Патенты с меткой «мощный»

Номер патента: 1827151

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, защитой, мощный, перенапряжения, транзистор

1. Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с плавающей базой, выполненный в одной полупроводниковой подложке таким образом, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к вторичному пробою при обратном смещении базы, за счет изменения конструкции активной базы стабилитрона, активная база стабилитрона выполнена в виде областей-ячеек, в которых ширина и степень легирования активной базы стабилитрона меньше ширины и степени легирования активной базы рабочей транзисторной структуры, окруженных...

Номер патента: 1827152

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, защитой, мощный, перенапряжения, транзистор

Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с плавающей базой, выполненный в одной полупроводниковой подложке так, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, причем ширина и/или степень легирования активной базы стабилитрона меньше ширины и/или степени легирования активной базы рабочей транзисторной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к вторичному пробою при обратном смещении базы, при сохранении временных и электрических параметров транзистора за счет уменьшения дефектности активной базы защитного стабилитрона и...

Номер патента: 1679922

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Асессоров, Булгаков, Инкерманлы, Кочетков, Петров

МПК: H01L 29/72

Метки: вчи, мощный, свч-транзистор

Мощный ВЧ- и СВЧ-транзистор, содержащий диэлектрическое основание с расположенными на нем металлическими выводами, полупроводниковый кристалл со сформированными на нем транзисторными ячейками, напаянный нижним основанием на коллекторную площадку, соединенную одним из своих краев с металлическими выводом, причем между каждой транзисторной ячейкой и соответствующей ей эмиттерной металлизацией расположен балластный резистор, сужающийся от центра транзисторного кристалла к периферии, отличающийся тем, что, с целью увеличения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и КПД за счет повышения равномерности распределения тепла, выделяемого при протекании тока через транзистор, каждая транзисторная ячейка имеет трапециевидную форму,...

Номер патента: 1424656

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Захаров, Левицкий, Левкович, Синкевич, Шелчков, Шибанов, Щиголь

МПК: H01L 29/73

Метки: высокочастотный, мощный, транзистор

Мощный высокочастотный транзистор, сформированный в корпусе с выводами эмиттера, базы и коллектора и содержащий ряд параллельно включенных транзисторных структур с электродами эмиттера, базы и коллектора и балластными резисторами в эмиттерной цепи, отличающийся тем, что, с целью улучшения энергетических параметров транзистора путем обеспечения равномерного распределения тока между отдельными структурами, в корпусе транзистора на его эмиттерном выводе напротив каждой транзисторной структуры установлены полупроводниковые кристаллы, на каждом из которых сформированы RC-цепочки, представляющие собой параллельно соединенные балластный резистор и конденсатор, при этом один конец каждой RC-цепочки соединен проводником с эмиттерным электродом, а...

Номер патента: 1426302

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Грачев, Оленин, Таратута

МПК: H01C 1/08

Метки: высоковольтный, малоиндуктивный, мощный, резистор

1. Мощный высоковольтный малоиндуктивный резистор, содержащий резистивный элемент, выполненный из провода или ленты, изготовленных из резистивного материала и покрытых слоем изоляции, и размещенный на корпусе, снабженном полостью для прохождения хладагента, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной мощности рассеяния и уменьшения габаритов, по всей длине и контуру поперечного сечения провода или ленты резистивного элемента, покрытых слоем изоляции, размещена оболочка из металлического материала, электрически разомкнутая в плоскости поперечного сечения провода или ленты и расположенная с возможностью теплового контакта с корпусом.2. Резистор по п.1, отличающийся тем, что...

Номер патента: 1322934

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Богомяков, Дученко, Матанов, Потапчук

МПК: H01L 29/73

Метки: мощный, транзистор

Мощный транзистор, содержащий базу, коллектор с электродами, профилированный по глубине эмиттер с расположенной над ним металлизацией и выводом, отличающийся тем, что, с целью повышения рабочего тока коллектора, быстродействия и устойчивости к вторичному пробою, эмиттер состоит из чередующихся между собой участков разной глубины, причем участки большей глубины по крайней мере частично охвачены участками меньшей глубины.

Номер патента: 1225460

Опубликовано: 20.02.2002

Авторы: Горбатюк, Грехов, Коротков, Яковчук

МПК: H03K 3/53

Метки: варианты, генератор, его, импульсный, мощный

1. Мощный импульсный генератор, содержащий первый динисторный блок, включенный в прямом направлении последовательно с нагрузкой между полюсами импульсного источника питания, выполненного в виде заряженного емкостного накопителя, источник однополярных управляющих импульсов и последовательную цепь из второго динисторного блока, накопительного конденсатора и нелинейного элемента, причем второй динисторный блок включен встречно по отношению к источнику однополярных управляющих импульсов, отличающийся тем, что, с целью увеличения скорости нарастания выходных импульсов тока, в последовательную цепь из второго динисторного блока, накопительного конденсатора и нелинейного элемента введен резистор,...

Номер патента: 1366006

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Грехов, Зильберглейт, Костина

МПК: H01L 29/74

Метки: быстродействующий, мощный, тиристор

Мощный быстродействующий тиристор на основе p-n-p-n-структуры, содержащий p- и n-эмиттеры, базовые области p- и n-типов проводимости, отличающийся тем, что, с целью повышения нагрузочной способности по току и рабочей частоты за счет увеличения площади структуры и уменьшения ее толщины, базовая область n-типа проводимости со стороны p-эмиттера выполнена с выступами, образующими на поверхности прямоугольную сетку, причем высота h выступа, диаметр b структуры с выступами и и толщина h0 структуры без выступов связаны следующим соотношением:при ширине выступа d

Номер патента: 1839868

Опубликовано: 20.06.2006

Авторы: Куликов, Лапенко, Олетин, Пивоваров, Соловьев, Чупраков

МПК: H01S 3/086

Метки: импульсно-периодический, лазер, мощный, неустойчивым, резонатором

1. Мощный импульсно-периодический лазер с неустойчивым резонатором, образованным глухим и полупрозрачным зеркалами, включающий систему юстировки, резонатора, содержащую юстировочный лазер, установленный за глухим зеркалом соосно его центральному отверстию, электромеханические привода для угловых перемещений глухого зеркала, фокусирующее зеркало, оптически сопряженное с лазером и установленное по ходу его излучения, отличающийся тем, что, с целью получения стабильной максимальной выходной мощности лазера за счет автоматической юстировки резонатора, в систему юстировки введены датчик разъюстировки, установленный в фокусе фокусирующего зеркала, и блок формирования управляющего сигнала, электрически связанный с датчиком разъюстировки и...

Номер патента: 1840157

Опубликовано: 27.07.2006

Авторы: Аболдуев, Крауз, Сарычев

МПК: H03F 3/60

Метки: балансный, микрополосковый, мощный, свч, усилитель

1. Микрополосковый мощный балансный усилитель СВЧ, содержащий входной квадратурный мост, между выходами которого и входами выходного квадратурного моста включены каналы, каждый из которых включает усилительный элемент с согласующими цепями на входе и выходе, отличающийся тем, что, с целью повышения выходной мощности и коэффициента усиления за счет подавления паразитных колебаний на частотах диапазона рабочих частот, в него введены четыре фильтрующие цепи, каждая из которых выполнена в виде четвертьволнового на центральной частоте рабочего диапазона отрезка высокоомной линии передачи, одним концом подключенного к точке соединения разомкнутого на конце четвертьволнового на центральной частоте низкоомного отрезка, и резистора,...

Номер патента: 1840435

Опубликовано: 10.03.2007

Авторы: Постнова, Старец, Турнер, Фурсаев

МПК: H01J 25/50

Метки: м-типа, мощный, свч-прибор

1. Мощный СВЧ-прибор М-типа, содержащий катод, расположенный коаксиально ему анод с системой ламелей, расположенных со стороны катода, и магнитную систему, создающую постоянное магнитное поле в направлении оси прибора, отличающийся тем, что, с целью увеличения долговечности прибора, ламели выполнены так, что в проекции поперечного сечения прибора со стороны северного полюса магнитной системы соблюдены следующие соотношения:l>p, гдеl - расстояние между осью прибора и линией пересечения поверхности ламели, обращенной к катоду, и левой боковой поверхностью ламели; р - расстояние между осью прибора и пинией пересечения поверхности ламели, обращенной к катоду, и правой боковой поверхностью ламели. 2. Мощный...

Номер патента: 683402

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Портнов, Снитовский

МПК: H01L 29/70

Метки: мощный, свч-транзистор

Мощный СВЧ-транзистор с гребенчатой конфигурацией эмиттерной области, состоящий из кремниевой подложки с эпитаксиальным слоем, с одной стороны которой выполнен невыпрямляющий контакт к коллектору, а с другой - планарные области эмиттера и базы, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения ее надежности, эмиттерная область выполнена так, что ее длина ориентирована по кристаллографическому направлению <110>.