Полупроводниковое постоянное запоминающее устройство
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союэ Советск ихСоциапистическииРеспублик ОПИСАНИЕИ ЗОБРЕТЕ Н ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДИТЕЛЬСТВУ и 886054 санд-ву 1) 2581218/18 Кл(22) Заявлено 20,02 11 С 17/О соединением эанв Государственный квинте СССР(23) ПриоритетОпубликовано 30, Дата опубликован по дела теннй 1.8 1. Бвллетень н описания 01,5 УДК 681 ф(71) Заявнтел ковский институт электронной(54) ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ПОСТОЯННОУСТРОЙСТВО ОМИНАЮШЕ вычислите ль- микроэп койствам, и уст ройс тв ах ии памяти ных, генера телей коИз обре те й технике онным за жет быт аботки ц дпрограм оров симв, в час поминаю ь исполь ифровой м, табли олов, пр шим устр й-ф мо обр по зовано винформ ацчных дан р азов до 61) Дополнительное н ав Известны полупроводниковые постоянные запоминающие устройства с элементами связи на диодах 11 ., Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является поЛупроводниковое постоянное запоминающее устройство, содержащее накопитель с элементами связи на диодах, выходной блок на диодах, регистр апреса, первый и второй дешифраторы 2 .Недостатками этих полупроводниковых постоянных запоминающих устройств яв,1ляются наличие большого числа пассивных компонентов (резисторов), отсутствйе возможности подбора параметра качества Р 1(где Р - рассеиваемая мощность,время задержки) и расшифровки кода адреса и необходимость применения согласующих каскадов по входу и выходу,что приводит к уменьшению быстродествия,Бель изобретения - повышение быстродействия устройства.Поставленная цель достигается тем,что полупроводниковое постоянное запоминающее устройство, содержащее накопитель, выходы которого соединены совходами выходного блока, регистр вареса, первые и вторые выходы которогосоединены со входами первого и второгодешифраторов, введены три группы адресных формирователей, третий дешифратор и ключ, причем выходы первого дешифратора подключены к соответствующим входам адресных формирователейпервой группы, выходы которых соединены с первыми входами третьего дешифратора, вторые входы которого подключены к соответствующим выходам адресныхформирователей второй группы, входы ко6054 5 О 15 тьей группы 9. Этб приводит к заземжнию соответствующего второго. входа накопителя 1, в то время как на остальных вторых входах накопителя 1. поддерживаются высокие уровни напряжения.Четвертая часть кода айреСа обеспечивает подачу с четвертого выхода регистра 3 адреса низкого уровня напряжения на вход ключе 10. В результате из накопителя 1 считывается соответствующее слово и на выходах выходного блока 2 появляются высокие и низкие уровни напряжения, соответствующие считанному слову, В момент завершения считывания информации с четвертого выхода регистра 353 адреса на вход ключа 10 подается высокий уровень напряжениякоторый отпирает ключ 10 и приводит выходной блок 2 в исхоюое состояние Полупроводниковое постоянное запоми нающее устройство, содержащее накопитель, Я.в оды которого соединены со входами вы одного, блока, регистр адреса, первые и . вторые выходы которого соединены со входами первого и второго дешифраторов, о тл и ч а ю ще е с я тем, что, с целью повыторых подсоединены к третьим выходам . регистра адреса, выходы третьего дешифратора соединены с первыми входами накопителя, вторые входы которого подсоединены к выходам адресного формирователя третьей группы, входы которых подключены к выходам второго дешифатора,вход ключа подсоединен к четвертомувыходу рагистра адреса, а выходы ключа подсоединены к соответствующим выходам выходного, блока.На чертеже представлена электрическая схема предлагаемого устройства,Полупроводниковое постоянное запоминающее устройство содержит накопитель , 1, выходы которого соединены со входами выходного блока 2, регистр 3 ад- реса, пер,вые и вторые выходы которогосоединены со входами первого 4 и вто.рого 5 дешираторов, причем выходыпервого дешифратора 4 подключены к соответствующим входам адресных формирователей первой группы 6, выходы которых соединены с первыми входамитретьего дешифратора 7, вторые входы . которого подключены к соответствующимвыходам адресных формирователей второйгруппы 8; входы которых подсоединенык третьим выходам регистра 3 адреса,выходы третьего дешифратора 7 соединены с первыми входами накопителя Л вторые входы которого подсоединены к выходам адресных формирователей третьей группы 9, входы которых подключены квыходам второго дешифратора 5, вход ключа 10 подсоединен к четвертому выходу регистра 3 адреса, а выходы ключа . 10 подсоединены к соответствующимвыходам выходного блока 2, При этом инжекторы адресных формирователей и выходного блока подключены к одному внешнему выводу.Полупроводниковое постоянное запоминающее устройство работает слещлощимобразом.В регистр 3 адреса заносится код 15 адреса считываемого слова, состоящий иэ четырех частей. Первая часть кода адреса е первого выхода регистра 3 адреса обеспечивает подачу сигналов на первый дешифратор 4, что приводит к пою э лению низкого уровня напряжения на соответствующем его выходе (на остальныхвыходах первого дешифратора 4 имеются высокие уровни напряжения), При атом на выходах одноименного адресного формирователя первой группы 6 устанавжваются высокие уровни найряжения, коттрые поступают на соответствующие пер 4вые вхоцы третьего дешифратора 7. Вторая часть код адреса обеспечивает подачу сигналов с третьего выхода регистра 3 адреса на входы адресных формирователей второй группы 8, что приводит к появлению высокого уровня напряжения на выходе одного адресного формирователя второй группы 8 (на выходах остальных адресных формировател.й второй группы 8 имеются низкие уровни напряжения, В результате воздействия сигналов с адресных формирователей первой 6 и второй 8 группы.с соответствующих выходов третьего дэшифратора 7 сигналы поступают на одноименные первые входы накопителя 1. Третья часть кода адреса обеспечивает подачу сигналов со второго выхода регистра 3 адреса на вход второго дешифратора 5, которые поступают на входы адресных формирователей треТаким образом, предлагаемое уст ройство по сравнению с известным отличается повышенным быстродействием, которое обеспечивается введением адресных формирователей первой, второй, третьей групп 6, 8 и 9, третьего дешифратора 7 и ключа 10. формула нз обре тенияшения быстродействия устройства, оно содержит три группы адресных формирователей, третий дешифратор и ключ, причем выходы первого дешифратора подключены к со;- ответствующим входам адресных формирователей первой группы, выходы которых соединены с первыми входами третьего1дешифратора, вторые входы которого подключены к соотвествующим выходам адресных формирователей второй группы, входы которых подсоединены к третьиМ выходам регистра адреса, выходы третье-. го дешифратора соединены с первыми входами накопителя, вторые входы котэ.( рого подсоединены к выходам адресныхформирователей третьей группы, входыкоторых подключены к выходам второго,дешифратора, вход ключа подсоединен к5 четвертому выходу регистра адреса, авыходы ключа подсоединены к соответствуюшим выходам выходного блока.Источники информации,принятые во внимание при экспертизеФ 1, Брик Е. А. Техника ПЗУ. М., Сов.радио, 1973.2. Патент США М 3671948,кл.340-173Р, опублик. 1972 (протип ).М
СмотретьЗаявка
2581218, 20.02.1978
МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ
КОЗЫРЬ ИВАН ЯКОВЛЕВИЧ, ПЕТРОСЯН ОЛЕГ АРУТЮНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/40, G11C 16/00
Метки: запоминающее, полупроводниковое, постоянное
Опубликовано: 30.11.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/4-886054-poluprovodnikovoe-postoyannoe-zapominayushhee-ustrojjstvo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковое постоянное запоминающее устройство</a>
Предыдущий патент: Полупроводниковое постоянное запоминающее устройство
Следующий патент: Программируемое постоянное запоминающее устройство
Случайный патент: Способ определения пористости спеченных материалов