Мультивибратор на мдп транзисторах

ОПИСАНИЕ 3875 О 2ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республикисимое от авт. свидетельстваЗаявлено 24.Ч.1971 ( 1 660270 "26-9)с присоединением заявки1. Кл. Н 03 дс 3/2 ПриоритетОпубликовано 21.Ч 1.1973. Бюллетень2 Дата опубликования описания 25.1 Х.1973 Комитет по делам изобретений и открыти при Совете Ынтткстров СССР. И. Андре аявитель МУЛЬТИВИБРАТОР ТРА Н 3 И СТОРАХ 1-1 а чертеже изобр электрическая схема вибратора на МДП тО содержит МДП ценные по схеме с об ной стоковой нагруз торов 8 и 4 соответст ажена принцпредлагаемогранзисторах.транзисторыщим истокомкой в виде МДвенно,пиальная мульти и 2, вклюс нелиней- П транзис 30 Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано для создания генераторов тактовых импульсов и нормированных задержек сигнала в цепях цифровых устройств на МДП структурах. 5Известны мультивибратор на МДП транзисторах, содержащий два ключа с нагрузочными транзисторами в стоковой цепи и с перекрестной емкостной связью между затвором одного ключевого транзистора и стоком 10 другого, обладает нелинейной зависимостью длительности выходного импульса от входного напряжения.Цель изобретения - линеаризация зависимости длительности выходного импульса 15 мультивибратора на МДП транзисторах от входного напряжения. Для этого в каждую из времязадающих цепей мультивибратора включен транзистор, затвор которого подключен к средней точке делителя напряжения пи гания на двух транзисторах, у которых затворы соединены со стоками. К стокам транзисторов 1 и 2 подключены обкладки конденсаторов 5 и б, другие обкладки которых подключены к стокам транзисторов 7 и 8 и к затворам транзисторов 1 и 2 соответственно. Транзисторы 7 и 8 включены по схеме с общим истоком, а их затворы подключены к делителю напряжения питания на транзисторах 9 и 10, у которых соединены затвор и сток, К клеммам 11 и 12 подключены стоки и затворы транзисторов 9,3,4 и стоки транзисторов 10, 1, 7,8 и 2.Крутизна фронта, формируемого при запирании транзистора 1 (или 2), определяется удельной крутизной нагрузочного транзистора 8 (или 4) и емкостью конденсатора 5 (или б). Стабильность напряжения на стоке закрытого транзистора 1 (или 2) определяется отношением величин удельной крутизны транзисторов 8 и 8 (или 4 и 7) и напряжением на затворе транзистора 7 (или 8), т, е. отношением величин удсльпои к 1)утизны транзисторов 9 и 10. Длительность квазиустойчиво го состояния определяется эффективным значением емкости конденсатора 5 (или б), удельной крутизной транзистора 8 (или 7) и напряжением на затворе последнего.Рассмотрим работу мультивибратора с момента, когда транзистор 1 только что открыт, а транзистор 2 только что закрыт. Конденсатор 5 заряжен, конденсатор б имеет разность387502 Составитель Ю. Еркин актор Т. Фадеева Тех ред Е. Борисова Корректор М. Лейзермаказ 2638/14 ЦНИИПИ Комитета Изд.726 Тираж 780 делам изобретений и открытий прн Сове Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Подписно Министров СССРпографня, пр. Сапунова,потенциалов обкладок 1)об =Зост. -1 д, где 1 Аст - остаточное напряжение на выходе ключевого каскада, а 0 - напряжение отпирания диода образуемого стоковой диффузионной областью транзистора 7 (или 8) и материалом подложки. В следующий момент происходит формирование фронта импульса на стоках транзисторов 1 и 2. Длительность фронта на стоке транзистора 1 определяется разрядом конденсатора 5 по цепи сток - исток транзистора и сток - подложка транзистора 8.После разряда конденсатора б транзистор 2 остается запертым. Фронт импульса на стоке транзистора 2 определяется зарядом паразитной емкости через нагрузочный транзистор 4. Транзистор 1 удерживается в открытом состоянии до тех пор, пока зарядится конденсатор б по цепи сток в ист транзистора 7, источник питания (клеммы 12 и П), сток - исток транзистора 4.Параметры делителя напряжения на транзисторах 9 и 10 должны быть выбраны таким образом, чтобы транзисторы 7 и 8 работали в 4режиме насыщения по току, Отклонение параметров транзисторов 7 и 8 во времязадающих цепях мультивибратора компенсируется изменением напряжения на выходе делите 5 ля 9 (10) в связи с тем, что это напряжениеопределяется в основном параметрами транзистора 10, а отклонение параметров всех элементов схемы на одной подложке происходятв одну сторону,10Предмет изобретенияМультивибратор на МДП транзисторах, содержащий два ключа с нагрузочными транзисторами в стоковой цепи и с перекрестной ем 15 костной связью между затвором одного ключевого транзистора и стоком другого, отличаюиийся тем, что, с целью линеаризациизависимости длительности выходного импульса от входного напряжения, в каждую из20 времязадающих цепей мультивибраторавключен транзистор, затвор которого подключен к средней точке делителя напряжения питания на двух транзисторах, у которыхзатворы соединены со стоками,