Устройство согласования ттл с мдп интегральными схемами

Номер патента: 1018252

Опубликовано: 15.05.1983

Авторы: Бадалян, Затикян

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсов, мдп-транзисторах, усилитель-формирователь

...35 инвертора соединен с затвором нагрузочного транзистора первого дополнительного инвертора, сток нагрузочного транзистора М -1)-го дополнительного инвертора соединен с затвором на грузочного .транзистора т)-го дополнительного инвертора. На чертеже приведена схема усилителя.-формирователя импульсов на ИДП- транзисторах.Устройство содержит усилитель- формирователь импульсов 1 с входной клеммой 2, включающий в себя инвертор на транэйсторе 3 с токостабили-. зирующей нагрузкой, выполненной на транзисторе 4 и дополнительном транзисторе 5, двухтактный усилитель-фор. мирователь на транзисторах 6 и 7, первый накопительный конденсатор 8,8 зарядный транзистор 9, второй нако" пительный конденсатор 10. Дополни" тельные инверторы с...

Номер патента: 1398075

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Андреев, Маеркович

МПК: H03K 17/22

Метки: выработки, начальной, сигнала, схема, установки

...конденсатора 2 с общей шиной 4отсутствует, Фронт нарастания отрицательного напряжения питания передается полностью на сток транзистора 9через конденсатор 2Напряжение на шине 5 устройства отслеживает Фронтнарастающего питания на шине 1, Уровень напряжения Е на шине 5 устройства является сигналом начальной установки. Через некоторое время возбуждается генератор 6, формирует нарастающие по амплитуде импульсы напряжения. Когда амплитуда напряжения на.выходе генератора 6 превысит пороготпирания р-канального транзистора,конденсатор 13 начинает заряжатьсяна величину ЦьЦ = Ъ - 1 от,где 11,. - амплитуда импульсон на выходе генератора 6;напряжение отпирания р-канального транзистора (сучетом смещения подложки).Заряд и разряд конденсатора...

Номер патента: 1408393

Опубликовано: 07.07.1988

Авторы: Латышев, Лисовский, Ломако

МПК: G01R 31/3181

Метки: интегральных, качества, мдп, схем, тестовыми, транзисторами

...без ошибок. При этих же лозах измеряют значения пороговых напряжений тестовых и- и р-канальных транзисторов. Циклы облучения - измерения параметров проводят до тех пор, пока це будет достИГНУто ЭНДЧЕНИЕ Я = Со. ЗДВИСИМОСтИ Г и П от лозы облучения (Р) испольгрЗУются Д 5151 пос ГРО ения ФУцк дни Го (11 с ) которая позволяет оценить качество схемотехпичес 1 со 1 о п 11 ое 1 стд. Нд фиг, 1-3 приведецы графики, логясцяющие предлагаемый способ.На фиг.1 показаны зависимости пороговых напряжений тестовых р-канальных транзисторов от дозы облучениядля схем 1 и 11. Указаны точки перехода линейной зависимости 1), (Р) кнелинейной, которые в нашем случаесоответствуют дозе = 10 Р. Видно,что изменение Б,р (Р) для схемы 11вьш 1 е, чем для схемы 1....

Номер патента: 1149310

Опубликовано: 07.04.1985

Авторы: Кашигин, Старенький, Шабалин

МПК: G11C 7/06

Метки: кмоп-транзисторах, считывания, усилитель

...истоки которых соединены с шиной питания, затворы - с шиной стробирования, стоки - со входами соответствующих выходных инверторов, ключевые элементы на р-канальных транзисторах, соединенных перекрестными связями, истоки которых соединены с шиной питания, стоки - со входами соответствующих выходных инверторов, элементы сравнения на п-канальных транзисторах, затворы которых являются входами усилителя, содержит элемент стробирования на п-канальных транзисторах, дополнительные инверторы, каждый из которых состоит из р-канального ключевого и и-канального нагрузочного транзисторов, затворы каждого из которых объединены и подключены ко входам соответствующих выходных инверторов, сток нагрузочного и сток ключевого транзисторов каждого...

Номер патента: 292327

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Иностранна, Мацушита, Пностранец

МПК: H01L 23/52, H01L 29/76

Метки: затворами, изолированными, канальный, транзистор

...1, но без экранирующего электрода 7 с затвором 8, заземленным на псрсмсццьш ток, тоемкостное сопротивление между первым затвором 6 и стоком 4, т, е. емкостное сопротивление обратной связи, резко уменьшается, Если в транзиторе, имеющем более двух затворов, на первый и второй затворы поступают отдельные сигналы, то второй загвор нельзя заземлять, поскольку возникают осложнения из-за статической емкости между затворами.В описываемом транзисторе для понижения емкостной связи между псрвым и вторым затворами установлен экранирующий электрод 7, заземленный или соединенный с истоком 1.Изображенный на фиг. 3 транзистор типа МОЯ содержит экранирующий электрод 7, два изолированных затвора 6 и 8, электрод 2 истока и электрод 5 стока. В том случае...