Патенты с меткой «полевых»

Номер патента: 1755182

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Леонов, Силинская, Скрипник, Шитлин

МПК: G01N 31/00

Метки: быстрого, виде, индикатор, нитратов, полевых, таблеток, условиях

...течение 2 мин и сравнивают окраску раствора с искусственной шкалой стандартов в виде окрашенных полосок, цвет которых . соответствует концентрации нитрат-ионов в мг/дм .2. К 1,0 см испытуемой жидкости прибавляют 1 таблетку реагента, встряхивают в течение двух минут и сравнивают окраску раствора со шкалой стандартов иэ серии растворов, полученных рэзбавлением исходного раствора, приготовленного по ГОС" Ту 4212-76 и содержащего 1 см воды известное количество нитрат-ионов и 1 таблетку индикатора,3. К 1,0 см испытуемой жидкости прибавляют 1 таблетку индикатора, встряхивают в течение двух минут и сравнивают окраску раствора со шкалой стандарта, со 25 30 35 40 45 50 55 держащей 1,0 см дистиллированной воды,зтитртаблетки с известным...

Номер патента: 1761339

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Коротынский, Куница, Лебедев, Писарев, Письменный, Тонкоголосюк, Чабан, Шинлов

МПК: B21D 7/16

Метки: гибки, полевых, труб, условиях

...напряжения, питающего индуктор.39 с =ОН,517613При этом величину угла гиоа трубыопрецеляют пп известной зависимости где Н - высота гоАра изгиба снаружитрубы на внутренней сторонеколена;1 = (0,040,1) - коэффициент,который зависит от диаметра,толщины стенки и материала трубы, режима нагрева и геометрических параметров индуктораи выбирается экспериментальным путем, 15согласно изобретению выходной сигналдатчика, измеряющего высоту гофра,Фиксируют в моменты перехода черезноль переменного напряжения питаюЭ20щего индуктор .Измерение величины гофра можетпроизводиться, например, с помощьюсистемы, состоящей из датчика пре -образователя и кабеля связи. Датчикможет быть выполнен в виде щупа,контактирующего с поверхностью гофра, соединенного...

Номер патента: 1765396

Опубликовано: 30.09.1992

Автор: Лодус

МПК: E21C 39/00

Метки: горных, испытания, полевых, пород, условиях

...6 иопертую на торец корпуса 1, .Устройство снабжено дополнительнойштангой 8 с резьбовым хвостовиком, связанной с нагружателем 2, дополнительнойгайкой 9, опертой на торец корпуса и размещенной на резьбовом хвостовике дополйительной штанги 8, Нагружатель 2 выполненв форме тела вращения с осью 10, перпендикулярной оси корпуса 1, установлен с возможностью перемещения относительнодополнительной штанги 8 в радйальном направлении и с поСтоянным койтактом сплатформой 5, Гайки 7 и 10 штанг кинематически связаны между собой.Вращение гаек 7 и 9 производится приспособлением 11, выполненным в виде шестерни, Гайки при этом выполняются в видезубчатых колес. Если диаметры гаек 7 и 9равны, то гайка 7 должна иметь вдвое больший шаг резьбы, чем гайка...

Номер патента: 1778296

Опубликовано: 30.11.1992

Автор: Лодус

МПК: E21C 39/00

Метки: горных, испытаний, полевых, пород

...и Фиксирует поворот шаровой части шарнира 12,Пуансон состоит из двух подпружинен" ных частей 4 и 13 с Фиксаторами 14 этих частей в направляющей 15. На торцах частей пуансона могут размещаться контробразцы 16, или резцы, или другие элементы для взаимодействия с породами стенки скважины. Корпус 1 распирается в скважине посредством упоров с рычагом 17 и винтом 18 каждый, Пуансон установлен на штанге на оси 19. 25 Устройство работает следующим образом. Размещают корпус 1 в скважине 2 и фиксируют его от поворота посредством винтов 18, рычагов 17 и упоров 16, Для нагружения пород стенки скважины усилиями с изменением места приложения нагрузки выключают Фиксаторы 14 и посредством пружин, поджимают части 4 и 13 пуансона с обраацами 16 к...

Номер патента: 1788240

Опубликовано: 15.01.1993

Автор: Лодус

МПК: E21C 39/00, G01N 3/10

Метки: горных, испытания, полевых, пород, условиях

...схема у1788240 45 50 55 рический корпус 1 для размещения в сквакине 2, два пуансона 3, 4, установленные в корпусе ъерпейдйкулярно его оси; дву- плечий рычаг 5, шарнирно связанный с пуансонами, колесо 6, на торце которого установлен рычаг, штангу 7, кинематически соединенную с колесом, груз 8, подвижно установленный на штанге подпружиненный пружиной 9 относительно нее.Устройство снабжено вторым колесом 10, дополнительным двуплечим рычагом 11 и фиксаторами 12, 13 для соединения рычагов 5, 11 с колесами 6, 10. Второе колесо 10 кинематически связано со штангой 7. Дополнительный двуплечий рычаг 11 установлен на торце второго колеса 10 и шарнирно связан с пуансонами, Колесо 6, 10 имеют разные диаметры,Рычаги связаны с колесами...

Номер патента: 1788241

Опубликовано: 15.01.1993

Автор: Лодус

МПК: E21C 39/00, G01N 3/32

Метки: горных, испытаний, полевых, пород

...схема устрой1788241 40 45 50 55 пус 1 для размещения в скважине 2, первый 3 и второй 4 пуансоны, установленные в корпусе 1 перпендикулярно его оси, первый рычаг 5, шарнирно связанный с первым пуансоном 3, первое колесо 6, на торце которого закреплен рычаг 5, штангу 7, кинематически связанную с колесом 6, груз 8, и свободно установленный на штанге, и связывающую их пружину 9,Устройство снабжено вторым рычагом 10, шарнирно сдединенным со вторым пуансоном 4, вторым колесом 11, второй штангой 12, свободно установленным на ней вторым грузом 13 с пружиной 14, и фиксатором 15 для соединения грузов. Второй рычаг 10 установлен на торце второго колеса 11, кинематически связанного со второй штангой 12.Колеса 6, 11 связаны со штангами...

Номер патента: 1807846

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Доля, Лисовал, Мазуркевич, Покозий, Правилов, Ярыгина

МПК: A01M 1/00

Метки: озимой, опомизе, полевых, пшеницы, пшеничной, условиях, устойчивости

...слое поля, которое должно засеваться пшеницей на площади 25 га определили содержание нит ратного и аммонийного азота, подвижного фосфора, обменного калия, Оно составило ссответственно; 0,45; 0,95; 0,93; 8,7 мг на 100 г почвы. На -Ч этапах органогенеза растений установили коэффициент общей 55 кустистости пшеницы, который составил 2,27 шт, стеблей. Затем по формуле определяли ожидаемую степень поврежденностистеблей личинками опомизы пшеничной у= -83,57-1,55 2,57-2,49 0,95-24,40 х х 0,45-0,39 0,93+ 2,07 8,7+ 14,37 9,2= .=48,9 о Степень поврежденности всех стеблей фитофагом на участках без внесения удобрений составила 48,9;. Этот прогноз подтвердился на 90 .П р и м е р 2. В 1989 на участках с внесением навоза, 30 т/га+йзоРвоКво в пахотном...

Номер патента: 1813322

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Баширов, Гафуров

МПК: A01B 71/02

Метки: культиваторов, органов, полевых, положения, рабочих, регулировки, условиях

...этом последняя, имея две степени свободы, займет вертикальное положение (что в последующем 5 обеспечит параллельность полки 23 осиопорных колес). Фиксируют сектор 10 относительно корпуса 1, затягивая гайку 9, При этом благодаря прямоугольному сечению головки 8 и отверстия 6 ось 7 не проворачи вается в отверстии 5 корпуса 1 и не сбиваетположение сектора 10 и направляющей 13.Устанавливают втулку 19 с полкой 23 нанаправляющую 13 и, поворачивая при необходимости последнюю относительно сектора 10, добиваются плотного прилегания полки 23 к режущей кромке рабочего органа 3. В этом положении затягивают гайку болта 15 и винт 20, а также устанавливают под втулкой 19 и фиксируют винтом 22 втулку 21, 20 Шкалу 17 перемещают вдоль паза 16 и...

Номер патента: 1428041

Опубликовано: 15.06.1993

Автор: Ветров

МПК: G01V 5/04

Метки: гамма-спектрометров, градуировки, полевых

...руды и нерадиоактивного компонента"раэбавителяфДля градуировки спектрометров былизготовлен комплект малогабаритныхобразцов градуировочных устройств с 25различными концентрациями природныхрадиоактивных элементов. Габариты имасса устройств выбирались иэ условияК,100 г/см, где э " обьемнаяплотность смеси измельченной радиоактивной руды и нерадиоактйвного компонента-раэбавителя; К - внешний радиус контейнера устройства. Смесьготовилась из измельченной до 1-2 ммприродной урановой руды и свинцовыхгранул компонента-разбавителя, напри. З 5мер коммерческой охотничьей "бекасинной" дроби У 8. Плотность смеси 18,5 г/см. Масса транспортабельногоградуировочного у=тройства не превышала 100-120 кг, при этом К = 15 см,40 а Н = 30 см, Загруэка...

Номер патента: 1831731

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Ваксенбург, Иноземцев, Кораблик, Поляков

МПК: H01L 21/335

Метки: арсениде, галлия, полевых, транзисторов

...кислоте. Для хороших пленок время травления слоя толщиной 0,09 мкм лежит в пределах 2-3 мин.Следующая операция - электронное экспонирование затворной маски: Используется электронной резист марки ЭЛП. Наносится центрифугированием при скорости вращения 4000 об/мин в течение 30 с, Сушка осуществляется в термостате при температуре 170"С 30 мин, Экспонирование проводится по программе в автоматическом режиме на установке 7 ВА(ф. Карл Цейс, Йена), Затворная щель экспонируется методом набора прямоугольных штампов размером 0,2 х 1,0 мкм с коэффициентом пе рекрытия 2. Одновременно с затворной щелью проводится экспонирование контактных областей истока, стока, затвора, Электронный резист ЭЛПявляется позитивным, поэтому экспонированные...

Номер патента: 2000043

Опубликовано: 07.09.1993

Автор: Майсов

МПК: A01B 69/04

Метки: выполнения, опорных, полевых, реперов, условиях

...осуществл-ют следующим образом, Если агроугодье имеет изгиб, то Вцентре 1 изгиба дгроугодья, которнй можетбыть как на самой краевой жесткой нитиагроугодья, так и за его пределами (фиг,1),закрепляют конец стальной проволоки и задругоЙ конРц проволоку нзтягив,)ют нзднужными местами агроугодья для Выполнения разметки мест рдэледения меток-реперов. Выполнив разметку, или сразу же,руководствуясь положением зтянутой проволоки, делают на поверхности жестких нитей углубления под реперне четки 2,используя при этом, например, дисковуюфреэу. Затем углубления заполняот слесьюиз феррочзстиц и связующего до вьрдвнивания с опорной поверхностью жесткихплит,При выполнении углублении следят затем, чтобы Выемки были правильно ориентированы поперек нити и...

Номер патента: 1797413

Опубликовано: 15.01.1994

Автор: Кононов

МПК: H01L 21/337

Метки: p-n-переходом, вертикальным, каналом, полевых, полупроводниковых, структур, управляющим

...их последовательности, достаточны, чтобы отличить предлагаемый способ от других способов аналогичного назначения и характеризовать его в том качестве, которое проявляется в повышении процента выхода годных и улучшении электрических параметров структур.На фиг,1 показана структура полевого транзистора после выращивания на кремниевой подложке 1 эпитаксиального слоя 2 и формирования на нем фотолитографией маски из слоев оксида 2 и нитрида 4 кремния; на фиг.2 - структура после формирования щели 5 путем травления кремния в местах расположения затворов; на фиг.З - структура после окисления поверхности щели; на фиг.4 - структура после стравливания слоя 6 окисла со дна щели и легирования вскрытых областей 7 кремния; на фиг,5 - структура после...

Номер патента: 814168

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Игнатьев, Липин

МПК: H01L 21/04

Метки: барьер, затвором, полевых, типа, транзисторов, шоттки

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ЗАТВОРОМ ТИПА БАРЬЕР ШОТТКИ на полупроводниковой подложке, включающий в себя напыление и вжигание контактного сплава, напыление защитного слоя, вскрытие окна в защитном слое, напыление барьерного материала, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа получения транзисторов с субмикронной длиной канала и повышения выхода годных изделий, на структуре n - ni-типа создают n+-слой, в n-слое формируют контактные площадки истока и стока, формируют меза-структуры травлением n+- и n-слоев до подложки, создают маску из защитных материалов с узкой щелью, расположенной между контактными площадками стока и истока, контролируемыми травлением n+-слоя до границы...

Номер патента: 1530058

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Адамов, Кравченко, Соляков, Хлыбов, Щетинин

МПК: H03K 19/094

Метки: логический, полевых, транзисторах, элемент

ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ с каналами одного типа проводимости, содержащий источник тока на нагрузочном транзисторе, исток которого соединен с затвором и шиной отрицательного напряжения питания, и последовательно включенные между шинами положительного и отрицательного напряжений питания переключающий транзистор, затвор которого соединен с входом логического элемента, а сток - с шиной положительного напряжения питания, и диоды сдвига уровня выходного напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и коэффициента усиления по напряжению, введены первый дополнительный транзистор, включенный между диодами сдвига уровня и стоком нагрузочного транзистора, и второй дополнительный транзистор, сток которого...

Номер патента: 1530059

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Адамов, Кравченко, Соляков, Хлыбов, Щетинин

МПК: H03K 19/094

Метки: логический, нормально, открытых, полевых, транзисторах, элемент

ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ НА НОРМАЛЬНО ОТКРЫТЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ с барьерным переходом, состоящий из входного инвертора, содержащего включенные последовательно между общей шиной и шиной положительного напряжения питания первый переключающий транзистор, затвор которого соединен с входом логического элемента, и первый нагрузочный транзистор, и выходного истокового повторителя, содержащего включенные последовательно между шинами положительного и отрицательного напряжений питания второй переключающий транзистор, затвор которого соединен со стоком первого переключающего транзистора, диоды сдвига уровня выходного сигнала и второй нагрузочный транзистор, сток которого соединен с выходом логического элемента, отличающийся тем, что, с целью повышения...

Номер патента: 1825234

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Воронин, Губа, Плахотная

МПК: H01L 21/18

Метки: арсенида, галлия, интегральных, основе, полевых, структур, схем, транзисторов, шоттки

...Е 12 п 1=10 г см г и пг=104 см ш. Суммарная35 40 45 50 55 5 10 15 20 25 30 заданная толщина буферного слоя равна 1 мкм, толщина каждой области (подслоя) порядка 0,14 мкм, В эпитаксиальную установку С 2877 подают водород, включают печь и выводят ее в рабочий температурный режим (температура источника 780 С, зоны роста 690 С), Через шлюзовое устройство на пьедестале устанавливают подложку ОаАз марки АГПЧ-12-18 (100), затем пьедестал помещают в зону роста. По достижении подложками температуры 690 С с помощью программы производят пуск ростовой (Нг+АзСз) и регулирующей (Нг+Аз 4) парогазовой смеси и проводят наращивание эпитаксиальных структур, управляя концентрацией глубоких уровней Е 12. Для получения в подслое концентрации глубоких...

Номер патента: 1529940

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Васильев, Олейник, Сучков

МПК: G01R 31/26

Метки: пластине, полевых, свч, транзисторов

СПОСОБ КОНТРОЛЯ СВЧ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ НА ПЛАСТИНЕ, включающий подачу постоянного напряжения на стоковый и истоковый электроды полевого транзистора, возбуждение в нем СВЧ-тока, регистрацию усиленного полевым транзистором СВЧ-тока, определение коэффициента усиления полевого транзистора и сравнение его с эталонным значением, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и расширения частотного диапазона при контроле, после возбуждения СВЧ-тока к стоковому электроду полевого транзистора прикладывают поглощающую СВЧ-пластину, на участке стокового электрода между поглощающей СВЧ-пластиной и затвором полевого транзистора размещают электрооптический кристалл, возбуждение СВЧ-тока в полевом транзисторе осуществляют путем освещения...

Номер патента: 1468318

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Гресков, Романов

МПК: H01L 21/263

Метки: арсенидгаллиевых, полевых, радиационной, свч, транзисторов

СПОСОБ РАДИАЦИОННОЙ ОБРАБОТКИ АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫХ СВЧ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий облучение готовых приборов электронами с энергией 3 - 5 МэВ и дозой 1013 - 1014 см-2 при комнатной температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет уменьшения коэффициента шума и увеличения коэффициента усиления по мощности, облучение электронами проводят при плотности тока 0,2 - 2,0 мкА/см2 при заземленных внешних выводах транзисторов.

Номер патента: 1628766

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Ахинько, Ильичев, Инкин

МПК: H01L 21/18

Метки: затвором, полевых, самосовмещенным, транзисторов

...лучшей однородности толщины маскирующего покрытия) уменьшается дисперсия сопротивления областей истоков и позволяет снизить температуры вжиганий 50 стоков по плоскости подложки, Температурные режимы в предлагаемом способе выбраны из соображений минимизации удельногосопротивления,о областей истока - стокапри удовлетворительной морфологии поверхности контакта при температурах меньше 410 С (425 С) р1 Ом мм (для и-типаобластей) и р5 Ом мм (для р-типа) притемпературах430 С (435 С) ухудшаетсяморфология поверхности омических контактов областей истока - стока,Неизвестно формирование защитныхпокрытий (сквозь которые осуществляетсяимплантация примеси) посредством низкотемпературного окисления подложки арсенида галли,я, что позволяет судить...

Номер патента: 1559975

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Артамонов, Ахинько, Гольдберг, Емельянов, Зыбин, Ильичев, Инкин, Кравченко, Липшиц, Полторацкий, Родионов, Шелюхин

МПК: H01L 21/283

Метки: арсениде, галлия, затвором, полевых, сбис, создания, транзисторов, шоттки

1. Способ создания полевых транзисторов с затвором Шоттки для СБИС ЗУ на арсениде галлия, включающий формирование истоковых и стоковых областей, нанесение защитного слоя, вскрытие в нем окон с помощью фотолитографии, локальное окисление подзатворной области, удаление оксида, формирование металлизации затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных схем путем увеличения точности задания пороговых напряжений транзисторов посредством влияния на степень нестехиометрии поверхностного слоя арсенида галлия, локальное окисление проводят методом термического окисления в атмосфере сухого кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, а удаление оксида проводят методом термического отжига в атмосфере водорода при 600...

Номер патента: 1565292

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Артамонов, Ахинько, Гольдберг, Григорьев, Ильичев, Инкин, Липшиц, Шелюхин

МПК: H01L 21/335

Метки: затвором, полевых, самосовмещенным, транзисторов

1. Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором, включающий формирование на подложке арсенида галлия затвора из ниобия либо нитрида ниобия и маскирующего затвор покрытия, формирование маскирующего покрытия под изготовление областей истока и стока, формирование областей стока и истока, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости величины зазоров между истоком, стоком и затвором, после формирования покрытия под изготовление областей стока и истока проводят окисление подложки в атмосфере "сухого" кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, затем отжигают подложку в среде водорода при 640 700oС в течение 10 50 мин, а после формирования областей истока и стока удаляют маскирующее...

Номер патента: 1574110

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Гузаева, Москалев, Нечаев

МПК: H01L 21/265

Метки: барьером, полевых, транзисторов, шоттки

Способ изготовления полевых транзисторов с барьером Шоттки, включающий формирование n-слоя в подложке полуизолирующего арсенида галлия путем имплантации ионов донорной примеси, внедрения кислорода по крайней мере в области канала и термический отжиг, изоляцию активных областей транзистора и формирование металлических электродов к транзисторной структуре, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов, создания резкого градиента распределения концентрации донорной примеси на границе раздела n-слой подложка и уменьшения влияния перераспределения примесных атомов из подложки в n-слой, имплантацию ионов кислорода проводят перед имплантацией ионов донорной примеси с энергией и дозой ионов кислорода, обеспечивающими...

Номер патента: 1810012

Опубликовано: 20.05.1999

Авторы: Гузиева, Кудрявцев

МПК: G01N 21/78

Метки: полевых, рудах, содержания, условиях, фосфатных, фосфора

Способ определения содержания фосфора в фосфатных рудах в полевых условиях, включающий истирание образца, отбор навески пробы, вскрытие ее при добавлении реактива, окрашивание, разбавление водой и сравнение окраски пробы со шкалой эталонов, отличающийся тем, что, с целью упрощения, ускорения и удешевления определения, отбор навески пробы производят по объему, вскрытие пробы и окрашивание раствора производят одновременно одним реактивом, содержащим, мас.%:Молибдат аммония - 3,0 - 3,3Ванадат аммония - 0,14 - 0,16Концентрированная азотная кислота - 33,22 - 37,75Концентрированная серная кислота - 4,60 - 5,52Вода - Остальноепри температуре окружающей среды и...

Номер патента: 1507131

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Нечаев, Чернявский

МПК: H01L 21/28

Метки: затвором, полевых, транзисторов, шоттки

1. Способ изготовления полевых транзисторов с затвором Шоттки, включающий формирование на полупроводниковой подложке омических контактов истока и стока, нанесение металлизации, формирование на поверхности подложки в области затвора металлического электрода травлением металлизации через маску, последовательное нанесение первой и второй диэлектрических пленок, формирование фоторезистивной маски с окном над поверхностью металлического электрода, изотропное травление через окно в фоторезистивной маске второй диэлектрической пленки до вскрытия поверхности первой диэлектрической пленки, травление первой диэлектрической пленки до вскрытия поверхности металлического электрода, удаление...

Номер патента: 1586469

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Канищев, Куксо, Пекуров, Румак, Тишкевич, Хатько

МПК: H01L 29/76

Метки: затвором, изолированным, полевых, транзисторов

Способ изготовления полевых транзисторов с изолированным затвором, включающий формирование на полупроводниковой подложке областей исток - сток, нанесение подзатворного диэлектрика, создание области высокоомного канала в подзатворном диэлектрике, образование затвора, контактов к областям истока - стока, дополнительных контактов к области высокоомного канала, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов путем улучшения однородности высокоомного канала, после образования дополнительных контактов к области высокоомного канала проводят электротренировку в течение 32-66 с при заземленном затворе, положительном напряжении на истоке с напряженностью поля (1,6-2,8)...