Патенты с меткой «мощный»

Номер патента: 1327195

Опубликовано: 30.07.1987

Авторы: Иванов, Иванченко, Рискин, Цыбулькина

МПК: H01C 3/10

Метки: воздухоохлаждаемый, мощный, резистор

...путем компактного расположения зигзагообразно изогнутой ленты и одностороннего изгиба ее смежных участков при нагреве.Это обеспечивает примерно в два раза уменьшение массогабаритных показателей блоков таких резисторов.На фиг. 1 показана компоновка резисторов с электродвигателем вентилятора, на фиг. 2 - представлена часть резистора; на фиг. 3 - секционированный резистор подобной конструк ции.Резисторы 1 (фиг, 1) собраны в несколько рядов, внутри которых рас положен электродвигатель 2 с закрепленным на его валу вентилятором 3. Витки резистивной ленты 4 образуют каналы 5 для прохождения охлаждающего потока воздуха, 30Резистор (фиг. 2) состоит из многократно изогнутой резистивной ленты, которая в местах перегибов 6 жестко прикреплена к...

Номер патента: 1367136

Опубликовано: 15.01.1988

Авторы: Москаленко, Шамрина

МПК: H03K 3/53

Метки: генератор, импульсный, мощный

...9 к ееуправляющей сетке. Конденсатор 13через резистор 12 и ограничивающий резистор 14 заряжен до напряжениядополнительного источника 15 смещения. Ключ 11 заперт, а конденсатор7 заряжен до напряжения основного источиика 10 смещения. При поступлении управляющего импульса с выхода генератора 8 управляющих импульсов через разделительный конденсатор 7 на сетку модуляторной лампы 6 последняя включается и происходит разряд накопителя энергии 3 на нагрузку 5 (СВЧ-генератор), импульс напряжения на которой запирает диод 16. Шунтирование управляющего, импульса на сетке модуляторной лампы 6 источником 10 смещения предотвращается ограничивающим резистором 9 с сопротивлением значительной величины. По окончании воздействия управляющего импульса на...

Номер патента: 1532980

Опубликовано: 30.12.1989

Авторы: Алтынова, Кустовинов, Ушаков, Ястребов

МПК: H01C 3/00

Метки: мощный, резистор

...сохранения неизменной величинытеплообменной поверхности при перЬорировании ленты. Это условие выполняется при равенстве поверхности ленты,удаляемой при сверлении отверстийГ,20 /4, и боковой поверхностиэтих отверстий Г = я Й 3, Из равенстваГ следует, что диаметр отверстия Й должен быть равен удвоеннойтолщине ленты й28.При этих значениях , Ь/1, П коэЬфициент теплоотдачи при скорости охлаждающего воздуха 11 м/с составляет180 Вт/м К,Работа резистора происходит следУющим образом.Движение воздуха в диффуэорных каналах 6 сопровождается увеличениемскорости и понижением давления, т.е.преобразованием потенциальной энергни в кинетическую. В параллельновключенном по ходу воздуха конбузорном канале 5 происходит увеличениедавления и понижение...

Номер патента: 1223796

Опубликовано: 07.01.1990

Авторы: Голованова, Мазель, Никольский, Стесин

МПК: H01L 29/72

Метки: многоэмиттерный, мощный, планарный, транзистор

...13 1 ряжение,Ск (ПФ) Транзисторы по примеру 1 предлагаемогоизобретенияТранзисторы по примеру 2 предлагаемого изобретенияТранзисторы в соответствии с прототипом 900 40 В 1 2 А 46 4,6 420 4,64,6 420 900 40 В; 2,5 А 500 40 В 2 А 4,7 4,7 540 тора с балластными резисторами согласно изобретению (пример 2),На фиг, 5 изображен разрез по области эмиттера структуры планарногомногоэмиттерного транзистора с балластными резисторами (пример 2),На Фиг, 6 изображен разрез по области базы структуры планарного многоэмиттерного транзистора с балластными резисторами (пример 2),Транзистор содержит полупроводниковыгг кристалл 1, область базы 2,область эмиттера 3, эмиттерный контакт 4, общую базовую контактную площадку 5, диэлектрик б, балластныйрезистор 7,...

Номер патента: 1554050

Опубликовано: 30.03.1990

Авторы: Кокавец, Марковский, Цеснак, Шевченко

МПК: H01L 39/20

Метки: криотрон, мощный

...Чередующиеся с ними полоски 15 выполнены из сверхпроводника второго рода и при наличии разрезов 13 только полоски 15 являются коммутирующими, На фиг. 3 изображено сечение трубки 2, выполненной из многожильного сверхпроводящего композита, где показаны сверхпроводящие нити 1 б и диэлектрическая илиЗО нормально проводящая матрица 17, На фиг, 4 изображен элемент сечения трубки 2, выполненный методом напыления, где показаны подложка 18, слой сверх- проводника второго рода, например нитрида. ниобия 19, тонкие слои изоля 35 тора 20, например БЬО или БхО, толстые слои (более 1 мкм) сверхпроводника первого рода с поперечными разрезами 21, диэлектрическое заполнение 22 прорезей 11.Устройство работает следующим образом.Переключение ключевого...

Номер патента: 1621817

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Александер, Владимир, Томас

МПК: H01L 29/78

Метки: затвором, изолированным, мощный, полевой, транзистор

...следовательно, устройство будет работатьв качестве устройства р-канала, а неустройства п-канала,Два истока помещаются на одной итой же поверхности полупроводникового7 6рабатывания способности выдерживать высокое обратное напряжение, и глубину, зависящую от необходимого обратного напряжения для данного устройства. Таким образом, для 400 В-ного устройства нижняя и -область может иметь глубину порядка 35 мкм, в то время как для 90 В-ного устройства она имеет глубину порядка 8 мкм. Другие глубины выбирают в зависимости от требуемого обратного напряжения устрой" ства для обеспечения получения необходимой более толстой области истощения, требуемой для предотвращения пробоя во время состояния подачи об-, ратного напряжения. Более верхнюю...

Номер патента: 1631627

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Богачев, Горохов, Гридин, Фалин

МПК: H01L 25/00

Метки: модуль, мощный, полупроводниковый

...силовой вывод 9,На верхней поверхности полупроводниковых структур расположены верхние токосъемы 10 с опорными шайбами 11, тарельчатыми пружинами 12 и прижимнымипланками 13. Верхний токосъем изолированот прижимной системы изолирующей втулкой 14,Изолирующие ограничители (фиг. 4)представляют собой фторопластовые прямоугольники с двумя отверстиями для крепления, одна сторона которых проточена поокружности под диаметр полупроводникового элемента и изолирующей пластины.Высота определяется сборочными элементами 1,2,3, 6, 11, 12.Опорные шайбы 11, тарельчатые пружины 12 и прижимные планки 13 образуютприжимную систему для каждой полупроводниковой структуры. С их помощью осуществляется торированный прижим с усилием 1200 кг для диаметра структуры...

Номер патента: 1721668

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Богачев, Валюженич, Горохов, Гридин, Потапчук, Фалин

МПК: H01L 25/03

Метки: модуль, мощный, полупроводниковый

...изолирую пользования предлагаемой системы получащую 16 и металлическую 17 шайбы, Витая ем торрированный прижим порядка 2,5 - 3,51гпружина передает усилие прижима через кгс(мм .металлическую и изолирующие шайбы на Кроме того, предлагаемый подпружибазовый контакт 18, Тарельчатые пружины ненный изнутри и снаружи узел управления,7 передают усилие прижима на эмиттерный 35 состоящий из элементов 11-17, позволяеттокосъем 5 и эмиттерный вывод 19 и одно- контролировать усиление прижима базововременно прижимают транзисторный эле- го контакта к базе транзистора. При этоммент 2 к основанию 1, повышается технологичность сборки., такЭмиттерныйтокосъем(фиг.4) представ- как можно быстро и без перекосов собратьляет собой медную плоскую шину с отогну...

Номер патента: 1748223

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Баранаускас, Иванов, Юодвалькис

МПК: H01L 27/10, H03F 3/26

Метки: интегральный, мощный, транзистор

...(Ок 4 ). Приняв усилители 5 и 6 за идеальные, из-за отрицательной обратной связи через дополнительный эмиттер дополнительногд транзистора 2 можно считать, что дополнительный транзистор 2 открывается настолько, чтобы падение напряжения Ощ было равно Овз . При этом напряжение Овз из-за отрицательной обратной связи через коллектор дополнительного транзистора 2 устанавливается такой величины, чтобы коллекторный ток этого транзистора был равен току, поступающему на вход устройства. Тогда для устройства в целом можно записать:Об-зо- Об-эд, = Об-эо - Об-эдв (1) ГДЕ Од-эо, Об-зо НаПРЯжЕНИЯ баэз-ОСНОВ- ной эмиттер основного и дополнительного транзисторов 1 и 2;Об-зд Об-зд, - напРЯжениЯ база-допол 15 нительный эмиттер основного и дополнительного...

Номер патента: 1749952

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Политыко, Федяев

МПК: H01L 21/603

Метки: мощный, полупроводниковый, прибор

...резко снижают паразитное тепловыделение в области металлической гильзы 6, представляющей собой короткоэамкнутый виток катушки,Кроме того, стакан 8 из меди в силу большой пластичности меди требует мень.ших усилий при его сплющивании (обжиме), Длина сплющенной части стержня 7 электроввода, колеблющаяся в пределах 1,5-2 5 диаметров стержня 7, выбрана из соображений обеспечения необходимой электро- и теплопроводности с одной стороны и сохранейия прочности металлостеклянного спая с другой; 10Стальной держатель 1 непосредственно сварен с корпусом 4 за счет специальйо созданного из металла корпуса или держателя сварочного буртика.Испбльэование в качестве материала 15 держателя широко распространенных марок стали например, Ст.10)...

Номер патента: 1771008

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Валюженич, Горохов, Гридин, Потапчук, Фалин

МПК: H01L 25/03

Метки: модуль, мощный, полупроводниковый

...элемента выполнено соосно два гнезда разного диаметра для размещения в них узла управления. Обечайка корпуса и крышка по меньшей мере с одной стороны выполнены с горизонтально плоскими частями, расположенными между собой на разных уровнях и снабженными пазами с внутренней стороны в местах выхода шин; крышка корпуса дополнительно снабжена ребрами жесткости в виде прямоугольной сетки с переменным шагом, Переменный шаг ребер жесткости удовлетворяет соотношениям (1). а ширина ребра жесткости относится к его высоте по соотношению (2),На фиг, 1 изображен предлагаемый модуль, вид спереди (разрез); на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 3; на фиг, 3 - матрица, вид сверху; на фиг, 4 - крышка модуля, вид спереди (разрез): на фиг, 5 - то же, вид...

Номер патента: 1775754

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Валюженич, Горохов, Гридин, Фалин

МПК: H01L 25/03

Метки: модуль, мощный, полупроводниковый

...из диодов Д 2 ДзКорпус модуля представляет собой обечайку,:выполненную из пластмассы, двестенки которой. представляют собой вертикальные плоскости. Боковые же стенки повысоте имеют;. помимо вертикальных наклонные и горизонтальные плоскости. Так, с одной сторайц боковая стенка выполнена сначала с вертикальной, затем с наклонной плоскостью, соединенной с крышкой. На наклонной плоскости расположены выерды узлов управления 28 От:полупроводниковых элементов. Высота вертикальной плоско.- сти определяется высотой управляющей схемы 29. С другой стороны боковая стенка представляет собой двух уровневую конструкцию, где помимо вертикальной плоско- сти есть горизонтальная плоскость в виде уступа, так.же соединенная с крышкой, но другой...

Номер патента: 1787296

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Андреева, Гордеев, Королев

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, мощный, транзистор

...структуры,при этом у нее отсутствуют их недостатки,Структура кристалла обладает таким распределением тока по площади, которое позволяет увеличить устойчивостьтранзистора к прямому вторичному пробою эмиттер, Это достигается тем, что ток эмиттера из-за улучшенного токораспределения меньше стягивается к центру при больших напряжениях коллектор - эмиттер.Для достижения цели в приведенной очегау-конструкции отдельные резистивные эмиттерные области объединяются общей резистивной областью, частично заходящей в область базы, а вдоль всей периферии зубцов эмиттера располагается замкнутая сильнолегированная полоска того же типа проводимости, что и эмиттер. При этом сильнолегированные эмиттерные полоски должны быть удалены друг от друга на...

Номер патента: 1800607

Опубликовано: 07.03.1993

Автор: Чайка

МПК: H03K 17/08, H03K 17/60

Метки: ключ, мощный, транзисторный

...такое сочетание тока коллектора и напряжения на нем, которое не выходит из области безопасной работы, только теперь при закрытии коммутирующего транзистора 1. Ток, протекающий по цепи: диод 6 - конденсатор 5, во время закрытия коммутирующего транзистора 1 заряжает конденсатор 5. Уменьшение тока в коллекторной цепи коммутирующего транзистора 1 и последовательно включенной цепи коммутирующего транзистора 1 ипОследовательно включенной с ней индуктивности 2 приводит к возникновению на ее выводах ЭДС (е = - - - )с полярностью,бвключенной согласно с напряжением силовой цепи. Чтобы снизить перенапряжение в цепи эа счет возникшей ЭДС, необходимо снизить скорость изменения тока в индуктивности, т.е. искусственно увеличить постоянную времени...

Номер патента: 1417721

Опубликовано: 23.06.1993

Автор: Диковский

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, генераторный, мощный, свч-транзистор

...коллектортранзистора по постоянному току отзамыкания на базовый электроД. Натех же кремниевых кристаллах, гдерасположены блокировочные конденса4 Цторы с одного. края созданы ЙОП-конденсаторы 8 с площадьш электрода каж.фдого конденсатора, равной х 10 4 см,а с другого. краятойкопленочныенихромовые резисторы 9 с сопротивлени+ем каждого резистора, равным 4 Ом.45Четыре кристалла с ИОП-конденсаторамии резисторами смонтированы мк, чтосредние элементы объединейия вклвчафит в себя последовательно вкличеиныерезисторы, а крайние элементы объеди Ыпения - последовательно вкличеиныеконденсаторы. Объединение выполненос помощьи объединяащи индуктивныхэлементов 10 длиной не более 0,4 ммиз алимиииевой ленты сечением 240 Я30 мкм, Внутренняя цепь...

Номер патента: 1075860

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Иванов, Кацман, Лебединский, Мовнин, Павлов

МПК: H01J 25/10

Метки: клистрон, кпд, многорезонаторный, мощный, повышенным, пролетный

...электронного потока СВЧ-напряжения синусоидальной формы.К наиболее близкому техническому решению относится мощный пролетный многорезонаторный клистрон с повышеннымКПД, содержащий резонаторы, настроенные на кратные частоты,Недостатком конструкции является то,. что энергия СВЧ колебаний вводится в резонатор с помощью внешнего источника,что является экономически невыгодным исложным конструктивно.Целью изобретения является упрощение конструкции клистрона в эксйлуатации. 25Укаэанная цель достигается тем, что вмощном пролетном многореэонаторномклистронв с повышенным КПД, использующим резонаторы, настроенные на. кратныечастоты, установлен изолированный от 30внешних источников колебаний дополнительный промежуточный резонатор,...

Номер патента: 1256616

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Десятов, Родионов, Родионова

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, мощный, планарный, свч-транзистор

БИПОЛЯРНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР с сетчатой структурой эмиттерной области, включающей вертикальные и горизонтальные ряды, содержащей идентичные ячейки и контактные окна к эмиттерной области, отличающийся тем, что, с целью улучшения энергетических характеристик, в каждом горизонтальном ряду образованы пары ячеек, расстояние между ячейками пары равно расстоянию между соседними рядами, а расстояние между соседними парами в одном ряду в 2-5 раз больше, чем расстояние между соседними рядами, причем пары в соседних рядах расположены одна относительно другой так, что середина зазора между парами одного ряда совпадает с серединой зазора между ячейками в паре соседнего ряда, а контактные окна к эмиттерной области расположены между парами...

Номер патента: 1153767

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Диковский, Евстигнеев

МПК: H01L 29/70

Метки: биполярный, генераторный, мощный, свч-транзистор

1. МОЩНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ГЕНЕРАТОРНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР, содержащий параллельно включенные транзисторные структуры в корпусе с внутренним и внешним коллекторными электродами, выходную индуктивно-емкостную цепь согласования, включающую МОП-конденсаторы, индуктивные элементы, входную индуктивно-емкостную цепь согласования, общий электрод корпуса, отличающийся тем, что, с целью увеличения выходных мощности и КПД, участки внутреннего коллекторного электрода транзистора длиною не болеегде f - рабочая частота,L1 - погонная индуктивность внутреннего коллекторного электрода транзистора,C1 - средняя погонная некомпенсированная емкость...

Номер патента: 1489490

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Симонов, Черепенин

МПК: H01J 25/00

Метки: мощный, релятивистский, свч-прибор, электронный

МОЩНЫЙ РЕЛЯТИВИСТСКИЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ СВЧ-ПРИБОР, содержащий соосно расположенные электронную пушку с кольцевым термокатодом и анодом, квазиоптическую электродинамическую структуру, магнитную фокусирующую систему, ввод и вывод СВЧ-энергии и коллектор, отличающийся тем, что, с целью повышения выходной мощности и рабочей частоты, термокатод расположен в области однородного магнитного поля, при этом перпендикуляр к его рабочей поверхности, проходящий через средний диаметр катода, параллелен оси прибора, анод выполнен в виде диска с кольцевой щелью, средний диаметр которой равен среднему диаметру катода, а ввод СВЧ-энергии расположен в центральной части диска анода.

Номер патента: 1393264

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Жильцов, Сивак

МПК: H01L 29/73

Метки: мощный, планарный, транзистор

МОЩНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий подложку, являющуюся коллектором, в которой выполнена область базы с активными и пассивными участками, включающая эмиттерную область, диэлектрическое покрытие, в котором выполнены контактные окна, эмиттерную и базовую металлизации с контактными площадками, расположенные на диэлектрическом покрытии, и дополнительные области, расположенные в приповерхностной области коллектора с типом проводимости, противоположном типу проводимости коллектора, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента усиления по мощности, дополнительные области расположены над контактными площадками эмиттерной и базовой металлизации, имеют глубину не менее глубины пассивной части базовой области и находятся от нее на...

Номер патента: 1662306

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Велигура, Выгловский, Косой

МПК: H01L 29/72

Метки: мощный, свч-многоэмиттерный, транзистор

...тока в цепи эмиттера, а.Выражение, определяющее величину токостабилизирующего сопротивления получено исходя из следующих исходных предпосылок:а) рабочая точка по постоянному току не должна меняться в крайних точках температурного диапазона транзистора, т.е. эо = эЛТб) приложенное напряжение к эмиттерному переходу определяется выражениемФО =Оэб +1 э РэьгДе Оэб - встРоенныйпотенциал Р-и-пеРехода;йэ - сопротивление цепи эмиттер база;4 - ток эмиттера,Температурная зависимость встроенного потенциала определяется выражением.О: О - К Лт,эб эб иогДе Оэб - встРоенный потенЦиал Р - и-перехода при начальной температуре;10К- термический коэффициентиэмиттерного напряжения;15 Л Т - изменение температуры,в) температурная зависимость...

Номер патента: 1254994

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Исаков, Логачев, Печенкин, Ремнев

МПК: H03K 3/53

Метки: генератор, импульсов, мощный, сдвоенных

МОЩНЫЙ ГЕНЕРАТОР СДВОЕННЫХ ИМПУЛЬСОВ, содержащий генератор импульсного напряжения, к выходному электроду которого подключен один из электродов первой формирующей линии, которая подключена через искровой газовый разрядник к нагрузке, второй выход которой соединен с общей шиной, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона задержки между импульсами в сторону малых величин, в него введены вторая формирующая линия и коммутатор, а искровой газовый разрядник содержит две группы электродов, каждая из которых состоит из двух основных и управляющего электрода, причем внутренний электрод первой формирующей линии включен между первыми основными электродами обеих групп электродов, точка соединения внутреннего электрода первой формирующей линии...

Номер патента: 1347825

Опубликовано: 15.10.1994

Автор: Диковский

МПК: H01L 29/73

Метки: мощный, свч-транзистор

1. МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР с общим электродом, включающий распределение вдоль ряда транзисторных структур элементы частичного внутреннего согласования выхода с индуктивными элементами первого звена соглосования, включенными последовательно с блокировочным конденсатором между внутренним коллекторным и общим электродами, с индуктивными элементами второго звена согласования, подключенными к внутреннему коллекторному электроду и расположенными параллельно плоскости внутреннего коллекторного электрода, отличающийся тем, что, с целью снижения потерь выходной мощности и увеличения КПД путем повышения равномерности согласования выхода, индуктивные элементы первого звена согласования расположены перепендикулярно плоскости внутреннего коллекторного...

Номер патента: 1409076

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Жильцов, Сивак

МПК: H01L 29/73

Метки: мощный, планарный, транзистор

МОЩНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий области эмиттера, базы и коллектора, диффузионные растворы, соединенные с эмиттерной областью, диэлектрическое покрытие с контактными окнами к соответствующим областям и контакты к ним, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности путем повышения стабильности тока, контакт, соединяющий резистивную область с эмиттерной, снабжен дополнительным участком, расположенным на диэлектрическом покрытии над областью резистора.

Номер патента: 1389610

Опубликовано: 20.01.1995

Автор: Левицкий

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, мощный, транзистор

БИПОЛЯРНЫЙ МОЩНЫЙ ТРАНЗИСТОР, включающий полосковые эмиттерные электроды и двухуровневую эмиттерную и базовую металлизации гребенчатого типа, причем нижние уровни металлизации отделены от верхних изолирующим слоем с контактными окошками для соединения нижнего и верхнего уровней металлизации соответствующих электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и технологичности без ухудшения частотных свойств, зубцы гребенки эмиттерной металлизации расположены над и вдоль эмиттерных полосковых электродов, а зубцы базовой металлизации, проходящие между эмиттерными электродами, расположены под изолирующим слоем.

Номер патента: 1632250

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Кустовинов, Чернюк

МПК: H01C 3/00

Метки: воздухоохлаждаемый, мощный, резистор

...изобретения состоит вувеличении мощности рассеяния резисторав 1,1-1,15 раза или уменьшение габаритов50 резистора при той же мощности, что приводит к экономии дорогостоящего материаларезистивнога элемента,1. МОЩНЫЙ ВОЗДУХООХЛАЖДАЕИЬ 1 Й РЕЗИСТОР, содержащиЙ рамоч. ый каркас, нз двух противоположных стооонзх которого Расположены изоляторы с закрепленными в них держателями, выполненными из металла, РезиИзобретение относится к электротехнике, а более конкретно - к ленточным резис Горам большой мощности, преднаэначенньм для уцановок с принуди- телы,цм воздушным охлаждением и используемым преимущественно на электроподвижном составе железных дорог.Цель изобретения - повышение мощности Рассеяния путем сн 1 жения тепловых перегрузок...

Номер патента: 1809694

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Валяев, Гришанов, Крайнов, Молокоедов, Фогель

МПК: H01C 3/00

Метки: высоковольтный, импульсный, малоиндуктивный, мощный, резистор

...колцов 1 пущеуоват ьно соединенных друг с друкем.в:шахма ном порядке; каждое кольцо соединено с предыдущим в двух диаметрально расположенных местах и с последующим - в двух местах, расположенных между двумя первыми. Возможна коммутация колец в одном, двух, трех и т,д, местах, Кольца разделены друг от друга изоляционными прокладками 2, Узкие лучи прокладок разделяют соседние кольца, а вырезы всех прокладок образуют в осевом направлении каналы для подвода охлаждающей среды - жидкости или газа. Соединение колец друг с"другом происходит вместе выреза между лучами прокладки, На торцах резистора находятся верхний 3 и нижний 4 электроды. Изоляционная втулка 5 обеспечивает центФормула изобретенияМОЩНЫЙ МАЛОИНДУКТИВНЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ...

Номер патента: 1827146

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, защитой, мощный, перенапряжения, транзистор

1. Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с плавающей базой, выполненной в одной полупроводниковой подложке так, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к вторичному пробою при обратном смещении базы без изменения его временных и электрических параметров за счет изменения ширины и уменьшения дефектности активной базы защитного стабилитрона и прилегающей к ней области коллектора, ширина активной базы стабилитрона больше ширины активной базы рабочей транзисторной структуры, а степень...

Номер патента: 1827149

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, мощный, транзистор

1. Мощный биполярный транзистор, имеющий по крайней мере одну эмиттерную область шириной I с постоянной глубиной и степенью легирования и активную базу с переменной степенью легирования, отличающийся тем, что, с целью уменьшения площади его транзисторной структуры с сохранением коэффициента усиления по току и устойчивости к вторичному пробою, ширину W активной базы выбирают из соотношения W Wmin + k I, где 0 К 1, а Wmin - минимальная ширина активной базы.2. Транзистор по п.1, отличающийся тем, что участок активной...

Номер патента: 1827150

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, мощный, транзистор

1. Мощный биполярный транзистор, содержащий по крайней мере одну эмиттерную область шириной l переменной глубины и степени легирования, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента усиления по току с сохранением устойчивости к вторичному пробою, эмиттерная область состоит по крайней мере из двух симметричных относительно центра эмиттерной области зон, в которых глубину эмиттерной области H выбирают из соотношения H=H0+kl, где а H0 глубина эмиттерной области на внешнем краю зоны.2. Транзистор по п. 1, отличающийся тем, что участку эмиттерной области с максимальной глубиной соответствует максимальная степень легирования, а участку с...