Логический элемент на нормально открытых полевых транзисторах
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ НА НОРМАЛЬНО ОТКРЫТЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ с барьерным переходом, состоящий из входного инвертора, содержащего включенные последовательно между общей шиной и шиной положительного напряжения питания первый переключающий транзистор, затвор которого соединен с входом логического элемента, и первый нагрузочный транзистор, и выходного истокового повторителя, содержащего включенные последовательно между шинами положительного и отрицательного напряжений питания второй переключающий транзистор, затвор которого соединен со стоком первого переключающего транзистора, диоды сдвига уровня выходного сигнала и второй нагрузочный транзистор, сток которого соединен с выходом логического элемента, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, в него введены первый дополнительный диод сдвига уровня, включенный в прямом направлении между истоком второго нагрузочного транзистора и шиной отрицательного напряжения питания, и включенные последовательно между шинами положительного и отрицательного напряжений питания третий переключающий транзистор, второй дополнительный диод сдвига уровня и третий нагрузочный транзистор, исток которого соединен с затвором, причем затвор третьего переключающего транзистора подключен к затвору первого переключающего транзистора, а его исток через второй дополнительный диод соединен с затвором второго нагрузочного транзистора.
Описание
Целью изобретения является повышение быстродействия логического элемента (ЛЭ) на нормально открытых полевых транзисторах.
На фиг. 1 дана принципиальная электрическая схема ЛЭ; на фиг. 2 и 3 - более сложные ЛЭ, примеры.
ЛЭ содержит первый переключающий транзистор 1 и первый нагрузочный транзистор 2, включенные между шиной 3 положительного напряжения питания и общей шиной 4, образующие входной инвертор, выход которого подключен к входу выходного истокового повторителя, содержащего последовательно включенные между шинами положительного 3 и отрицательного 5 напряжений питания второй переключающий транзистор 6, диоды 7 сдвига уровня выходного сигнала, второй нагрузочный транзистор 8 и первый дополнительный диод 9 сдвига уровня. Затвор второго нагрузочного транзистора 8 соединен с выходом дополнительного истокового повторителя, содержащего третий переключающий транзистор 10, второй дополнительный диод 11 сдвига уровня и третий нагрузочный транзистор 12, включенные последовательно между шиной 3 положительного напряжения питания и шиной 5 отрицательного напряжения питания, причем вход дополнительного истокового повторителя подключен к входу ЛЭ. Все полевые транзисторы, составляющие ЛЭ, являются транзисторами нормально открытого типа, например полевыми транзисторами с барьером Шотки из арсенида галлия.
ЛЭ работает следующим образом. При изменении напряжения на входе ЛЭ от напряжения низкого логического уровня UJL=-1 В до напряжения высокого логического уровня UJH=0,8 В происходит отпирание второго нагрузочного транзистора 8 через цепь смещения входного сигнала, состоящую из дополнительного истокового повторителя и диода 9, и запирание второго переключающего транзистора 6 через входной инвертор. Емкость нагрузки Сн при этом разряжается током насыщения транзистора 5 Iн. При обратном изменении входного напряжения происходят отпирание транзистора 6 и запирание транзистора 8, а выходная емкость заряжается током насыщения транзистора 6.
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при разработке интегральных схем на полевых транзисторах. Цель изобретения - повышение быстродействия логического элемента на нормально открытых полевых транзисторах. Логический элемент содержит входной инвертор, состоящий из транзисторов 1 и 2, выходной истоковый повторитель, состоящий из транзистора 6, диодов 7 сдвига уровня и нагрузочного транзистора 8. За счет включения между входом логического элемента и затвором нагрузочного транзистора 8 дополнительного истокового повторителя, состоящего из транзистора 10, диода 11 и транзистора 12, и введения диода 9 увеличивается ток нагрузочного транзистора 8 выходного истокового повторителя на положительном фронте входного сигнала и уменьшается на отрицательном фронте входного сигнала. Это приводит к увеличению отдаваемого в нагрузку тока и уменьшению времени перезаряда нагрузочной емкости. 3 ил.
Рисунки
Заявка
4351688/21, 28.12.1987
Адамов Ю. Ф, Кравченко Л. Н, Соляков А. Н, Хлыбов А. И, Щетинин Ю. И
МПК / Метки
МПК: H03K 19/094
Метки: логический, нормально, открытых, полевых, транзисторах, элемент
Опубликовано: 15.09.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1530059-logicheskijj-ehlement-na-normalno-otkrytykh-polevykh-tranzistorakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Логический элемент на нормально открытых полевых транзисторах</a>
Устройство выборки и хранения
Номер патента: 921087
Опубликовано: 15.04.1982
МПК: H03K 17/60
...На накопительном конденсаторе 10 остается напряжение, равное входному в этот моментпереключения.Таким образом, за счет выравнивания напряжения на коллекторах транзистора дифФЕренциального усилите-,ля 2.посредством транзистора 24 идиода 22 уменьшаются ошибки:. смещения, вызванные эффектом модуляции ширины, базового перехода н разницейрассеиваемой мощности на входных тран-зисторах 3 и 4. Применение в качестве динамической нагрузки дифференциального усилителя 2 , отражателя 25 тока увеличивает коэффициент петлевого усиления в однокаскадном ОУ в два раза, Заряд накопительного конденсатора 10 источником напряжения- эмиттерньвки повторителями 19 увеличивает площадь усиления (мощность ОУ), а следова.тельно, увеличивает быстродействиеи...
Быстродействующий преобразователь уровней напряжения на дополняющих мдп транзисторах
Номер патента: 790330
Опубликовано: 23.12.1980
Авторы: Герасимов, Гусаков, Кармазинский, Красильников, Трушин
МПК: H03K 19/02
Метки: быстродействующий, дополняющих, мдп, транзисторах, уровней
...поддерживается и на выходах этих элементов,н результате чего формирующие транзисторы 12 и 13 закрыты и не влияютна работу устройства в стационарном состоянии,При изменении напряжения на шине9 с логического "О" на логическую"1" переключающий транзистор 3 открывается, а транзистор 8 закрывается по истоку. В двухтактном повторителе 6 оба транзистора 7 и 8 закрыты, и напряжение на шине 10 не40 изменяется. В двухтактном инверуоре1 переключающий и нагруэочный транзисторы 3 и 2 открыты. Удельная крутизна переключающих транзисторов выбирается значительно большей по от 65 ношению к крутизнам нагрузочныхЗО транзисторов, которые необходимы тоЛЪко для удержания статистического состояния логической "1" на соответствующей выходной шине....
Логический элемент на мдп-транзисторах
Номер патента: 1026315
Опубликовано: 30.06.1983
МПК: H03K 19/094
Метки: логический, мдп-транзисторах, элемент
.... 2 Бель изобретения - упрощение устройства.Указанная цель достигается тем, что в логическом элементе на МДП- транзисторах, содержащем последовательно включенные межцу шиной питания и общей шиной нагрузочный транзистор, затвор которого подключен к его истоку и к выхоцной шине, и погический транзистор, параплепьно которому поц кпючен управляющий транзистор, причем затвор логического транзистора через прохоцной транзистор подключен и вхоцной шине, межцу затвором логического транзистора и общей шиной включенцопопнительный транзистор, а затворыуправпяющего и прохоцного транзисторов поцкпючены к тактовой шине, затворцополнитепьного транзистора подключенк выходной шине.На чертеже прецставпена электрическая принципиальнам схема...
Многофункциональный логический элемент на мдп-транзисторах
Номер патента: 1064470
Опубликовано: 30.12.1983
Автор: Быков
МПК: H03K 19/094
Метки: логический, мдп-транзисторах, многофункциональный, элемент
...цель достигаетсятем, что в многофункциональном логическом элементе на МДЩ-транзисторах, содержащем первый, второй итретий информационные транзисторып-типа, включенные последовательно,четвертый, пятый и шестой информационные транзисторы я -типа, включенные последовательно, четыревходные шины, шины прямого и инверсного сигнала управления, первый,второй и третий информационные транзисторы включены между выходной иобщей шинами, четвертый, пятый ишестой информационные транзисторывключены между выходной и общей шии блокирующих транзисторов соединеныс шиной инверсного сигнала управления. 2нами, первый, второй и третий нагрузочные транзисторы р -типа включены последовательно между шиной источника питания и выходнойшиной,...
Формирователь импульсов на мдп-транзисторах
Номер патента: 1539995
Опубликовано: 30.01.1990
Авторы: Ахмеджанов, Гафаров, Ковалдин, Подопригора, Сеничкин
МПК: H03K 19/094
Метки: импульсов, мдп-транзисторах, формирователь
...каскада 1 с тремя состояниями закрыты. Выходная шина 9 устройства на10 5 15399ходится при этом в третьем состоянии.Переключение выходной шины 9 устройства из одного логического сос 5тояния в другое производится эасчет перехода через промежуточноесреднее значение, когда логическийблок 8 обеспечивает гретье состояние.Влок 3 управления совместно сблоком 2 восстановления уровней служит для подготовки переключениявыходной шины 9 устройства, Времяпереключения, т.е. время перезарядаэквивалентного конденсатора 23, пропорционально перепаду напряжений навыходной шине 9 устройства при переходе из одного логического состоянияв другое, который примерно равен 20напряжению питания.Принцип действия устройства основан на том, чтобы во время, при...
Предыдущий патент: Логический элемент на полевых транзисторах
Следующий патент: Способ изготовления интегральных микросхем
Случайный патент: Устройство для обработки торцов и фасок листового стекла