого припоя (не показан) на нижней поверхности припаяна к опорной пластине 2, изготовленной из молибдена или другого материала, имеющего примерно такой же коэффициент теплового расширения, как у кремния, На ее верхней поверхности образован контакт в виде слоя 3 из сплава золота и сурьмы. Полупроводниковый элемент, состоящий из элементов 1, 2, 3,...

Номер патента: 527823

Опубликовано: 05.09.1976

Авторы: Зайцев, Николаев

МПК: H03K 17/28

Метки: времени, полупроводниковое, реле, счетно-импульсное

...изтранзистора 14, счетчика импульсов 15 ивыходного органа 16.5При подаче напряжения на схему конденсатор 7 быстро заряжается через резистор5 и разделительный диод 6 до напряженияна стабилитроне 3, при котором диод 6закрывается, а диод 4 открывается. Далее 10заряд происходит через резистор 8, величина сопротивления которого намного больше,чем резистора 5. По достижении напряженияна конденсаторе 7 величины напряжения включения аналога ОПТ задаваемого делителем 15напряжения на резисторах 12 и 13, последний включается. Конденсатор разряжаетсячерез резистор 9, транзисторы 10 и 11 ибазовый переход транзистора 14, которыйслужит формирователем импульсов. Транзистор 14 при этом насыщается, и с его коллектора на счетчик импульсов 15...

Номер патента: 551729

Опубликовано: 25.03.1977

Авторы: Будовский, Коваль, Колтунова, Лотов, Подоскин, Рывкин, Сакович

МПК: H01L 25/02

Метки: полупроводниковое, преобразовательное

...кожухи 4, металлические вставки 5, канал 6 для прохождения хладагента, компаунд 7.Теплопроводящие элементы (резисторы 1 и дроссели 2) разделены на группы и окружены теплопроводящими кожухами 4, либо каждый элемент в отдельности, либо группа однородных элементов. Кожухи 4 имеют непосредственный контакт со стенками канала 6 для прохождения хладагента. Металлические вставки 5, являющиеся охладителями полупроводниковых приборов, выходят за пределы компаунда 7, которым залита большая их часть. Металлические вставки либо имеют непосредственный контакт со стенками канала 6, либо расположены вблизи от канала, в зависимости от необхо. димости потенциального разделения. Полупроводниковые приборы присоединены к охладителям вне компаунда. Все...

Номер патента: 397123

Опубликовано: 05.07.1977

Автор: Поляков

МПК: H01L 21/00

Метки: многослойное, переключающее, полупроводниковое

...60 мкм, а контакт к области 4 . квадрата размером 15 х 15 мкм. Оба они также выполнены вз напыленногоТак же может б овлен трр М Дьм"и Увяваетор И, Груюва Заказ 2136/22 Э Тираж 976 Иойпиеное ЦНИИЛИ Государственного комитета Совета Министров СССР ло делам изобретениЯ и открытийФилиал 1 НН 1 "Патент", г. Ужгороц, ул. проектная, 4 монокристаллического кремния тт-пша прово. димости с концентрацией электрически активных примесен 3 104 с,т а.В пластине созданы одновременно области змиттера и коллектора, представлаощие собой прямоугольники размерами 30 х 100 мкм при глубине 3 мкм. Расстояние между областями эмиттера и коллектора 15 мкм, концентрация электрически активных примесей в этих областей 5 10смКонтакт к обласш эмиттера сдновременно...

Номер патента: 366803

Опубликовано: 05.07.1977

Авторы: Куртайкин, Поляков

МПК: H01L 21/10

Метки: коммутирующее, полупроводниковое

...собой и имеют общий вывод 16, а контакт 14 имеет вывод 17. Области.2,4, 6 и 1 образуют структуру первого тиристора, а области 3, 5, 7 и 1 - структуру второго тиристора, причем у обоих тиристоров имеетсеЗбб 803 Составитель , ФедюашеТехред И, Клиьгко Корректор В Пвмагм Редактор,А, Затытни Эмез 21 36/223 Тирам 976 Подписное ЦНИИПИ Государствивого комител Совета Мищстров СССР но делам изобретений в открытий 113 О 35, Москва, М.35, Раушскач наб., д, 4/5Филиал ЙЙИПатент", г, Узтсрод, уть Проектно: 4 общая область . пластина (база) 1. Связь контак.тов 10 и 13 с выводом 15 и контактов 11 и 12 с выводом 16 обеспечивается встречно параллельным соединешвм тиристоров, т.е. вводная область первого тиристора. соединена с катодной областью 5 второго...

Номер патента: 434871

Опубликовано: 05.07.1977

Автор: Поляков

МПК: H01L 21/00

Метки: полевым, полупроводниковое, управлением

...например титанат батолщиной 1100 мкм. Наибольшая чувствитеность устройства к сигналу управления при вкой температурной стабильности достигаетсятолпвпте слоя сегнетоэлектрита 5-10 мкм,летень25 (53) УДК621382323 (088.8 ння 12 11.77Редактор И, Орлова Корректор М, демчук Заказ 2 36/223 Тираж 976 Повислое ЩМИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР ло делам изобретений и открьгпФ 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 нагрузкой к выходной цепи, При отключении иповторной подаче напряжения питания устройствоостается во включенном состоящщ благодаря оста.очной поляризации слоя 3 и сохранению свяэаьщого с ней обогащения приповерхностной части об.ласти 1 основными носителями.Перевод...

Номер патента: 598120

Опубликовано: 15.03.1978

Авторы: Фролов, Цыркин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, полупроводниковое

...входы 14которых соединены с информационной шиной15.Устройство работает следующим образом.ВО время действия импульса импульсного питания первой фазы осуществляетсяприем адреса регистром адреса и прем команды запись-считывание. После окончанияимпульса первой фазы входы бпоков памятиОткпючаются и в одном из блоков с помощью )овнутреннего дешифратора определяется ячейка памяти, в которой в зависимости от ре-.жима происходит запись ипи считывщиеИНфОРМЕЦИИ,Таким образом, поспе запуска выбранного генератора 8 импульсовстроки по импупьсу первой фазы происходит прием адресаи команды запись-считывание, а в режимезаписи - прием записываемого слова.После окончания импульса выбранная строка ЗОоткпючается от адресйых, информационных...

Номер патента: 598239

Опубликовано: 15.03.1978

Автор: Вательмахер

МПК: H03K 17/02

Метки: полупроводниковое, реле

...нулевой транзистор 1 открываетсяплюсом источника питания 2, поданногона его базу через внутреннее сопротивление источника входного сигнала. Минус источника питания 2 через открытий транзистор 1 и резистор 5 поступает на базы транзисторов б и 7, приэтом транзистор б открывается, атранзистор 7 закрывается, и на выходе реле появляется напряжение положительной полярности от источника питания 8.При подаче на вход устройства отрицательного потенциала транзистор 1закрывается. Плюс источника 4 черезрезисторы 3 и 5 поступает на базытранзисторов 6 и 7, при этом транзистор .б закрывается, а транзистор 7открывается, и на входе реле появляется напряжение отрицательной полярности от источника 9.Быстродействие реле достигаетсяэа счет управления...

Номер патента: 600611

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Бастраков, Хайтман

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, полупроводниковое

...усилители 4, стробируемые по шине 5 дешифратором 2,Работает устройствоДешифраторы столбцшивают одновременноматричного накопителяреса т-й строки и 1-го сциент объединения элна чертеже не показано).С выходов 7, 8, и 9 на входы 10 и 11 усилителей 4 подаются сигналы, соответствующие хранимой информации.На одни входы поступают сигналы 1 или О с выбранного по обеим координатам 1 и 1 элемента 6 памяти, на другие - помехи с полувыбранного, т. е. опрошенного только по одной из координат.На первые входы 10 усилителей 4 попадает информация с элементов памяти нечетных строкна вторые входы 11 - с четных. Помехи с полувыбранных элементов памяти, равные пьедисталу сигналов 1 и О с вы600611 В, ФроловРыбкина Состави Техред орректоры: Н. Федорова и...

Номер патента: 600732

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Давыденко, Замилатский, Милюков

МПК: H03K 17/60

Метки: полупроводниковое, постоянного, реле

...пороговый элемент 6 (стабилитрон), Ьыход транзистора 2 через резистор 7 подключен к одному из полюсов контролируемого напряжеи 1;., а его коллектор соединен с базой транзистора 8 обратного т 11 па проводимости. Змит тер транзистора 8 подключен через диод 9 к этому же полюсу контролируемого напряжения, а его коллектор - к исполнительному элементу 10 (реле), Для создания положительной обратной связи между входами транзистора 2 и исполнительным элементом 10 включен резистор 11.Если контролируемое напряжение не выходит за установленные пределы, транзистор 1 открыт, транзистор 2 закрыт, так как отрицательный потенциал его базы ниже потенциала эмиттера, транзистор 8 также закрыт и реле 10 отключено, Когда напряжение выходит за600732...

Номер патента: 630662

Опубликовано: 30.10.1978

Авторы: Морозов, Новиков

МПК: H01H 47/00

Метки: полупроводниковое, реле

...наб., д, 4/5Тип. Харьк. фил. пред. Патент иреобразователь напряжанияв теченгие т,;: е - бу 1 емого времени. При подаче напряжения питания дреобразователь ,возбуждаетая и поддержввает в опкрытом состоячни транзистор /.Полупроводн 1 лковое реле, содержащее блок управления, подключенный ко 1 входу 1 преобразователя, транзистор, база которото подключена,к выходу,преоар азсвателя, а ;коллектор и эмиттер - к одному,из полюсснз источника п 11 тания и выходу реле соопветстэенноь о т л ги ч а ю щ е е с я тем, что, с целью у 1 зеличания выдержек времени на акслючение, в него, введен блок залуока транзистора, выход которого соединении с базой 5 цранзистора, а вход - со входом блока управления, при этом вто 1 рой (вход блока ул.равления подключен...

Номер патента: 638289

Опубликовано: 15.12.1978

Авторы: Есиюки, Такеси, Теруаки, Хисаеси, Хисао

МПК: H01L 27/04

Метки: полупроводниковое

...клапаны в аппарат для выращшгапия испарением 18, в котором находится полупроводниковая подложка 19. Газообразный М который поступает из резервуара 20 и служит газом- носителем, пропускается через аппарат с постоянным расходом 25 л,мин, а моносилан 51 Н 4 подается в аппарат с постоянным расходом 30 см/мин. Расход КО изменяется как О, 10, 20, 30, 150, 300 и 1200 смз/мин.Полупроводниковая подлокка нагревается до температур от 600 до 750 С. Так как температура выращивания относительно низкая, то существует лишь небольшая возможность того, что примеси, содержащиеся в полупроводниковой структуре, диффузировать будут в слой 9 поликристаллического кремния.При температуре ниже 600 С скорость выращивания слишком низка для практического...

Номер патента: 640686

Опубликовано: 30.12.1978

Авторы: Тадахару, Хадзиме

МПК: H01L 29/70

Метки: полупроводниковое

...8 Ртипа обеспечивает общий контакт всей площади и представляет собой сильно легированную бором область. Содержание примесей на поверхности приблизительно 5 К 10" см .Алюминиевый коллекторный электрод 9 формируется под поверхностью подложки 1. Алюминиевый базовый электрод 10 образуется на базавой области 8, алюминиевый эмиттерный электрод 11 - на сильно легированный эмиттерной области 5.Слой из двуокиси кремния служит для пассирования и покрывает сверху всю поверхность прибора.Слой 2 У в -типа и слой 3 Р -типа образует коллекторно-базовый переход 12. Слой 3 и слой 4 У в -типа образует эмиттерно-базовый переход 13. Слой 4 и слой 5 У+-типа образует 1. - Н-переход 14 для примесей того же типа (1. - Н определяет две граничащих области с...

Номер патента: 654197

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Альберт, Вильям

МПК: G11C 11/34, G11C 7/00

Метки: запоминающее, полупроводниковое

...записи, одновременно разрядныешины подключены к элементам 6 согласования, которые могут быть выведены.Начала числовых шин 3 подключены кадресному дешифретору 7, который це выходе содержит коммутирующие транзисторы 8, затворы 3 которых соединены свыходами потенциального декодера 10,истоки 11 соединены с выходами имнуль 97оного декодера (на схеме не показан),е стоки - с выходами адресного дешифратора 7 и, следовательно, с соответствующими числовыми шинами 3, Конецкаждой числовой шины 3 подключен кодному из выходов первого дополнительного ключа 12 и входу второго дополнительного ключа 13, Входы всех первых12 и выходы всех вторых 13 дополнительных ключей обьединены в узел 14и через обций ключ 15 подключены кисточнику 16 восстанавливающего...

Номер патента: 660610

Опубликовано: 30.04.1979

Авторы: Вильям, Джозеф

МПК: H01L 23/34

Метки: полупроводниковое

...на кристалле 10 с проводниками 7.Теплопроводящий элемент 12 выполнен в форме правильного цилиндра и прикреп 4лен к стороне опорной пластины 9, противоположной той, на которой закреплен полупроводниковый кристалл 10. Для осугцествления теплового контакта теплопроводяший элемент 12 может быть припаян к опорной пластине 9. Теплопроводящий элемент имеет часть 13, которая располагается внутри корпуса 2, и часть 14, которая располагается вне корпуса 2. Продольная ось элемента 12 перпендикулярна к плоскости опорной пластины 9 и соответственно частям проводников 2 с тем, чтобы теплопроводящий элемент выходил из верхней поверхности 4 корпуса 2 существенно перпендикулярно к ней.Теплопроводящий элемент 2 имеет средство для его крепления в корпусе...

Номер патента: 680170

Опубликовано: 15.08.1979

Автор: Райнин

МПК: H03K 17/30

Метки: полупроводниковое, реле

...активном режиме, конденсаторы 5 и 6 фзаряжены приблизительно до напряженияпитания.При поступлении на вход реле анодцасаа 8 сигнала, отпирающего транзистор 2, транзисторы 1 и 2 регенеративно отпираются, конденсаторы .5 н 6 начиФают, разряжаться и на коллекторе транзистора 2 формируется выходной импуль 7 О4сный сигнал реле, который поступает через диод 13 на потенциальный. выход реле, при этом транзистор 12 закрыт.По окончании разряда конденсаторов5 и 6 транзисторы 1 и 2 регенеративнозапираются и конденсаторы начинают заряжаться от источников питания: и смещения:конденсатор 5 - через резисторы4 и 3, а конденсатор 6 - через резистор7 и базаэмиттерный переход транзистора 12, при этом транзистор 12 открывается и на потенциальном выходе...