Запоминающий элемент на мдп транзисторах

О П И С А Н И Е п 11 4 ЬО 23 ОИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советскнх Соцналнстнческнх Респтблнкприсоединением дарственный номнтет 2) Приоритет Совета Мнннстров СССРпо делам изобретенийн открцтнй(53) УДК 6 088.8) 4. Бюллетень42 бликовано та опубликования описания 03.04.7) Автор изобретент Э, Э, Т 1) Заявите ЗА 11 ОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ НА МДП-ТРАНЗИСТОРА я ши отенци Запоминающий элемент относится к области вычислительной техники и предназначен для работы в составе оперативного запоминающе. го устройства (ОЗУ).В известном запоминающем элементе (ЗЭ) 5 информация хранится в форме заряда на запоминающем конденсаторе, включенном между затвором информационного транзистора и землей, и определяет открытое или закрытое состояние информационного транзистора. До ступ к запоминающему конденсатору осуществляется через вентильный транзистор записи, когда на затворе последнего имеется разрешающий адресный импульс. Условный (в зависимости от состояния информационного 15 транзистора) разряд шины считывания происходит через вентильный транзистор считывания прп наличии на его затворе отпирающего адресного импульса, а также через информационный транзистор, Регенерация хранимой 20 информации осуществляется путем ее считывания, пропускания через специальный усилитель регенерации и последующей записи в тот же ЗЭ, К запоминающему элементу подключены еще четыре шины, кроме нулевой. 25Недостатками известного ЗЭ являются: необходимость в специальных усилителях регенерации при использовании ЗЭ в оперативных запоминающих устройствах, а также наличие большого числа шин доступа к ЗЭ, что при водит к сравнительно большой площади, занимаемой элементом на кристалле и снижению степени интеграции ОЗУ в целом. Наличие усилителей регенерации вызывает, кроме того, удлинение цикла регенерации.С целью упрощения элемента сток информационного транзистора соединен с адресной шиной считывания, исток его соединен со стоком транзистора считывания, исток которого соединен со стоком транзистора записи и числовой шиной; запоминающий конденсатор включен между затвором и истоком информационного тра нзистор а.На чертеже представлена схема предлагаемого запоминающего элемента, где 1 - транзистор записи; 2 - информационный транзистор; 3 - транзистор считывания; 4 - запоминающий конденсатор; 5 - числовая шина; 6 - адресная шина записи; 7 - адресная шина считывания; 8 - исток информационного транзистора; 9 - паразитная емкость числовой шины,ОЗУ на предлагаемых ЗЭ может работать в одном из трех режимов: считывание, запись, регенерация,Перед началом режимов считывания и регенерации числовую шину 5 необходимо раз. рядить до пулевого потенциала,Режим считывания. Адрссна на записи 6 подключается к нулевому и а. Баиковеменова корректор Н. Ау едакто Подписио Тираж 591тета Согета Министров ССС1 ий и открытийская наб д, 4/5 аказ 790,2 Типография, пр. Сапунова лу, а на адресную шину считывания 7 подается высокий (по абсолютной величине) готенциал. Если в ЗЭ хранится единица (конденсатор 4 заряжен), то информационный транзистор 2 открыт, и потенциал узла 8 становится равным потенциалу адресной шинысчитывания 7. Далее через открытый транзистор 3 высокий потенциал передается начисловую шину 5, заряжая паразитную емкость 9 числовой шины, Если в ЗЭ хранился 10логический нуль (конденсатор 4 не заряжен),то транзистор 2 закрыт, что предотвращаетпопадание высокого потенциала адресной шины считывания 7 на числовуо шину 5, поэтомупотенциал последней остается близким к нулю. 15Р е ж и м з а п и с и. Адресная шина считывания 7 находится под нулевым потенциалом.Транзистор 1 отпирается высоким (по абсолютной величине) потенциалом адресной шины записи 6 и записываемая информация с 20числовой шины 5 поступает на обкладку конденсатора 4, соединенную с затвором транзистора 2. Если записывается логическая единица, то транзистор 2 отпирается, и обкладказапоминающего конденсатора 4, соединенная 25с узлом 8, подключается к нулевому потенциалу адресной шины считывания 7. В результате этого конденсатор 4 заряжается до уровня, соответствующего логической единице.Разряд запоминающего конденсатора 4 до 30порогового напряжения транзистора 2 при записи в ЗЭ логического нуля происходит таккечерез открытые транзисторы 1 и 2,Режим регенерации включает считываниеинформации на паразитную емкость 9 число. 35вой шины (см, режим считывания) и последующую запись этой информации (см. режим Изд.1146 НИИПИ Государственного коч по делам пзобрете Москва, Ж, Раушзаписи) в тот же ЗЭ. При этом подзаряд запоминающего конденсатора 4 происходит практически до полного напряжения конденсатора 9, т. к, емкость последнего много больше емкости конденсатора 4,При организации ЗЭ в матрицу к одной адресной шине записи оказываются подключенными несколько ЗЭ. Во избежание разрушения информации в ЗЭ, подключенных к общсй с выбранным ЗЭ адресной шине записи, режим записи должен включать предварительное считывание информации в выбранной строке матрицы подобно тому, как это происходит в прототипе,Величина емкости конденсатора 4 должна выбираться существенно большей, чем паразитная емкость узла 10 на заземленную подложку во избежание заметного перераспределения заряда между этими емкостями при повышении потенциала узла 8 и, следовательно, заметного уменьшения напряжения затвор - исток транзистора 2. Предмет изобретенияЗапоминающий элемент на МДП-транзисторах, содержащий транзистор записи, информационный транзистор, транзистор считывания и запоминающий конденсатор, отл ич а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения элемента, в нем сток информационного транзистора соединен с адресной шиной считывания, исток информационного транзистора соединен со стоком транзистора считывания, исток которого соединен со стоком транзистора записи и числовой шиной, запоминающий конденсатор включен между затвором и истоком информационного транзистора.