Патенты с меткой «методом»

Страница 42

Способ возведения пешеходного перехода методом щитовой проходки

Загрузка...

Номер патента: 1828926

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Бессолов, Демин, Пруткин, Самойлов, Семенов, Теклев

МПК: E21D 9/00

Метки: возведения, методом, перехода, пешеходного, проходки, щитовой

...частями 35,шарнирно закрепленными к рельсовому пути проходческого щита. Выдвижные рельсы"0 33 в каждой паре объединены регулируемыми стяжками 36. Для размещения крепеукладчика 2 с электровозом 32 и вагонеток 4,сэлектровозом 5 в шахтном стволе 37 уложены дополнительные рельсы 38 и 39, образу 5 ющие рельсовый путь для перемещения понему взгонеток 4 с электровозом 5,Секция крепи выработки состоит из основания 40, балки перекрытия 41 и боковыхэлементов 42,20 Способ возведения пешеходного перехода методом щитовой проходки заключается в Следующем. Вначале экскзваторныморганом 13 разрабатывается грунт в ячейках, образованных вертикальными 6 и гори 25 зонтальными 7 перегородками. При этомдля обеспечения свободного движения...

Способ концентрации железосодержащих минералов из руд методом обратной флотации

Загрузка...

Номер патента: 1834713

Опубликовано: 15.08.1993

Авторы: Ричард, Роберт

МПК: B03D 1/016

Метки: железосодержащих, концентрации, методом, минералов, обратной, руд, флотации

...не более,чем 1 кг депрессора использовался на 1 т флотируемой руды и еще более предпочтительно, чтобы на 1 т флотируемой руды использовалось не мене, чем 0,5 кг депрессора.Депрессор можно добавлять на любой стадии процесса разделения, поскольку он добавляется до стадии флотации. Предпочтительно добавлять депрессор до или вместе с добавкой коллектора,Депрессоры, используемые для осуществления изобретения эффективны, когда они используются с большим разнообразием коллекторов. Предпочтительно применять коллекторы, содержащие кислород и азот. Еще более предпочтительнее применять аминовые коллекторы, Выбор коллектора будет зависеть от конкретной обрабатываемой руды и типа удаляемой рудной породы,Поликарбоновые кислоты и их соли...

Способ горячего ремонта огнеупорной кладки нагревательных печей методом керамической наплавки

Загрузка...

Номер патента: 1836440

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Баланов, Збыковский, Митрущенков, Носков, Трегуб, Тузенков, Фесенко

МПК: C21C 5/44

Метки: горячего, керамической, кладки, методом, нагревательных, наплавки, огнеупорной, печей, ремонта

...подачи кислорода, смеси и воздуха аналогична структуре огнеупорногокирпича, т.е. состоит из кристаллических зерен огнеупорных материалов, связанныхмежду собой аморфной стеклофазой.На чертеже показана схема установкидля осуществления предлагаемого способа,Установка содержит питатель 1, в который загружается торкрет-масса. По трубопроводу 2 в питатель подают сжатый воздух,под воздействием которого торкрет-массуиз питателя по технологическому трубопроводу 3 подают к наплавочной головке 4. Поотдельному трубопроводу 5 к наплавочнойголовке подают кислород. К технологиче 20 скому трубопроводу 3 через регулирующееустройство 7 подключен трубопровод подачи сжатого воздуха 6. На линии подачикислорода 5 имеется регулирующее...

Линия для изготовления стеновых камней методом полусухого вибропрессования

Загрузка...

Номер патента: 1838096

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Галин, Кулагин, Кухарев, Подсядло, Ячменев

МПК: B28B 3/00

Метки: вибропрессования, камней, линия, методом, полусухого, стеновых

...воздействием гидроцилиндра 16. Пуансоны 17 установлены на этих же колоннах 15 с возможностью перемещения от усилия гидроцилиндра 18, опирающегося на траверсу 19. Отформованные стеновые камни 20 располагаются на поддоне 21, с воэможностью возвратно-поступательного движения по рельсовому пути 22,Для обеспечения последовательно работы всех механизмов линии служит пульт управления 23,В состав линии также входит гидравлическая насосная станция 24, являющаясяисточником энергии для механизмов загрузчика и вибропрессэ,Линия работает следующим образом,Готовая смесь через разгрузочное окно 2 смесителя 1 выбрасывается в стоящий в нижнем крайнем положении ящик 5 загрузчика. Направление движения струи смеси 5 10 15 20 25 30 емом или опусканием...

Способ определения поверхностной концентрации компонентов бинарного сплава методом термодесорбционной масс спектрометрии

Загрузка...

Номер патента: 2000625

Опубликовано: 07.09.1993

Авторы: Вяткин, Головин, Пастухов, Привалова

МПК: H01J 49/14, H01J 49/26

Метки: бинарного, компонентов, концентрации, масс, методом, поверхностной, спектрометрии, сплава, термодесорбционной

...(фиг,2);2 ж И 12 тв - тО жЕ ДЛЯ 2-ГО КОМПОНЕНта; с - отношение эффективных сечений атомов 1-го и 2-го компонентов.Расчетные формулы получены следующим образом. В основу расчета положено уравнение для ионного тока1=а А й С ехр(-Е/МТ). (2) где а - константа;А - площадь поверхности;М - поверхностная концентрация часС - энтропийный множитель;Е - энергия активации десорбции;М - постоянная Больцмана.При температуре Т в интервале от тпературы солидус до температуры ликвитвердая и жидкая фазы сосуществуют вно ве с и и, т. е, Ствехр(-Етв/кТ)=СжеЕж/МТ). Величина а и площповерхности А сократятся, если записатношение ионных токов при Т:Э=1 тв/11 ж Й 1 тв/Й 1 жЬ 2 тв/12 ж М 1 тв/1 ч 1 ж. (3)Постоянство площади поверхности оразца дает уравнениеЙ 1 те...

Способ подготовки шихты с непрерывным спектром размеров частиц для получения изделий методом экструзионного прессования пластичных масс

Загрузка...

Номер патента: 2001878

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Березин, Касперский, Лукина, Торопов, Трапезников

МПК: C01B 31/02

Метки: масс, методом, непрерывным, пластичных, подготовки, прессования, размеров, спектром, частиц, шихты, экструзионного

...реологии точения 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 суспензий, Первое состоит в том, что касательные напряжения, действующие при экструзии массы, зависят от диаметра выходного отверстия экструдера. В первом приближении эту зависимость можно положить линейной, т,е т= т(О) = А О,Второе в соответствии с известными данными о дисперсных системах заключается в том, что предел текучести твердообразных дисперсных систем, отождествленных с телом Бингама, пропорционален размеру частиц дисперсной фазы, т.е, то В а, где В - постоянная; а - размер частиц,Для полидисперсной системы это записано в видего-В а,Таким образом, отнеся предел текучести дисперсной системы к действующим касательным напряжениям в экструдере, можно видеть, что величина той...

Установка для нанесения упрочняющих покрытий методом электродугового испарения

Загрузка...

Номер патента: 2001972

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Андреев, Григорьев, Саблев

МПК: C23C 14/32

Метки: испарения, методом, нанесения, покрытий, упрочняющих, электродугового

...и изделием 4.Установка, изображенная на фиг,1 работает следующим образом.Камера 1 откачивается системой высоковакуумной откачки и в нее производится напуск рабочего газа (например, аргона) до давления 8 10 Па, При включении источников 5 и 7 питания между катодом 2 и электродом б возбуждается двухступенчатый ва куумно-дуговой разряд. Двухступенчатый вакуумно-дуговой разряд характеризуется наличием двух различных в физическом отношении областей; области 11, заполненной металлогазовой плазмой, и области 12 заполненной чисто газовой плазмой. Эти области заполняют щелевой зазор между изделием 4 и электродами 8, Область металлогазовой плазмы ограничена пределами прямой видимости со стороны расположения электрода б поверхности напряжения...

Способ изготовления методом полусухого прессования безобжиговых строительных изделий

Загрузка...

Номер патента: 2004429

Опубликовано: 15.12.1993

Автор: Файнштейн

МПК: B28B 3/00

Метки: безобжиговых, методом, полусухого, прессования, строительных

...прессующейнагрузки в 2-5 МПа к поверхности бетонной смеси.Кроме того, при смешении компонентовбетонной смеси в нее может быть введен до20 пигмент, предварительно перемешанный с минеральным вяжущим, а в качествесухой молотой глины может использоватьсяулавливаемая при производстве керамзитадообжиговая глиняная пыль,При осуществлении изобретения создается технический эффект, заключающийся вповышении плотности, позволяющей получать изделия с высокой морозостойкостьюи водонепроницаемостью, а также выдерживать размеры изделия с большой точностью. Введение пигмента позволяет получать изделия различной цветовой гаммы.Предлагаемый способ характеризуется новой совокупностью существенных признаков и удовлетворяет критерию "изобретательский...

Способ затравления при выращивании профилированных монокристаллов корунда методом степанова

Номер патента: 1503355

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34, C30B 29/20

Метки: выращивании, затравления, корунда, методом, монокристаллов, профилированных, степанова

СПОСОБ ЗАТРАВЛЕНИЯ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КОРУНДА МЕТОДОМ СТЕПАНОВА , включающий нагpев pасплава в тигле с фоpмообpазованием, пpиведение установленной над ним на кpисталлодеpжателе затpавки в контакт с pасплавом на тоpце фоpмообpазователя и последующее выpащивание кpисталлов, отличающийся тем, что, с целью повышения стpуктуpного совеpшенства кpисталлов и снижения тpудозатpат, затpавочный кpисталл беpут в виде плоского элемента, а кpисталлодеpжатель - из того же матеpиала и той же оpиентации, что и затpавка, и пеpед затpавлением пpоводят их соединение путем пpиложения сжимающей осевой нагpузки к кpисталлодеpжателю, контактиpующему с затpавкой, pазмещенной на тоpце фоpмообpазователя, пpи 1500 - 1950oС,...

Способ крепления труб в трубных решетках теплообменных аппаратов импульсным методом

Номер патента: 1741347

Опубликовано: 30.05.1994

Автор: Константинов

МПК: B21D 26/08, B21D 53/08

Метки: аппаратов, импульсным, крепления, методом, решетках, теплообменных, труб, трубных

СПОСОБ КРЕПЛЕНИЯ ТРУБ В ТРУБНЫХ РЕШЕТКАХ ТЕПЛООБМЕННЫХ АППАРАТОВ ИМПУЛЬСНЫМ МЕТОДОМ, заключающийся в том, что трубу устанавливают в отверстие трубной решетки, размещают в ней источник импульсной энергии и осуществляют раздачу трубы давлением, создаваемым упомянутым источником, отличающийся тем, что, с целью повышения качества полученных соединений за счет увеличения их плотности, раздачу трубы осуществляют в два этапа, на первом из которых трубу деформируют до выборки зазора между поверхностями трубы и отверстия трубной решетки, а материал трубы выбирают с акустической жесткостью, превышающей акустическую жесткость материала трубной решетки.

Способ крепления труб в отверстиях трубной решетки методом взрыва

Номер патента: 1741346

Опубликовано: 09.01.1995

Автор: Константинов

МПК: B21D 26/08

Метки: взрыва, крепления, методом, отверстиях, решетки, труб, трубной

СПОСОБ КРЕПЛЕНИЯ ТРУБ В ОТВЕРСТИЯХ ТРУБНОЙ РЕШЕТКИ МЕТОДОМ ВЗРЫВА, заключающийся в выполнении на поверхности каждого отверстия трубной решетки кольцевой канавки, установке в это отверстие трубы с зарядом взрывчатого вещества и подрыве последнего, отличающийся тем, что, с целью повышения качества полученных соединений путем увеличения их прочности и плотности, середину кольцевой канавки располагают на расстоянии от начала детонации заряда в трубе, составляющем 0,7 от длины заряда, а ширину канавки выбирают из следующего диапазона:3 h 5...

Способ нанесения покрытий из порошков на внутреннюю цилиндрическую поверхность взрывным методом

Номер патента: 1533122

Опубликовано: 20.01.1995

Авторы: Нестеренко, Першин

МПК: B22F 7/04, C23C 26/00

Метки: взрывным, внутреннюю, методом, нанесения, поверхность, покрытий, порошков, цилиндрическую

СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ ИЗ ПОРОШКОВ НА ВНУТРЕННЮЮ ЦИЛИНДРИЧЕСКУЮ ПОВЕРХНОСТЬ ВЗРЫВНЫМ МЕТОДОМ, преимущественно, из быстрозакаленных порошков, включающий засыпку порошкового материала покрытия в цилиндр, размещение вокруг цилиндра взрывчатого вещества и инициирование взрывчатого вещества, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности соединения покрытия с поверхностью, толщину t3 слоя взрывчатого вещества определяют по формулегде K=2,8-3;tц - толщина стенок цилиндра, мм;R - наружный радиус цилиндра, мм;tпор - толщина слоя порошкового материала, мм.

Способ анализа материалов методом вторичной ионной масс спектрометрии и устройство для его осуществления

Номер патента: 1306396

Опубликовано: 27.01.1995

Автор: Попов

МПК: G01N 27/62, H01J 49/26

Метки: анализа, вторичной, ионной, масс, методом, спектрометрии

СПОСОБ АНАЛИЗА МАТЕРИАЛОВ МЕТОДОМ ВТОРИЧНОЙ ИОННОЙ МАСС-СПЕКТРОМЕТРИИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ.1. Способ анализа материалов методом вторичной ионной масс-спектрометрии, по которому в аналитическую камеру помещают образец материала, производят откачку камеры, напускают химически активный газ и контролируют его давление, воздействуют на образец первичными ионами и регистрируют токи вторичных ионов материала, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности анализа и воспроизводимости его результатов, создают молекулярный поток химически активного газа величиной от 10-8 до 10-5 л Па/с, направленный на поверхность образца, а с помощью нераспыляемого газопоглотителя поглощают...

Способ получения изображения методом обращения и составы для проявления и чернения

Номер патента: 1083809

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Гетманский, Гунина, Лобов, Милюкова, Пимкина, Поярков

МПК: G03C 5/00, G03F 1/00

Метки: изображения, методом, обращения, проявления, составы, чернения

1. Способ получения изображения методом обращения на эмульсионной подложке, включающий формирование скрытого изображения, его проявление, отбеливание, осветление и чернение, промывку подложки после каждой операции в дистиллированной или деионизованной воде и финишную сушку, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей, чернение проявленного изображения проводят в течение 3 5 мин, а промывку подложки после чернения осуществляют в 0,2 0,3%-ном растворе алкилбензилдиметиламмоний хлорида в дистиллированной или деионизованной воде.2. Состав для проявления скрытого изображения, включающий в себя сульфит натрия, метол, гидрохинон, калий бромистый, роданистый калий, ускоряющее и буферное вещества и дистиллированную...

Способ автоматического регулирования режущей способности шлифовального круга электроэрозионным методом

Номер патента: 1293914

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Князян, Маркарян, Мартиросян

МПК: B23H 7/00

Метки: круга, методом, режущей, способности, шлифовального, электроэрозионным

1. СПОСОБ АВТОМАТИЧЕСКОГО РЕГУЛИРОВАНИЯ РЕЖУЩЕЙ СПОСОБНОСТИ ШЛИФОВАЛЬНОГО КРУГА ЭЛЕКТРОЭРОЗИОННЫМ МЕТОДОМ, при котором в процессе шлифования ведут контроль глубины вскрытия и периодически по всей режущей поверхности круга удаляют связку в соответствии с износом абразивных зерен, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения области применения способа регулирования режущей способности, контроль глубины вскрытия осуществляют дополнительным электродом, который вводят в контакт с абразивными зернами на рабочем участке режущей поверхности круга.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при фасонном шлифовании методом копирования профиля круга, работающего не всей режущей поверхностью, рабочий зазор между...

Способ подготовки биологических проб к радиометрическому измерению углерода-14 методом толстослойных дисперсных сцинтилляторов

Номер патента: 1376745

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Коковина, Острерова

МПК: G01N 33/48

Метки: биологических, дисперсных, измерению, методом, подготовки, проб, радиометрическому, сцинтилляторов, толстослойных, углерода-14

Способ подготовки биологических проб к радиометрическому измерению углерода-14 методом толстослойных дисперсных сцинтилляторов, включающий озоление пробы, поглощение выделяемого углекислого газа щелочью, осаждение углекислого кальция, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, озоление пробы проводится раствором хромовокислого калия в серной кислоте, поглощение углекислого газа осуществляют 2,5 н. раствором гидрата окиси натрия, а осаждение углекислого кальция проводят при температуре 90 - 95oС 1М раствором азотнокислого кальция, взятым в полуторакратном избытке по отношению к концентрации углекислого натрия в растворе щелочи-поглотителя.

Водоразбавляемая лаковая композиция для нанесения покрытий методом электроосаждения

Номер патента: 1764307

Опубликовано: 20.06.1996

Авторы: Кривицкий, Куценок, Ляпишева, Макаров, Мясников, Решетова, Федотова

МПК: C09D 119/00, C09D 5/44

Метки: водоразбавляемая, композиция, лаковая, методом, нанесения, покрытий, электроосаждения

Водоразбавляемая лаковая композиция для нанесения покрытий методом электроосаждения, включающая 60-70%-ный раствор в смеси этилгликольацетата и бутанола, частично нейтрализованного муравьиной кислотой эпоксиаминокаучукового аддукта, иодифицированного меламино-формальдегидной смолой, и воду, отличающаяся тем, что, с целью получения черных матовых или полуматовых покрытий с высокой стойкостью к ударным нагрузкам, коррозионной стойкостью и стойкостью к действию органических растворителей, композиция дополнительно содержит уксусную кислоту, карбонофторид и диацетоновый спирт или этилцеллозольв при следующем соотношении компонентов, г/л:60-70% -ный Раствор в смеси этилгликольацетата и бутанола, частично нейтрализованного муравьиной...

Устройство для нанесения покрытий методом электроосаждения

Загрузка...

Номер патента: 1633851

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Канаев, Синькеев, Степанова, Усакин

МПК: B22F 7/04, C25D 5/02

Метки: методом, нанесения, покрытий, электроосаждения

...тока 5, над противоэлектродом установлен держатель б изделий 7, который крепится на стойке 8, установленной на опоре. В противоэлектроде 4 смонтирована без контакта с ее стенками подложка 9 для изделий, соединенная с противоположным проти возле ктроду полюсом внешнего источника.Устройство работает следующим образом, Изделие 7, на которое наносится покрытие, помещается в держатель 6, выполненный в виде электромагнита, и закрывается колпаком 3. В камере 1 создается вакуум для проведения предварительной дегазации изделия, после которой отключается электромагнит, и изделие подается в емкость Устройство для нанесения покрытий методом электроосаждения, содержащее соединенную с вакуумной системой герметичную камеру, состоящую из опоры и...

Устройство для выращивания кристаллов методом направленной кристаллизации

Номер патента: 1107589

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Давиденко, Карпов, Смирнов

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллизации, кристаллов, методом, направленной

Устройство для выращивания кристаллов методом направленной кристаллизации, включающее ампулу и установленный на дне тигель, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности за счет увеличения коэффициента использования тигля, ампула снабжена перегородкой в виде воронки с осевым отверстием, расположенной над тиглем.

Устройство для выращивания кристаллов методом вертикально направленной кристаллизации

Номер патента: 1332886

Опубликовано: 27.01.1997

Авторы: Белевич, Груцо, Маковецкая

МПК: C30B 11/00

Метки: вертикально, выращивания, кристаллизации, кристаллов, методом, направленной

Устройство для выращивания кристаллов методом вертикально направленной кристаллизации, содержащее печь, имеющую две зоны, разделенные диафрагмой, и установленную в ней с возможностью перемещения цилиндрическую ампулу с коническим концом, отличающееся тем, что, с целью исключения перегрева ампулы в верхней зоне печи и снижения температурного градиента в расплаве, нижняя часть ампулы снабжена экраном, диаметр которого равен диаметру ампулы, а его нижний торец расположен в нижней зоне печи.

Контейнер для получения заготовок из халькогенидов цинка и кадмия методом сублимации

Номер патента: 1690429

Опубликовано: 10.02.1997

Авторы: Борисов, Демиденко, Дунаев, Миронов

МПК: C30B 23/00

Метки: заготовок, кадмия, контейнер, методом, сублимации, халькогенидов, цинка

Контейнер для получения заготовок из халькогенидов цинка и кадмия методом сублимации, включающий камеру роста, в которой размещена подложка, и исходный материал, разделенные пористой перегородкой, отличающийся тем, что, с целью получения слоистых структур и снижения испарения подложки, контейнер снабжен втулкой с внутренним выступом, на котором установлена подложка, в выступах выполнены сквозные каналы для подачи паров исходного материала к боковым поверхностям подложки, снабжен экраном из жаропрочного и инертного к получаемой заготовке материала, расположенным на верхнем торце втулки.

Устройство для измерения диаграммы направленности антенны методом облета

Номер патента: 1309741

Опубликовано: 27.11.1998

Авторы: Воловик, Грабек, Лопаткин, Малицкий, Чернолес

МПК: G01R 29/10

Метки: антенны, диаграммы, методом, направленности, облета

1. Устройство для измерения диаграммы направленности антенны методом облета, содержащее первый передатчик, первый приемник, измерительную антенну, блок регистрации и блок радиотехнической системы ближней навигации, размещенный на борту летательного аппарата, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерений, блок радиотехнической системы ближней навигации содержит последовательно соединенные приемную антенну, второй приемник, блок измерения дальности, шифратор, второй передатчик и передающую антенну, последовательно соединенные блок выделения информационных импульсов, вход которого соединен с выходом второго приемника, блок измерения азимута и индикатор, второй вход блока измерения азимута соединен с выходом второго приемника,...

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава с регулированием его диаметра методом взвешивания

Номер патента: 570237

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Березин, Жвирблянский, Сухарев, Фрейман

МПК: C30B 15/28

Метки: взвешивания, вытягивания, диаметра, кристаллов, методом, расплава, регулированием

1. Устройство для вытягивания кристалла из расплава с регулирование его диаметра методом взвешивания, включающее герметичную камеру с тиглем и нагревателем, установленную над ней подвижную в вертикальной плоскости каретку, связанную с тягой кристалла и тягой эталонного стержня, расположенного в емкости с жидкостью, и датчик веса, электрически соединенный с системой управления процессом, отличающееся тем, что, с целью повышения точности регулирования диаметра кристалла и упрощения устройства, оно снабжено рычагом, опора которого установлена на каретке, а противоположные концы плеч соединены с тягой кристалла и тягой эталонного стержня, и датчик веса соединен с одним из плеч.2....

Способ управления процессом очистки технического хлористого алюминия методом ректификации

Номер патента: 993503

Опубликовано: 20.12.1999

Авторы: Балашов, Горин, Зонненбург, Ламбрев, Чудновский

МПК: B01D 3/42

Метки: алюминия, методом, процессом, ректификации, технического, хлористого

Способ управления процессом очистки технического хлористого алюминия методом ректификации, включающий регулирование потока дистиллята, потока паров продукта из куба колонны и потока флегмы, отличающийся тем, что, с целью обеспечения высокого качества очистки продукта в условиях изменения характеристик объекта - коэффициента теплопередачи дефлегматора и поверхности теплопередачи кипятильника, стабилизируют поток дистиллята, поток флегмы стабилизируют путем стабилизации величины потока хладагента в дефлегматор и стабилизации температуры этого хладагента на входе дефлегматора с коррекцией по разности температур хладагента на входе и выходе дефлегматора, а поток паров продукта из куба...

Способ выращивания монокристаллов на основе окиси алюминия газопламенным методом

Номер патента: 731645

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Бородин, Малахова, Пискун, Стериополо, Татарченко, Федоренко, Циглер, Чернышева, Чиркин

МПК: C30B 11/10

Метки: алюминия, выращивания, газопламенным, методом, монокристаллов, окиси, основе

1. Способ выращивания монокристаллов на основе окиси алюминия газопламенным методом, включающий подачу исходного порошка через факел пламени на затравку, разращивание кристалла до заданного диаметра, выращивание кристалла при поддержании постоянных условий процесса, сужение диаметра кристалла в конце процесса, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода кристаллов 30-90o - ориентации, сужение диаметра кристалла производят на 40-80% до соотношения высоты суженной части к диаметру, равного 1 : (0,3 - 1,5).2. Способ по п.1, отличающийся тем, что сужение диаметра кристалла производят путем одновременного уменьшения расхода сжигаемых газов и подачи исходного порошка.

Способ выращивания кристаллов тугоплавких окислов методом вернейля

Номер патента: 778363

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Зелигман, Малахова, Сытин, Циглер

МПК: C30B 11/10, C30B 29/16

Метки: вернейля, выращивания, кристаллов, методом, окислов, тугоплавких

Способ выращивания кристаллов тугоплавких окислов методом Вернейля, включающий подачу кислорода по внутренним, центральному и соседнему с ним каналам и последующее чередование раздельных потоков водорода и кислорода, отличающийся тем, что, с целью обеспечения более широкого фронта кристаллизации и увеличения за счет этого диаметра выращиваемых кристаллов, скорость истечения кислорода по внутренним каналам поддерживают равной 0,5 - 3,0 м/с, а в каждом последующем внешнем потоке в 1,5 - 4,0 раза большей.

Штамп для получения фланцев на кольцевых заготовках методом осадки

Загрузка...

Номер патента: 720864

Опубликовано: 20.03.2005

Авторы: Литовченко, Проскуряков, Шитарев

МПК: B21D 9/00, B21K 21/08

Метки: заготовках, кольцевых, методом, осадки, фланцев, штамп

Штамп для получения фланцев на кольцевых заготовках методом осадки, содержащий корпус с подпружиненной матрицей, ступенчатый пуансон, а также механизм зажима обрабатываемой заготовки, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы, механизм зажима обрабатываемой заготовки выполнен в виде подвижно установленного в корпусе вкладыша с рабочей поверхностью, соответствующей профилю заготовки, и с клиновым скосом, при этом в пуансоне выполнен паз под вкладыш с клиновым участком, взаимодействующим со скосом вкладыша.

Анодное устройство для нанесения покрытий методом электролитического натирания

Загрузка...

Номер патента: 1338459

Опубликовано: 27.04.2005

Авторы: Мордехай, Поляков

МПК: C25D 5/04

Метки: анодное, методом, нанесения, натирания, покрытий, электролитического

Анодное устройство для нанесения покрытий методом электролитического натирания, содержащее полый корпус из токопроводящего материала с отверстиями на рабочей поверхности для подвода электролита и закрепленный на корпусе пористый материал, отличающееся тем, что, с целью повышения равномерности покрытия и расширения технологических возможностей устройства, корпус выполнен в виде чередующихся пластин с различной удельной электропроводностью.

Устройство электроразведки фазовым методом

Загрузка...

Номер патента: 1327690

Опубликовано: 27.07.2005

Авторы: Брякин, Величко, Герасимов, Гридчин, Иманалиев, Скрынников

МПК: G01V 3/12

Метки: методом, фазовым, электроразведки

Устройство электроразведки фазовым методом, содержащее ортогональные индукционные преобразователи, три усилителя по каналам различных составляющих, два формирователя импульсов по нулевым переходам в каналах горизонтальных составляющих, два ключа, два усилителя-выпрямителя и два блока интегрирования в канале определения положения вектора поля в пространстве, нуль-орган и пороговое устройство в канале измерения вертикальной составляющей, схему ИЛИ, схему ИЛИ-НЕ, три формирователя импульсов и схему НЕ в цепи управления, триггер синхронизации, триггер запрета разряда интеграторов, два разрешающих триггера, формирователь временных интервалов, два измерителя фазовых сдвигов, определитель...

Устройство электроразведки фазовым методом

Загрузка...

Номер патента: 1327691

Опубликовано: 27.07.2005

Авторы: Брякин, Величко, Герасимов, Гридчин, Иманалиев, Скрынников

МПК: G01V 3/12

Метки: методом, фазовым, электроразведки

Устройство электроразведки фазовым методом, содержащее ортогональные индукционные преобразователи, три усилителя по каналам различных составляющих, два формирователя импульсов по нулевым переходам по каналам горизонтальных составляющих, два ключа, два усилителя-выпрямителя и два блока интегрирования в канале определения вектора поля в пространстве, нуль-орган и пороговое устройство в канале измерения вертикальной составляющей, схему ИЛИ, схему ИЛИ-НЕ, три формирователя импульсов и схему НЕ в цепи управления, триггер синхронизации, триггер запрета разряда интеграторов, два разрешающих триггера, формирователь временных интервалов, два измерителя фазовых сдвигов, определитель положения...