Патенты с меткой «керамического»

Номер патента: 998423

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Кашкет, Ковзун, Овчаренко, Проценко

МПК: C04B 33/18

Метки: керамического, приготовления, разжижитель, шликера

...эффект от предварительного смешивания СДБ и едкого натра объясняется тем, что лигносульфонаты кальция, входящие в состав СДБ, реагируют с едким натром с образованием лигносульфонатов натрия по схеме,СаЛгС + 2 йаОН = М 1 гС + Са(ОН)2 Гидроокись кальция, в свою очередь, реагирует с содой, содержащейся в техническом едком натре, по схеме Са (ОН)1 + йа 2 СО= СаСО 3 + 2 йаОН Таким образом, получается разжижитель, обогащенный более эффективным лигносульфонатом натрия, в то время как ион кальция, отрицательно влияющий на разжижение, ныводится н осадок н виде нерастворимого карбоната кальция.Такого типа процессы практически не протекают при 6 бычном смешивании всех компонентов электролита, так как едкий натр более быстро реагирует с жидким...

Номер патента: 998425

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Алямовский, Зайнулин, Келлерман, Переляев, Швейкин

МПК: C04B 35/00, C04B 35/46

Метки: керамического, парамагнитного

...обжиг в вакууме10 мм рт.ст. в молибденовых тигляхпри 600-650 ОС в течение 5-6 ч испекании при 1200-1300 С в течение30 ч.После спекания (с использованиемпромежуточного измельчения или безнего) заготовки размещают в графитовый цилиндр с прокладкой из таланталовбй и молибденовой фольги.цилиндр с заготовкой размещаютв контейнере из пирофиллита или катлинита и всю систему помещают впресс, поднимают давление до 3 ГПаи выдерживают 5 мин, после чего давление снимают,На чертеже приведены график зависимости магнитной восприимчивости оттемпературы образцов, подвергнутыхобработке давлением при разных величинах давления (от 0,5 до 12 ГПа ).Как видно из температурных зависимостей магнитной восприимчивости,для материалов, полученных при различных...

Номер патента: 998430

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Деревягин, Деревягина

МПК: C04B 33/26, C04B 35/18

Метки: керамического, шихта

...евай шихты керамического материала на основе глинозема и мелющих тел на ее основе не отличаются от известных Температура обжига 1380-1400 С.В табл. 1 приведены примеры шихткерамического. материала на основе глинозема для изготовления мелющих тел по предлагаемому способу и известному.В табл. 2 показаны основные техни ческие характеристики обожженных мелющих тел.Коэффициент истираемости рассчитан по формуле3чЗ.,1где- вес первоначально загружаемых в шаровую мельницу мелющих,тел, кг;ц - вес мелющих тел после одного2цикла помола, кг. Т а б л и ц а 1 Содержание компонентов в шихте, вес. 1 1Компоненты Состав 1 28 31 30 Глина 45,8 51,8 62 62,8 Глинозем 4,2 8,2 6,2 7,2 доломит Ставролитовыйконцентрат 18 0,8 Таблица 2 Состав Свойства мелющих...

Номер патента: 998432

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Акимов, Павловская, Яруничев

МПК: C04B 35/472

Метки: керамического, конденсаторного, шихта

...зеренв керамическом материале, возрастаютдиэлектрические потери, керамика становится гигроскопичной, что нежелательно.Положительный эффект достигаетсяза счет добавки в керамический материаЛ смеси, состоящей из СаСО ИОз,АВгОЭ и 2 пО, При введении каждого из 20этих веществ в отдельности полученный эффект незначителен.,Предлагаемый сегнетокерамическийматериал получают по общепринятойкерамической технологии. Приготавливают смесь из спека титана бария,двуокиси титана, двуокиси циркония,карбоната кальция, трехокиси вОльфрама, окиси цинка и трехокиси алюминия,взятых в предлегаемых соотношениях,и затем измельчают. Из смеси получают. образцы прессованием в виде дисков,которые обжигают в электрической силитовой печи при 1340-1390 С с...

Номер патента: 1000440

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Баранова, Прохорова

МПК: C04B 35/106

Метки: керамического, шихта

...пористость, апри содержании ньнше (0,89; 0,64; 0,64соответственно) имеет место деформация толстостеннь ., издег ий,ЗОЦиркоц вводится для улучшения сиекания,массы ири обжиге толстостенных изделий приотносительна низких.;температурах обжига1550 - 1600 С, При обжиге он разлагается наЕгС и Я 02,. Образуемый активный кремне.зем н основном создаст стеклофазу, улучшаю З 5щук спекание керамической массы, а частич.но вступает н реакцию с АОЗ с образованием муплита, который наряду с Е г 02 способствует унеличеш.ю термостойкости материала. При введении ЕгЯ 04 менее 15% ио.ристость образцов остается высокой, а присодержании более 30% образцы имеют пониженную прочность ири 1000 С,Ниже приводятся составы предлагаемойкерамической массы,...

Номер патента: 1002271

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Антоненко, Баранова, Гришина, Тулянкин

МПК: C04B 35/106

Метки: керамического, шихта

...5 10 в основном об. разует стеклофазу, а частично вступает в реакцию с А 10, образуя муллит. ЕгОсовместно с муллитом способствуетповышению термостойкости изделий,При введении А 10, МпО, Уг 5104ниже указанных количеств не удаетсяполучить образцы с низкой пористостью. При введении этих компонентов в количестве выше указанных величин снижается высокотемпературная прочность.При использовании Кв количествениже 211 отсутствует полное смачивание пресспорошка и образцы не пропрессовываются. При введении Квыше 2,6 удлиняется время сушки массы,55Ниже приведеяы составы исследуемых масс (см. табл.1).Все орошки использовали в тонко- молотом ниде (размер зерен менее 71 420 мкм), Помол проводили в керамических мельницах с корундовой Футеровкой (в...

Номер патента: 1013435

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Андреев, Бендовский, Гузман, Дымов, Когос, Суханов

МПК: C04B 35/195, C04B 38/00

Метки: газопроницаемого, керамического, шихта

...смесь совместного помола талька,электрокорунда и глины образует ма- б 5.териал,кордиерит с. коэффициентом термического расширения много меньше,чем коэффициент термического расширения материала крупнодисперсного корунда 2,510 6 и 910-б град-соответственно. Это ведет к образованиюспецифической микроструктуры материала вследствие создания при охлаждении микрозаэоров между зернами крупнодисперсного корунда и тонкодисперсной составляющей шихты.Для получения исходной шихты ккрупнодисперсному монофракционномукорунду размер зерен 400-100 мкм)добавляют ионкодисперсную смесь совместного помола талька, электрокорунда и глины, проходящую через сито10000 отв/см и образующую в процессе термической обработки богатуюкордиеритом фазу,Массу увлажняют,...

Номер патента: 1016272

Опубликовано: 07.05.1983

Авторы: Никифоров, Орловская, Урбанович, Шувалов

МПК: C04B 35/00, C04B 35/497

Метки: керамического, конденсаторного

...формования заготовок и их двукратного обжига, первый из которыхпроводят при 800-900 С и атмосферномдавлении, второй обжиг проводят при 45давлении 65-90 кбар и температуре700-900 С с выдержкой 3-20 мин, после чего изделия дополнительно обжи-гают при 600-800 С и атмосферномдавлении с выдержкой 1-2 ч.В результате операции спеканияпод давлением диэлектрик переводят в метастабильное состояние. Приэтом происходит превращение из кристаллической структуры типа пирохлорав перевскит. При давлении менее65 кбар, температуре менее 700 Си времени менее 3 мин это превращение не происходит. Затем после охлаждения образцов их нагревают дотемпературы не менее 600 С при атмосферном давлении. При этой операции метастабильная перовскитная фаза вновь...

Номер патента: 1018927

Опубликовано: 23.05.1983

Авторы: Харитонов, Чернусь

МПК: C04B 35/18

Метки: керамического, термостойкого

...термической стойкости цельзиановой керамики.Поставленная цель достигается тем, что по способу получения термостойко- го керамического материала путем приготовления шихты смешиванием спеков 90-97-ного моноклинного цельзиана и 3-10-ного мрдификатора системы ВаО-А 2 О -5 й- формования изделий и 40,2 Э 2их обжига, готовят спек модификатора состава, мас,: при 1200-1300 С, а обжиг проводят при 1450-1550 С.Предлагаемый способ получения термостойкого цельзианового материала осуществляется в два этапа. Сна.ала осуществляют синтез цельзиана при 1450-1600 фС. Состав спека моноклинного цельзиана: барий углекислый 42, каолин 58.Полученный спек, состоящий иэ цельзиана моноклинной модификации, подвергают иэмельчению до остатка на сите 006 - 0,5 -...

Номер патента: 1020899

Опубликовано: 30.05.1983

Авторы: Агроскин, Клямкин, Пекарж, Платонов, Ширяев

МПК: H01R 43/06

Метки: керамического, коллектора, плоского

...ванне приводит к снижению поверхностного электросопротивления. Из-за рыхлости медного слоя практически невозможно произвести удаление остатков электролита, что в свою очередь также снижает поверхностное электро- сопротивление.В известном техническом решении припайка лепестков возможна только мягкими припоями, так как высокотемпературная пайка с толстыми медными покрытиями невозможна из-за "водородной болезни" меди и она производится как отдельная операция с последующей обязательной отмывкой остатком Флюса.Таким образом, известной технологии присущи большая длительность и трудоемкость изготовления коллектора и низкая надежность. поверхностного электросопротивления.Цель изобретенйя - снижение трудоемкости изготовления...

Номер патента: 1025701

Опубликовано: 30.06.1983

Авторы: Кравчик, Лискер, Слатинская, Шуршалова

МПК: C04B 35/00

Метки: керамического, шихта

...(Та,О.) и16,3 г оксида ниобия (НЬ 0 )с содержанием основного вещества в них о 99,7. После 15 мин перемешиваниямедленно приливают смесь 0,67 М азотнокислого циркония и 1,35 М азотнокислого стронция соответственно130 и 190 мл. Суспензию перемешивают 5 еще 0,5 ч. Осадок отфильтровывают,шихту прокаливают при 1200-1250 ьС втечение 6 ч. В полученную таким образом основу вводят необходимое количество минерализатора (смесь огне упорной глины и бората кальция ) исмешивают в течение 1-1,5 ч.Шихта имеет следующий состав,мас.%:Оксид25 тантала 44,3ОксидниобияОксидциркония . 10,2ОксидстронцияБораткальция.: 1,5Огнеупорнаяглина 2,5П р и м е р 2, Получение материала состава 0,66 ЯгТар ) ЖЬ 040,34 ЯгЕгО при х=0,40,.т.е.Х0,66 ЯгТа,йо КЬО,Фо 06 " 034 Яг 1...

Номер патента: 1035015

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Дорохова, Жуковский, Ревина, Сорокина

МПК: C04B 35/468

Метки: керамического, шихта

...В, КЛС ( 2 .Однако крупнокристаллическаяструктура керамики (основной размеркристаллов 8-16 мкм) весьма затрудняет возможность использованиявго в качестве диэлектрика в тонкопленочных монолитных конденсаторахс высокой удельной емкостью.У материала-прототипа такженаблюдается резкая зависимостьдиэлектрической проницаемости оттемператур обжига изделий, причемвысокая Е/Е (порядка 13000) достигается только при температурах обжигаИ 380 С. 65 Целью изобретения является повышение диэлектрической проницаемости,уменьшение размера кристаллов и расширение интервала температур обжига.Указанная цель достигается тем,что шихта для изготовления керамического материала, преимущественнодля многослойных конденсаторов, содержащая титанат бария,...

Номер патента: 1036713

Опубликовано: 23.08.1983

Авторы: Волынец, Демиденко, Денисов, Денкс, Дудельзак, Рыжиков, Терентьева

МПК: C04B 35/16

Метки: керамического, основе, содалита

...достигается тем, что согласно способу изготовления керамического материала на основе содалита.путем термообработки исходного порошка термообработку осуществляютгорячим прессованием порошка содалитав вакууме при температуре 800-1200 СОпод давлением 0,5-4 т/см 2 в течение5-90 мин,При этом в качестве исходного сырья используют порошок, содержащий МаьЛ 1 51602 (1-и) Ма На 1На 1 - С 1,Вг У 0,050,70Для получения материала, обладающего высокой фотохромной чувствительностью при облучении в области кварцевого Уф, исходный порошок должен содержать добавки Я, Яе, Те и другие,Для удаления адсорбированной порошком влаги перед приложением давления осуществляется термообработка брикета в вакууме или контролируемой атмосфере при...

Номер патента: 1065382

Опубликовано: 07.01.1984

Авторы: Зиньковский, Лузгин, Попова, Рутман, Торопов, Устьянцев

МПК: C04B 35/48

Метки: керамического, шихта, электропроводного

...гафния. В обоих случаях эти отдельные 60элементарные объели имеют некоторуювоэможность независимого перемеще.ния при термическом нагружении благодаря образующимся при нагружениимикротрещинам по границам раздела Фрагментов за счет различия величин коэффициентов термического расширения присутствующих фаз.Широкие пределы содержания силиката гафния определяются температурными условиями службы для различных областей применения твердых электролитов, а также зависимостью электро проводности материала от температуры.При определеиии содержания кислорода в расплавах черных металлов температура службы составляет 1500- 1750 фС, в расплавах цветных 1100- 1200 аС, а при прйменении твердых электролитов в выхлопных газах двига- телей внутреннего...

Номер патента: 1068029

Опубликовано: 15.01.1984

Автор: Тосио

МПК: C04B 35/49

Метки: керамического, пьезоэлектрического

...приведена в табл. 3, аобразцы Яготовят горячей прессовкой при указанных условиях.Приведенные в табл. 3 данные 10 твердости по Виккерсу, прочностина изгиб, размеру зерен и среднемуразмеру пор являются средней величи-ной для десяти измерений.Иэ табл. 3 видно, что возможно 15 получение пьезоэлектрической керамики с малой пористостью, малымсредним размером пор и мелкими зернами в сравнении с керамикой, полученной при горячей прессовкеКрометого, полученная керамика обладаеттвердостью па Виккерсу и высокойпрочностью на изгиб в сравнении собразцами, полученными ри горячейпрессовке.Несмотря на то, что существуетвероятность загрязнения такими примесями, как А 1 ОЭ, Б 10 2 и т.д.,содержащимися в исходных материалахили в материалах,...

Номер патента: 1074401

Опубликовано: 15.02.1984

Автор: Тосио

МПК: C04B 35/46, C04B 35/472

Метки: керамического, пьезоэлектрического

...является повышение механической прочности.Указанная цель достигается тем, что согласно способу изготовления пьезоэлектрического керамического материала, содержащего х РЬ(Эьц 9 Ь )оиРЬТ 1 0, где 1/4 соС с 3/4,. 0,01 с х с 0,40 и 0,60 йу с 0,99, путем смешивания исходных соединений свинца, олова, .сурьмы, титана, их 60 обжига при 600-900 оС, измельчения; формования заготовок и спекания.при 1000-1350 С, в шихту дополнительно ,вводят 0,05-5 мас.Ъ по крайней мере1 одного соединения из группы ЯО, 65 МьО, С ОЗ., а спекание проводят ватмосфере кислорода при содержанииО не менее 80 об.Ъ.Кроме того, в шихту можно дополнительно вводить по крайней мере.одно соединение кальция, бария,стронция, кадмия иэ расчета замещения до20 ат.Ъ свинца в...

Номер патента: 1076419

Опубликовано: 28.02.1984

Авторы: Волохов, Глазачева, Медведовский, Муровякин, Харитонов

МПК: C04B 33/26, C04B 35/18

Метки: керамического, шихта

...процессы перекристаллизации, протекающие при обжиге материала, микроструктуру керамики, 50 ее фазовый состав, а также химическую природу стеклофазы, повышая еетвердость.Укаэанный эффект достигается засчет создания в материале в процессеобжига мелкокристаллической структуры, представленной изометрическимикристаллами И тА 103, которая приэтом самоармирована вытянутыми призматическими кристаллами той же кристаллической фазы.Повышение .термостойкости достигается также за счет образованиястеклофаэы, имеющей более низкую скорость изменения вязкости с температурой, что приводит к снижениюостаточных напряжений, возникающихпри охлаждении предлагаемого материала, а следовательно, и повынениютЕрмостойкости керамики.Приготовление керамического...

Номер патента: 1096254

Опубликовано: 07.06.1984

Авторы: Боровинская, Кондаков, Мартыненко, Мержанов, Мукасьян, Петров

МПК: C04B 35/591

Метки: керамического, кремния, нитрида, основе

...введено менее 1,2 мас,7 то заметного эффекта2активации спекания нет. Если оксида иттрия или алюмоиттриевого граната введено более 1 1,й мас.7., то ухудшается высокотемпературная прочность при сохранении термостойкости.Введение в шихту карбида кремнияприводит к улучшению термостойкостиматсриала за счет остановки или ветвлен 1 ся трещин, при этом, если введе:о более 20 мас,7. заметно ухудшается прочность материала, а при введении менее 16,7 мас.7 падает его термостсн 1 кость до 30 теплосмен (пример 3) .Режим СВС обеспечивается горением ,кремния в атмосфере азота под давлекием 150-3000 атм. Если давление выше 3000 атмто получается некачественнь 1 й продукт, а если ниже, то кремний в азоте воспламенить не удается,Проведение процесса СВС в...

Номер патента: 1100071

Опубликовано: 30.06.1984

Авторы: Голозубов, Каплан, Сизов, Терман, Ястребов

МПК: B23B 5/00, B23D 3/00, B23Q 1/76 ...

Метки: валка, керамического, огнеупорного

...200 мм, что недостаточно для обеспечения требуемой прочности заготовки. На начальной стадии обработки заготовки валка,55 когда ее диаметр значительно превышает диаметр готового валка, прочность допускает ее черновую обработку до определенного диаметра без люнетных опор, что позволяет использоватьстанки с меньшей высотой центров.Цель изобретения - расширение технологических возможностей устройства.Поставленная цель достигается тем,что устройство для обработки керамического огнеупорного валка, содержащее токарный станок, двухрядный многоопорный роликовый рычажно-пружинныйлюнет и копир, взаимодействующий спомощью щупа с суппортом станка,снабжено закрепленными на станине спротивоположной от управления стороны двумя консольными...

Номер патента: 1106806

Опубликовано: 07.08.1984

Авторы: Кравчик, Лискер, Слатинская, Шуршалова

МПК: C04B 35/486

Метки: диэлектрического, керамического, шихта

...0,5 ч. Осадок отфильтровывают,шихту прокаливают при 1250 С в течение б ч. В полученную таким образомоснову вводят 0,62 г бората кальцияи 1,25 г огнеупорной глины, смешивают в течение 1-1,5 ч и спекают керамику в атмосфере водорода при 13701430 С в печи с силитовыми нагревателями или при 1450-1550 С в печис молибденовыми нагревателями. Привсех условиях керамика получаетсяплохо спеченной (пористость более 57), на нее нельзя нанести электроды и измерить электрофизическиесвойства.Состав шихты при введенном количестве минерализатора следующий,мас. 7:Диоксид циркония 37,8Оксид стронция 37,4Пентоксид тантала 24,1Борат кальция 0,2Огнеупорная глина 0,5П р и м е р 2. Получение материала состава 0,15 Бгта 206 -0,85 БгЕгоэ(основа) с 1,57...

Номер патента: 1135487

Опубликовано: 23.01.1985

Авторы: Астикайнен, Виноградов, Кушнер, Полозов, Шидяков, Шукуров

МПК: B02C 4/32

Метки: вальцы, керамического, помола, сырья

...1 и неподвижного 2,станины 3, механизма 4 предохранения подвижного валка газогидравлической системы 5 управления. Приводные валки 1 и 2 смонтированы на станине 3 и приводятся во вращение электродвигателями б и 7 через клиноремениые передачи 8 и 9.Валок 2 является неподвижным, так как он не перемещается в процессе работы по станине 3.Приводной валок 1 смонтирован с возможностью перемещения в направляющих 10 станины 3, его опоры вращения поджаты к вертикальному упору станины механизма 4 предохранения.Механизм 4 предохранения предназначен для снятия пиковых усилий при, перегрузках, стабилизации усилий размола и автоматического возвратаКонечные выключатели 28 и 29 соединены с обмотками, (не показаны )управления пневмораспределителя...

Номер патента: 1141084

Опубликовано: 23.02.1985

Авторы: Крупкин, Мишель, Попова, Хижняк, Холодок

МПК: C04B 35/10, C04B 35/622

Метки: керамического, шликер

...) 8 Н О переходит вАР (ЯО+) пН О, где п=1,5-4. В этихже условиях термообработки из А 1 СР 4 О полностью удаляется сорбированнаявода. Добавки вводятся в связующеевместе с водой при его приготовлении,Процесс приготовления связующегоследующий.45 В расчетное количество этилового спирта вводится в виде водногораствора соляная кислота (предпочтительно в виде 0,5 Х-ного водного раствора), а затем в полученную смесь 50 вводят необходимое количество этилсиликата.Образовавшаяся мутная смесь после интенсивного перемешивания втечение 5-10 мин становится прозрач ной. Протекание реакции гидролизаэтилсиликата сопровождается повыше нием температуры до 50-60 С. По ох"лаждении реакционной смеси в нее вводится остальная дистиллированная вода...

Номер патента: 1141086

Опубликовано: 23.02.1985

Авторы: Бондаренко, Клейне, Корзунова, Новикова, Тризна, Фрейденфельд

МПК: C04B 35/472, C04B 35/499

Метки: керамического, пьезоэлектрического, шихта

...компоненты4взяты в следующем соотношении,мас.%:Т 10, 22-25ЬаО, 1-7,5ЯЬ О 4-10ЕпО 0,1-1,0СЙО 0,1-0,5БдО 0,2-0,7Оксидиз группы СаО, ЯгО,ВаО 0,15-5РЬО ОстальноеНедостатком известного материалаявляются низкие значения температурыКюри 400-480 С 1 и механической добротности (О, 310-44025Целью изобретения является повышение температуры Фазового переходаи механической добротности.Поставленная цель достигается .тем, что шихта для пьезоэлектрического керамического материала, содержащая РЬО, Ьа Оз, Т 10, ВаО и ЯЬО,содержит компоненты в виде предварительно синтезированных твердых растворов (РЬ О, Ьа) ТОз и35(РЬО, Ва О, ) о,эь Ьа О,ОФ. Ж 1,Я ьпри следующем соотношении компонентов, мас.Е: 2(РЪ1.а О, ) Ть.Оз 80-95Для изготовления материала используют...

Номер патента: 1163259

Опубликовано: 23.06.1985

Авторы: Буре, Валюкявичюс, Жлабис, Каминскас, Мачюлайтис, Садунас

МПК: G01N 33/38

Метки: керамического, кирпича, морозостойкости

...фиксируют карандашом по последующему контуру смачивания,Для определения коэффициента водонасыщения (К) далее берут образцыс маркированной поверхностью разрезаи в предыдущем положении (маркированной стороной вниз) немедленно погружают в сосуд с водой при 15-20 С.По истечении 19,5 ч эти образцы вынимают из сосуда, обтирают влажнойтканью и взвешивают. Затем их возвращают в сосуд в предыдущем положении и подвергают кипячению в воде25в течение 4 ч, После кипячения образцы подвергают охлаждению водой дотемпературы 15-20 С, а затем вынимают из воды, обтирают влажной тканьюи взвешивают,Для определения водопоглощенияОЦ образцы, на которых определяютвысоту капиллярного водоподъема за60 мин, вынимают из ванночки и немедленно в предыдущем...

Номер патента: 1163965

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Андриенко, Елагин, Жуков, Муляк, Семененко

МПК: B22C 9/04

Метки: абразивного, блоков, истирания, керамического, модельных, обсыпке, покрытия, предотвращения, слоя

...слоев покрытия огнеупорным материалом, 5Целью изобретения является повышение качества форм и обеспечение удаления обсыпочного материала с внутренней поверхности экранирующего элемента при выемке формы из обсыпки 10 за счет защиты слоя керамического покрытия от воздействия восходящего потока обсыпочного материала экранирующим элементом, а также за счет возможности удаления обсы почного материала из экранирующего элемента при его выемке без дополнительных операций.На фиг.1 и 2 показан экранирующий элемент; на фиг.3 - то же, 20 вид сверху.Устройство состоит из пескосы - па 1, экранирующего элемента 2 с подвеской 3 и модельного блока 4, Экранирующий элемент содержит каркас 25 5 и эластичные сектора 6,закрепленные своим основанием к...

Номер патента: 1164226

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Борисенко, Камушкина, Кескинова, Мудролюбова, Николаева, Продавцова

МПК: C04B 35/465

Метки: керамического, конденсаторного, термостабильного, шихта

...СоболеваТехред Т.фанта Корректор Г. Решетник Редактор С. Тимохина Заказ 4151/21 Тираж 605 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано при производстве высокочастотных термостабильных керамических конденсаторов.Целью изобретения является снижение температуры спекания материала без изменения его электрофизических параметров.Для получения материала порошок предварительного синтезированного твердого раствора с удельной поверхностью 7000- 10000 см /г смешивают в мельнице с раствором из смеси азотнокислого алюминия А 1(ИО) 9 Н 0 и гидролизата...

Номер патента: 1165667

Опубликовано: 07.07.1985

Авторы: Куприянова, Оруджев, Пыльник, Самедов, Фаталиев, Чентемиров

МПК: C04B 38/02

Метки: керамического, сырья, теплоизоляционных

...СССРоткрытийая наб., д. 4/5"Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 филиал ППП 1 . 11656Изобретение относится к изготовлению строительных материалов и может быть использовано в производстве теплоизоляционных иэделий при использовании керамического сырья.Цель изобретения - снижение объемной массы.Способ осуществляют следующим образом.Исходное сырье подвергают термо обработке при, 1450-1550 С в газоовом конвертере с погруэными горелками, затем подают на водяное охлаждение и грануляцию в водяной гранулятор. Гранулированный .материал 15 поступает на сушку в сушильный барабан, куда одновременно дозируются добавки. Из сушильного.барабан шихта подается на помол в шаровую ,мельницу. Из мельницы диспергиро ванная шихта поступает на...

Номер патента: 1172906

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Беляев, Дрожжев, Изъюрова, Королев, Сорокин, Спирин, Фролов

МПК: C04B 35/64

Метки: керамического, пьезоэлектрического

...7 О,12 0,03 0,05 0,01 0,03 нестабиль- ПКРность, 7/ч ЦТБС 35 Составитель Н,СоболеваРедактор Н.Недолуженко Техред С.Мигунова Корректор В.Синицкая Заказ 4995/23 Тираж 605 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета. СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 1 11Изобретение относится к твердотельной электронике,.и предназначено для построения высокостабильныхкерамических трансфильтров,Цель изобретения - улучшениевременной и температурной нестабильности пьезокерамических приборов.Предложенный способ изготовления пьезокерамического материалазаключается в следующем. На первомэтапе во время процесса спеканняна пьезокерамическую шихту воздей-ствуют постоянным...

Номер патента: 1174413

Опубликовано: 23.08.1985

Авторы: Балабосова, Бурилова, Угнивенко

МПК: C04B 35/465

Метки: высокочастотных, керамического, конденсаторов, шихта

...200-210 80-85 80-85 80-85 2,5 10 26 2-4 2,2 24 210"220 1,5 8 Ф2-4 22 Составитель В, Соколова Техред О.Неце Корректор Г. Решетник Редактор Н. Яцола Тираж 605 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Заказ 5133/24 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,4 Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, используемых при изготовлении высокочастотных керамических конденсаторов.Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости и упро.щение технологии.Материал получают следующим образом.Предварительно известный в керамическом производстве способом получают спек титаната кальция (СаТхО,) и спек...

Номер патента: 1203075

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Бранте, Клейне, Корзунова, Тризна, Фрейденфельд

МПК: C04B 35/01, C04B 35/495

Метки: керамического, пьезоэлектрического, шихта

...материала Температура спекания,С 1050 1040 1040 7,78 7,76 3Плотность ), г/см 7,68 Механическая добротностьПьезомодульс 110, Кл/ННеобратимые изменения пьеэомодуля Йпосле воздействиятемпературы 700 С, % 10Минимальный уходпьезомодуля с 1в интервале 20700 С от значенияпри 20 С, 7 15 2500 2700 2800 16,1 16 5 160 10 13 15 ВНИИПИ Заказ 8382/29 Тираж 604 Подписное Филиал ППП "Патент", г,Ужгород ул.Проектная, 4 1 12 ОЗОИзобретение относится к высоко- температурным материалам для пьезотехники и может быть использовано для создания электромеханических преобразователей, работающих в широком диапазоне температур.Цель изобретения - снижение температуры спекания и повышения стабильности пьезомодуля с 1Слоистое соединение В 17 Т 1 ИЬО, 1 О получают...